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公开(公告)号：KR1020110046354A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105166
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to increase the uniformity of a plasma process by controlling the plasma density distribution. CONSTITUTION: A plasma is created as a doughnut shape under the dielectric window(52). The doughnut shape plasma is dispersed in a wide processing space. The density of the plasma is equalized in the susceptor(12) area. A correction ring(70) performs electromagnetic field correction about the RF magnetic field created from the RF antenna. A conduction duty ratio is varied by a switching device(110) by the process condition.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过控制等离子体密度分布来提高等离子体工艺的均匀性。 构成：在电介质窗口（52）下形成等离子体作为环形。 环形等离子体分散在宽的处理空间中。 在基座（12）区域中等离子体的密度相等。 校正环（70）对从RF天线产生的RF磁场进行电磁场校正。 通过开关装置（110）通过处理条件来改变导通占空比。
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公开(公告)号：KR100733237B1
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020000060019
申请日：2000-10-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L21/67069 , H01L21/76802 , H01L21/76897
Abstract: 순환 가스를 용이하게 제어할 수 있는 처리 장치를 제공한다.
처리 가스를 복수의 가스 공급 구멍을 거쳐서 처리실내에 공급하는 샤워 헤드(200)와, 처리실(110)내에서 처리 가스를 배기하는 터보 펌프(120)와, 터보 펌프에 의해 처리실내에서 배기된 배기 가스의 적어도 일부[순환 가스(Q2)]를 샤워 헤드에 복귀시키는 순환 가스용 배관(150)을 구비한 처리 장치(100)는, 샤워 헤드는, 가스원(140)으로부터 공급되는 1차 가스(Q1)를 복수의 1차 가스 분출 구멍(h1)을 거쳐서 처리실내에 공급하는 1차 가스 공급 계통과, 순환 가스를 복수의 순환 가스 공급 구멍을 거쳐서 처리실내에 공급하는 순환 가스 공급 계통을 구비하고, 1차 가스 공급 계통과 순환 가스 공급 계통은 서로 독립 계통으로서 구성된다. 처리실내에서 처음으로 1차 가스와 순환 가스를 혼합시킬 수 있기 때문에, 압력 제어를 하지 않더라도, 순환 가스를 용이하게 제어할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020070020142A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：KR1020077001688
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H05H1/18
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: There is provided a plasma etching device for generating plasma as a processing gas between an upper electrode (34) and a lower electrode (16) and subjecting a wafer (W) to plasma etching. The upper electrode (34) includes a variable DC power source (50) for applying DC voltage so that the absolute value of the self bias voltage Vdc on the surface of the upper electrode (34) becomes large enough to obtain an appropriate sputter effect to the surface and the thickness of the plasma sheath on the upper electrode (34) becomes thick enough to form a desired miniaturization plasma. ® KIPO & WIPO 2007
Abstract translation: 提供了一种用于在上电极（34）和下电极（16）之间产生等离子体作为处理气体并对晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置。 上电极（34）包括用于施加直流电压的可变直流电源（50），使得上电极（34）的表面上的自偏压Vdc的绝对值变得足够大以获得适当的溅射效应 上电极（34）上的等离子体护套的表面和厚度变得足够厚以形成期望的小型化等离子体。 ®KIPO＆WIPO 2007
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公开(公告)号：KR101757922B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105166
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
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公开(公告)号：KR101757920B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105133
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서전기적으로플로팅상태에놓이는코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로임의로제어하기때문에, 콘덴서를갖는플로팅코일(70)이 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장더 나아가서는챔버(10)내에서생성되는도넛형상의플라즈마의플라즈마밀도분포에대해소극적인작용혹은적극적인작용을얻는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160130728A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020160144583
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够通过使用简单的校正线圈来自由且精确地控制等离子体密度分布。 在电感耦合等离子体处理装置中，在RF天线54周围的电介质窗52下方的环形状中产生电感耦合等离子体，然后在大的处理空间中扩散，使得等离子体的密度在基座12周围变得均匀 （即，在半导体晶片W上），特别是在径向方向上。 RF天线54通过校正线圈70对所生成的RF磁场进行电磁场校正，并且根据预定的处理参数控制切换机构110在校正线圈70中流动的感应电流的占空比。
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公开(公告)号：KR101247833B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020117031581
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度
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公开(公告)号：KR1020120107520A
公开(公告)日：2012-10-02
申请号：KR1020127021941
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120009515A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031581
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120009512A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031569
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度
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