公开(公告)号：KR1020130095283A

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR101291917B1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020087002231

申请日：2006-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다타로 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: 본 발명은 처리 용기 내의 탑재대 상에, 표면에 오목부가 형성된 피처리체를 탑재하는 공정과, 처리 용기 내를 진공화하는 공정과, 진공화된 처리 용기내에서, 불활성 가스를 플라즈마화하여 형성된 플라즈마에 의해서, 금속 타겟을 이온화시켜 금속 이온을 포함하는 금속 입자를 발생시키는 공정과, 상기 탑재대 상에 탑재된 상기 피처리체에 바이어스 전력을 인가하여, 상기 플라즈마 및 상기 금속 입자를 그 피처리체에 인입함으로써, 상기 오목부의 바닥부를 깎아서 깎여진 오목부를 형성함과 아울러, 상기 오목부 및 상기 깎여진 오목부 내의 표면을 포함하는 상기 피처리체의 표면 전체에 금속막 성막하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 금속막의 성장 방법이다.

公开(公告)号：KR101031677B1

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020087025943

申请日：2007-04-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기(24)의 내부에 마련된 탑재대(34)에, 표면에 오목부가 형성된 피처리체(예컨대, 반도체 웨이퍼(W) 등)를 탑재한다. 그 후, 처리 용기(24)의 내부에 플라즈마를 발생시키고, 이 처리 용기(24)의 내부에 있어서, 상기 플라즈마에 의해 금속 타겟(70)을 이온화해서 금속 이온을 생성한다. 그리고, 탑재대(34)에 바이어스 전력을 공급하고, 상기 금속 이온을 이 공급된 바이어스 전력에 의해 상기 탑재대(34)에 탑재된 상기 피처리체에 인입시키는 것에 의해, 상기 오목부내의 면을 포함하는 상기 피처리체의 표면에 박막을 형성한다. 본 발명에 있어서는, 바이어스 전력의 크기를, 상기 피처리체의 표면이 실질적으로 스퍼터되지 않는 범위내에 있어서 변화시킨다.

公开(公告)号：KR101025986B1

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020087021299

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: 피처리체 예컨대 반도체 웨이퍼 W의 표면에 형성된 오목부, 특히 직경 또는 폭이 100㎚ 이하인 미세한 홀 또는 트렌치를, 플라즈마 스퍼터링만에 의해, 금속 특히 구리로 매립하는 것을 가능하게 하는 기술이 개시된다. 오목부 내에 소량의 금속막을 퇴적시키는 성막 공정과, 이 퇴적시킨 금속막을 오목부의 바닥부를 향해 이동시키는 확산 공정이 교대로 복수회 실행된다. 성막 공정에 있어서는 웨이퍼 W의 표면에서, 금속 입자의 인입에 의해 생기는 금속의 퇴적의 퇴적 레이트가 플라즈마에 의해 생기는 스퍼터 에칭의 에칭 레이트와 대략 균형을 이루도록, 웨이퍼 W를 지지하는 탑재대에 인가되는 바이어스 전력이 설정된다. 확산 공정에 있어서는, 오목부 내에 퇴적시킨 금속막의 표면 확산이 생기는 온도로 웨이퍼 W를 유지한다.

公开(公告)号：KR1020100024416A

公开(公告)日：2010-03-05

申请号：KR1020097026131

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a filming method for forming a thin film on a treating object (W) which has an insulating layer (4) formed with a recess (6) on its surface. In the filming method, there are sequentially executed the barrier layer forming step of forming a Ti-containing barrier layer (12) on the surface of the treating object including the surface in the recess, the seed layer forming step of forming a Ru-containing seed layer (16) over the barrier layer by a CVD, and the auxiliary seed layer forming step of forming a Cu-containing auxiliary seed layer (164) over the seed layer by a sputtering. All over the surface of the treating object, therefore, a sufficient padding can be made on either the recess having a small line width or hole diameter or the recess having a high aspect ratio.

Abstract translation: 公开了一种在其表面上形成有凹部（6）的绝缘层（4）的处理对象（W）上形成薄膜的成膜方法。 在成膜方法中，依次执行阻挡层形成工序，在包含凹部的表面的处理对象物的表面上形成含Ti势垒层（12），种子层形成工序形成含Ru的阻挡层 种子层（16），并且通过溅射在种子层上形成含Cu辅助种子层（164）的辅助晶种层形成步骤。 因此，在处理对象的整个表面上，可以在具有小线宽度或孔直径的凹部或具有高纵横比的凹部中的任一个上形成足够的填充。