-
公开(公告)号：KR1020110046351A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105143
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46 , H01J37/3222 , H01J37/32458 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to simplify the RF antenna structure by reducing the load in an RF part. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes: an evacuable processing chamber including a dielectric window; a substrate supporting unit, provided in the processing chamber, for mounting thereon a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a desired processing gas to the processing chamber to perform a plasma process on the target substrate; a first RF antenna, provided on the dielectric window, for generating a plasma by an inductive coupling in the processing chamber; and a first RF power supply unit for supplying an RF power to the first RF antenna.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过减少RF部件中的负载来简化RF天线结构。 构成：等离子体处理装置包括：包括电介质窗的可抽空处理室; 基板支撑单元，设置在处理室中，用于在其上安装目标基板; 处理气体供给单元，用于向所述处理室供给期望的处理气体，以在所述目标基板上进行等离子体处理; 设置在电介质窗口上的第一RF天线，用于通过处理室中的感应耦合产生等离子体; 以及用于向第一RF天线提供RF功率的第一RF电源单元。
-
公开(公告)号：KR101757922B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105166
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
-
公开(公告)号：KR101757920B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105133
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서전기적으로플로팅상태에놓이는코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로임의로제어하기때문에, 콘덴서를갖는플로팅코일(70)이 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장더 나아가서는챔버(10)내에서생성되는도넛형상의플라즈마의플라즈마밀도분포에대해소극적인작용혹은적극적인작용을얻는다.
-
公开(公告)号：KR1020160130728A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020160144583
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够通过使用简单的校正线圈来自由且精确地控制等离子体密度分布。 在电感耦合等离子体处理装置中，在RF天线54周围的电介质窗52下方的环形状中产生电感耦合等离子体，然后在大的处理空间中扩散，使得等离子体的密度在基座12周围变得均匀 （即，在半导体晶片W上），特别是在径向方向上。 RF天线54通过校正线圈70对所生成的RF磁场进行电磁场校正，并且根据预定的处理参数控制切换机构110在校正线圈70中流动的感应电流的占空比。
-
公开(公告)号：KR1020130141397A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020130068486
申请日：2013-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/509 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: The present invention installs a plasma processing unit which is separated to the rotation direction of a rotation table for each processing gas nozzle. The present invention installs a bias electrode unit in a position which is touched to the plasma processing unit through a rotation table in order not to be touched to the rotation table. The present invention is provided to apply bias voltage from a voltage applying unit to the bias electrode unit, thereby applying a non-touch bias voltage to a wafer (W) on the rotation table. [Reference numerals] (120) Bias electrode unit;(AA) Plasma generation gas;(BB) O_2 gas;(CC,DD) N_2 gas
Abstract translation: 本发明安装一个等离子体处理单元，该等离子体处理单元与每个处理气体喷嘴的旋转台的旋转方向分开。 本发明通过旋转台将偏置电极单元安装在与等离子体处理单元接触的位置，以便不与旋转台接触。 本发明提供用于将偏置电压从电压施加单元施加到偏置电极单元，从而对旋转台上的晶片（W）施加非触摸偏置电压。 （附图标记）（120）偏置电极单元;（AA）等离子体产生气体;（BB）O_2气体;（CC，DD）N_2气体
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101327671B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020100011629
申请日：2010-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67069 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67213 , H01L21/67742 , H01L21/6831
Abstract: 본 발명은 피처리 기판에 손상을 가하지 않고 피처리 기판을 제전하여 피처리 기판으로의 정전기력에 의한 파티클 부착을 방지할 수 있는 반송 챔버 및 파티클 부착 방지 방법을 제공한다. 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 기판 처리부(2)와 대기계 반송부(3) 사이에 마련되는 반송 챔버(4)는, 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버 본체(51)를 구비하고 있다. 챔버 본체(51)는 급기 시스템(52)과 배기 장치(53)에 의해 감압 환경과 대기압 환경으로 전환가능하다. 급기 시스템(52)은 챔버 본체(51)의 외측에 이온화 가스를 발생시키는 이온화 장치(60)를 구비하고 있다. 이온화 장치(60)에서 발생시킨 이온화 가스를 챔버 본체(51)에 공급하여, 챔버 본체(51)에 수용된 웨이퍼(W)를 제전한다.
-
公开(公告)号：KR1020120110060A
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020120031448
申请日：2012-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: G01K11/14 , G01K5/48 , H01L21/67248
Abstract: PURPOSE: A composition member within a process chamber of a substrate processing apparatus and a temperature measuring method thereof are provided to accurately measure temperature of a temperature measuring part based on the length difference of an optical path of two reflective lights reflected on a non-consumption face and a consumption face. CONSTITUTION: A chamber accepts a wafer(W). A susceptor(12) of circumferential shape is arranged within the chamber. A lateral part exhaust duct(13) is formed at the side of the susceptor and at an inner wall of the chamber. A exhaust plate(14) is used for as a partition plate which divides the inner wall of the chamber into a top portion and a bottom portion. A TMP(Turbo Molecular Pump) and a DP(Dry Pump) are connected to an exhaust pipe(17).
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置的处理室内的组成部件及其温度测量方法，以基于在不消耗的反射的两个反射光的光路的长度差来精确地测量温度测量部件的温度 脸和消费面。 构成：室接受晶圆（W）。 周围形状的基座（12）布置在腔室内。 侧部排气管（13）形成在基座的侧面和室的内壁处。 排气板（14）用作将室的内壁分成顶部和底部的隔板。 TMP（涡轮分子泵）和DP（干式泵）连接到排气管17。
-
公开(公告)号：KR1020110046349A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105133
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46 , H01J37/3222 , H01J37/32458 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to minutely and freely control the plasma density. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes: a processing chamber(10) including a dielectric window(52); a coil-shaped RF antenna(54); a substrate supporting unit, provided in the chamber for mounting thereon a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the chamber; and an RF power supply unit for supplying an RF power to the RF antenna to generate a plasma of the processing gas by an inductive coupling in the chamber.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以便能够精确地和自由地控制等离子体密度。 构成：等离子体处理装置包括：包括电介质窗（52）的处理室（10）; 线圈形RF天线（54）; 基板支撑单元，设置在所述室中，用于在其上安装目标基板; 处理气体供应单元，用于将处理气体供应到所述室; 以及RF电源单元，用于向RF天线提供RF功率，以通过腔室中的感应耦合产生处理气体的等离子体。
-
公开(公告)号：KR100980511B1
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020080028472
申请日：2008-03-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
CPC classification number: F04D19/042 , F04D29/701 , F05D2260/607 , Y02T50/675
Abstract: 본 발명은 구성 부품으로의 퇴적물의 부착의 억제를 확실하게 행할 수 있는 터보 분자 펌프를 제공한다.
챔버(11)로부터 퇴적물 부착 요인 가스를 배출하는 터보 분자 펌프(18)는 배기류를 따르는 회전축(36)을 갖는 로터(37)와, 이 로터(37)를 수용하는 케이스(38)와, 이 로터(37)로부터 회전축(36)에 대하여 수직으로 돌출하는 복수의 회전날개(39)와, 케이스(38)로부터 회전축(36)에 대하여 수직으로 돌출하는 복수의 정지날개(40)를 구비하고, 복수의 회전날개(39)는 복수의 회전날개군(41)으로 분할됨과 아울러, 복수의 정지날개(40)는 복수의 정지날개군(42)으로 분할되고, 각 회전날개군(41) 및 각 정지날개군(42)은 회전축(36)을 따라 번갈아 배치되고, 배기류에 관하여 최하류측에 위치하는 회전날개군(41)보다도 상류측에서 개구하는 가스 공급구(43)는 아르곤 분자를 포함하는 퇴적물 부착 억제 가스를 공급한다.-
公开(公告)号：KR1020080088465A
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：KR1020080028472
申请日：2008-03-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
CPC classification number: F04D19/042 , F04D29/701 , F05D2260/607 , Y02T50/675
Abstract: A turbo-molecular pump, a substrate processing apparatus, and a method for suppressing the attachment of depositions to a turbo-molecular pump are provided to heat a deposition-suppressing gas to high-temperature by increasing frictional heat between rotary wings and gas molecules. A rotor(37) includes a rotary shaft(36) aligned with an exhaust stream. A cylindrical body is formed to receive the rotor therein. A plurality of blade-shaped rotary wings(39) are protruded from the rotor perpendicularly with respect to the rotatory shaft. A plurality of blade-shaped stop wings(40) are protruded perpendicularly to the rotary shaft from an opposite side to the rotor. The blade-shaped rotary wings are divided into a plurality of rotary wing groups(41). The blade-shaped stop wings are divided into a plurality of stop wing groups(42). The rotary wing groups and the stop wing groups are arranged alternately along the rotary shaft. A gas supply port(43) is formed on an upstream side of the rotary wing group in the exhaust stream. The gas supply port supplies a deposition-suppressing gas including gas molecules having a large molecular weight.
Abstract translation: 提供涡轮分子泵，基板处理装置以及抑制与涡轮分子泵的沉积附着的方法，通过增加旋转翼和气体分子之间的摩擦热来将沉积抑制气体加热到高温。 转子（37）包括与排气流对准的旋转轴（36）。 形成圆筒体以在其中容纳转子。 多个叶片状旋转翼（39）相对于旋转轴垂直地从转子突出。 多个叶片形止动翼（40）从转子的相对侧垂直于旋转轴突出。 叶片形旋转翼分成多个旋翼组（41）。 叶片形止动翼分成多个挡翼组（42）。 旋翼组和止挡翼组沿旋转轴交替布置。 气体供给口（43）形成在排气流中的旋翼组的上游侧。 气体供给口提供包含具有大分子量的气体分子的沉积抑制气体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.042 seconds)
