公开(公告)号：KR101932160B1

公开(公告)日：2018-12-24

申请号：KR1020130105428

申请日：2013-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/302

Abstract: 패턴 손상 또는 하지막의 침식을 억제하면서, 기판에 부착한 파티클을 제거하는 것이다. 실시예에 따른 기판 세정 시스템은 제 1 처리부와 제 2 처리부를 구비한다. 제 1 처리부는 기판을 보지하는 제 1 보지부와, 휘발 성분을 포함하고 기판의 주면 전면에 막을 형성하기 위한 처리액을 기판으로 공급하는 제 1 공급부를 포함한다. 제 2 처리부는 기판을 보지하는 제 2 보지부와, 제 1 공급부에 의해 기판으로 공급된 처리액으로부터 휘발 성분이 휘발함으로써 기판 상에서 고화 또는 경화하여 형성된 막의 전부를 제거하는 제거액을 기판으로 공급하는 제 2 공급부를 포함한다.

公开(公告)号：KR101523348B1

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：KR1020120038571

申请日：2012-04-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베츠카사 ,  에가시라케이스케 ,  가네코미야코 ,  오리이타케히코

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6708

Abstract: 실리콘산화막에대한실리콘질화막의높은에칭선택비를달성하는기술을제공한다. 에칭방법은실리콘질화막및 실리콘산화막이표면에노출된기판으로, 실릴화제를공급하여실리콘산화막표면에실릴화막으로이루어지는보호막을형성하는공정을가지고있다. 이후, 상기기판으로에칭액을공급한다. 이에의해, 실리콘질화막만을선택적으로에칭한다.

公开(公告)号：KR1020140067893A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020130106582

申请日：2013-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728

Abstract: An objective of an embodiment is to remove particles attached to a substrate while preventing damage to a pattern and erosion of a under layer. A substrate cleaning method according to the embodiment includes a first supply process, an opposite surface treating process, and a second supply process. The first supply process supplies a treatment solution including a volatile component onto a front surface of a substrate. The opposite surface treating process processes an opposite surface of the substrate in the state where the entire front surface of the substrate is covered with a film formed by volatilizing the volatile component of the treatment solution and solidifying or curing the treatment solution. The second supply process supplies a removal solution which removes the entire film to the substrate after the opposite surface treating process.

Abstract translation: 一个实施方案的目的是去除附着到基底上的颗粒，同时防止图案的损伤和下层的侵蚀。 根据实施例的基板清洗方法包括第一供应处理，相对表面处理处理和第二供给处理。 第一供给工序将包含挥发成分的处理液供给到基板的前表面。 相反的表面处理工艺在基板的整个前表面被通过挥发处理溶液的挥发性组分而形成的膜覆盖的状态下处理基板的相对表面，并固化或固化处理溶液。 第二种供给方法提供一种去除溶液，其在相对表面处理过程之后将整个膜移除到基底上。

公开(公告)号：KR100887364B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020020071057

申请日：2002-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야타카유키 ,  오리이타케히코 ,  모리히로유키 ,  야노히로시 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: 반도체기판 상에 첨착된 레지스트막과 폴리머층을 제거하는 방법이 개시된다. 전형적인 예로 과산화수소 용액과 같은 산화제를 포함하는 제1 처리액이 기판에 공급되어 레지스트막과 폴리머층의 상태를 변화시킨다. 이후, 전형적인 예로 디메틸산화황과 아민 용매를 포함하는 제2 처리액이 기판에 공급되어 레지스트막과 폴리머층을 용해시킴으로써 기판으로부터 제거한다. 폴리머층에 포함된 증착된 구리입자들도 또한 제거될 수 있다.
반도체기판, 레지스트, 폴리머, 산화, 용해, 습식세정, 비아홀, 증착금속

Abstract translation: 公开了一种去除压印在半导体衬底上的抗蚀剂膜和聚合物层的方法。 作为典型的例子，将含有氧化剂如过氧化氢溶液的第一处理液供应到基板以改变抗蚀剂膜和聚合物层的状态。 然后，作为典型例子，将包含草酸二甲酯和胺溶剂的第二处理液供给至基板，以通过溶解抗蚀剂膜和聚合物层从基板去除抗蚀剂膜和聚合物层。 包含在聚合物层中的沉积铜颗粒也可以被去除。

公开(公告)号：KR1020020062703A

公开(公告)日：2002-07-29

申请号：KR1020020003783

申请日：2002-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오리이타케히코

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to smoothly load and unload a substrate and improve cleaning efficiency. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid fed to the substrate comprises: a holding member for holding the substrate; and a lower side member which is movable relatively with respect to an undersurface of the substrate held by the holding member between a processing position near the undersurface of the substrate and a retreat position remote from the undersurface of the substrate, the processing liquid being fed to a space between an upper surface of the lower side member moved to the processing position and the undersurface of the substrate held by the holding member to process the undersurface of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和基板处理方法，以顺利地对基板进行加载和卸载，并提高清洁效率。 构成：用于处理衬底的衬底处理设备，其中处理液体被馈送到衬底包括：用于保持衬底的保持构件; 以及下侧构件，其相对于由所述保持构件保持的所述基板的下表面在所述基板的下表面附近的处理位置与远离所述基板的下表面的退避位置相对移动，所述处理液体被供给到 移动到处理位置的下侧构件的上表面与由保持构件保持的衬底的下表面之间的空间，以处理衬底的下表面。

公开(公告)号：KR101971098B1

公开(公告)日：2019-04-22

申请号：KR1020180058989

申请日：2018-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  시무라사토루 ,  야마시타마사미 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101523351B1

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：KR1020120007269

申请日：2012-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  오리이타케히코

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/6708

Abstract: 에칭속도가크고, 실리콘산화물에대한실리콘질화물의에칭선택비가높은액처리방법, 액처리장치및 상기방법을기억한기억매체를제공한다. 실리콘질화물과실리콘산화물이노출된기판을에칭용액에의해에칭함에있어서, 불소이온원과물과비점조절제를혼합하여에칭용액을조제하고, 이에칭용액에의해상기기판을에칭할때에실리콘질화물의에칭속도가 100 Å/분이상이되고, 실리콘산화물의에칭속도에대한실리콘질화물의에칭속도의비가 75 이상이되도록, 당해에칭용액의온도를미리설정한시간동안 140℃이상의온도로유지한다음, 당해에칭용액에의해상기기판을에칭한다.

公开(公告)号：KR1020150055590A

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020140157077

申请日：2014-11-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  타노우치케이지 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루 ,  아이바라메이토쿠 ,  다나카사토루

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 기판의표면에영향을주지않고, 기판에부착한입자직경이작은불요물을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정방법은, 성막처리액공급공정과, 박리처리액공급공정과, 용해처리액공급공정을포함한다. 성막처리액공급공정은, 휘발성분을포함하고기판상에막을형성하기위한성막처리액을기판에공급한다. 박리처리액공급공정은, 휘발성분이휘발함으로써성막처리액이기판상에서고화또는경화되어이루어지는처리막에대하여, 처리막을기판으로부터박리시키는박리처리액을공급한다. 용해처리액공급공정은, 박리처리액공급공정후, 처리막에대하여처리막을용해시키는용해처리액을공급한다.

Abstract translation: 本发明的目的是除去具有小粒径的不需要的材料，并且附着在基板上而不影响基板的表面。 根据本发明实施方案的基材清洗方法包括成膜溶液供应过程，剥离溶液供应过程和熔融溶液供应过程。 成膜溶液供给工序提供具有挥发性成分的成膜溶液，在基板上形成膜。 汽提溶液供应过程提供一种汽提溶液，用于去除在基材上形成的工艺膜，使其随着挥发成分蒸发而使成膜溶液凝固或固化。 熔解液供给工序在剥离溶液供给工序之后，提供熔融溶液，使其处理膜熔融。

公开(公告)号：KR1020140019741A

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020130090350

申请日：2013-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  시무라사토루 ,  야마시타마사미 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728

Abstract: The present invention is to remove particles attached to a substrate while preventing the erosion of an underlayer or pattern damage. According to the embodiment, a substrate cleaning device comprises a first solution supply part and a second solution supply part. The first solution supply part supplies a process solution for forming a layer on the substrate and including a volatile component to the substrate. The second solution supply part supplies a removal solution for removing all process solution including a solidified or a harden process solution supplied by the first solution supply part from the substrate. [Reference numerals] (9) Decompression device

Abstract translation: 本发明是为了除去附着在基材上的颗粒，同时防止底层或图案损伤的侵蚀。 根据实施例，基板清洗装置包括第一溶液供给部和第二溶液供给部。 第一溶液供应部件提供用于在基板上形成层并且包含挥发性组分的工艺解决方案。 第二溶液供应部件提供去除溶液，用于从基材除去包括由第一溶液供应部分提供的固化或硬化工艺溶液的所有工艺溶液。 （附图标记）（9）减压装置

公开(公告)号：KR101123705B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020090023061

申请日：2009-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라켄이치 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  토시마타카유키 ,  오리이타케히코

IPC: C23C18/54 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288

Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께를 가지는 도금 처리막을 형성하는 것이다. 이 반도체 장치의 제조 장치는, 기판을 회전 가능하게 유지하는 유지 기구와, 기판 상의 피처리면에 도금 처리를 실시하기 위한 처리액을 공급하는 노즐과, 유지 기구에 유지된 기판을 피처리면에 따른 방향으로 회전시키는 기판 회전 기구와, 유지 기구에 유지된 기판 상의 피처리면과 대향하는 위치에서, 노즐을 피처리면에 따른 방향으로 이동시키는 노즐 이동 기구와, 노즐에 의한 처리액의 공급 및 노즐 이동 기구에 의한 노즐의 이동 동작을 제어하는 제어부를 구비한다.

Abstract translation: 由此在衬底表面上形成具有均匀膜厚度的镀膜。 该半导体装置的制造装置包括：保持机构，其用于可旋转地保持基板;喷嘴，其用于供给用于对基板的表面进行电镀处理的处理液;基板，其被保持机构保持; 一种喷嘴移动机构，用于在由保持机构保持的基板上的与待处理表面相对的位置处沿着待处理表面的方向移动喷嘴; 以及用于控制喷嘴的喷嘴移动的控制单元。