公开(公告)号：KR1020110113024A

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020100032337

申请日：2010-04-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L27/1214

Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘막의 결정화 방법, 그리고 이를 적용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 결정화 방법은, 비정질 실리콘막을 형성하는 단계, 비정질 실리콘막 위에 서로 이격되도록 결정화 촉매 입자들을 위치시키는 단계, 비정질 실리콘막에서 결정화 촉매 입자들을 선택적으로 제거하는 단계 및 비정질 실리콘막을 열처리에 의해 결정화하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110107189A

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：KR1020100026403

申请日：2010-03-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  이탁영 ,  박종력 ,  정재완

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L51/0081 ,  H01L29/458 ,  H01L27/1214 ,  H01L51/105

Abstract: 본 발명의 일 실시예는 이온 도핑 공정없이도 제조할 수 있는 박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이의 제조 방법, 및 상기 박막 트랜지스터를 갖는 기판을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1020110103736A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：KR1020100022944

申请日：2010-03-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이탁영 ,  박병건 ,  정윤모 ,  박종력 ,  이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696

Abstract: 온전류의 크기를 유지하면서 누설전류를 줄일 수 있는 박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 기판; 양끝단의 소스 영역 및 드레인 영역, 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역에 인접한 저농도 도핑영역, 적어도 둘 이상의 채널영역, 상기 채널영역 사이의 고농도 도핑영역을 포함하는 상기 기판 위의 활성층; 상기 활성층 위의 게이트 절연막; 적어도 둘 이상의 개별 게이트 전극을 포함하고, 상기 개별 게이트 전극 아래에 채널영역이 위치하고, 최외각의 상기 개별 게이트 전극의 바깥쪽으로 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역이 위치한 상기 게이트 절연막 위의 다중 게이트 전극; 상기 다중 게이트 전극 위의 제1 층간 절연막; 및 상기 제1 층간 절연막을 관통하여 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110057465A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020090113887

申请日：2009-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3438

Abstract: PURPOSE: A sputtering device for depositing a metal catalyst is provided to improve the uniformity of metal catalyst of the extreme low density on a substrate by minimizing the deposition of metal catalyst discharged from a metal target in a pre-sputtering process. CONSTITUTION: A metal target(120) is located in a process chamber(110). A target transfer unit(130) includes a first shield(150) to control the progressing direction of a metal catalyst discharged from the metal target. A substrate holder(140) faces the metal target. The difference between the length of the first shield and the distance between the substrate and the metal target is 3 cm or less.

Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积金属催化剂的溅射装置，通过在预溅射过程中使从金属靶排出的金属催化剂的沉积最小化来改善金属催化剂在基板上的极低密度的均匀性。 构成：金属靶（120）位于处理室（110）中。 目标传送单元（130）包括用于控制从金属靶排出的金属催化剂的前进方向的第一屏蔽（150）。 衬底保持器（140）面向金属靶。 第一屏蔽的长度与基板与金属靶之间的距离之差为3cm以下。

公开(公告)号：KR1020110053041A

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：KR1020090109837

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  최준후 ,  정민재 ,  박승규 ,  이길원 ,  정재완 ,  이동현 ,  소병수 ,  구현우 ,  마이단축이반 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  장석락

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/32051

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, an organic electroluminescent display device including the same and manufacturing methods thereof are provided to improve the property of a semiconductor layer by controlling metal silicide due to metal catalyst. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes one or more channel regions and a source/drain region on a buffer layer. A gate insulation layer is located on the substrate. A gate electrode(150) is located on the gate insulation layer. An interlayer insulation layer(160) is located on the substrate. Source and drain electrodes(170a,170b) are located on the interlayer insulation layer and are electrically connected to the semiconductor layer. A polycrystalline silicon layer of the channel region of the semiconductor layer includes only the low angle grain boundary. A high angle grain boundary is located on the region except the channel region of the semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，包括该薄膜晶体管的有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过控制由于金属催化剂引起的金属硅化物来改善半导体层的性能。 构成：半导体层包括缓冲层上的一个或多个沟道区和源极/漏极区。 栅极绝缘层位于衬底上。 栅电极（150）位于栅极绝缘层上。 层间绝缘层（160）位于基板上。 源电极和漏电极（170a，170b）位于层间绝缘层上并与半导体层电连接。 半导体层的沟道区域的多晶硅层仅包含低角度晶界。 高角度晶界位于半导体层的沟道区域以外的区域。

公开(公告)号：KR1020110039920A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020090096978

申请日：2009-10-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34

Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to uniformly deposit metallic catalyst of very low density on a substrate by reducing the unevenness of a metallic catalyst which is deposited at the edge of the substrate. CONSTITUTION: In a sputtering apparatus, a metal target(120) is arranged in a reaction chamber. The area of the metal target is at least 1.3 times larger than that of the substrate mounted in a substrate holder. A substrate holder(130) is arranged to be faced with the metal target. A vacuum pump(140) is connected to the exhaust pipe of the reaction chamber. A first shield(160) controls the progressive direction of the metallic catalyst discharged from the metal target.

Abstract translation: 目的：提供一种溅射装置，通过减少沉积在基板边缘的金属催化剂的不均匀性，在基板上均匀沉积非常低密度的金属催化剂。 构成：在溅射装置中，金属靶（120）布置在反应室中。 金属靶的面积比安装在衬底保持器中的衬底的面积大至少1.3倍。 衬底保持器（130）布置成面对金属靶。 真空泵（140）连接到反应室的排气管。 第一屏蔽（160）控制从金属靶排出的金属催化剂的行进方向。