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公开(公告)号：KR101295670B1
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020090122962
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L41/1138 , B60C23/0411 , H01L41/1136 , H02N2/186
Abstract: 본 발명은 자동차의 타이어 내부 공기압의 변화 등의 타이어 내부 환경을 모니터링 하는 TPMS(Tire pressure monitoring systems) 장치의 무선 센서망 시스템에 응용될 소형 압전기 발생 장치를 고안한 것으로 특히, 자동차의 타이어 압력 모니터링 시스템(TPMS)의 타이어 내부의 공기압 변화와 온도, 가속도 센서가 탑재된 시스템 운용 시, 전원을 기존의 배터리를 대신하여 공급할 수 있는 TPMS용 소형 전원 발생 장치를 고안한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 압전 발전기는 외부에 전력을 전달하는 전극이 형성된 기판, 기판 위에 형성된 금속판, 및 금속판 위에 마련되어 압전에 의해 생성된 전력을 전극으로 전달하는 압전체를 포함한다.
미세기전집적시스템(MEMS), 압전 발전기, TPMS-
公开(公告)号：KR1020130066071A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110132746
申请日：2011-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B1/005 , G02B1/02 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A photochromic photonic crystal structure and a manufacturing method of the same are provided to improve a photochromic property using an asymmetrical monomer. CONSTITUTION: A monomer includes a second layer greater than a first layer and a fourth layer that is greater than a third layer. The second and fourth layers include a horizontal unit extended to a horizontal direction. An asymmetrical monomer is repeatedly arranged on the substrate leaving a fixed gap to a first direction which is a horizontal direction of the substrate and is stacked to a second direction which is perpendicular to the first direction.
Abstract translation: 目的：提供光致变色光子晶体结构及其制造方法，以提高使用不对称单体的光致变色性能。 构成：单体包括大于第一层的第二层和大于第三层的第四层。 第二层和第四层包括向水平方向延伸的水平单元。 不对称单体重复地布置在基板上，留下与基板的水平方向相对的第一方向的固定间隙，并且与第一方向垂直的第二方向堆叠。
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公开(公告)号：KR1020130031776A
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020120077726
申请日：2012-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/66462
Abstract: PURPOSE: A power semiconductor device and a fabrication method thereof are provided to increase the break down voltage. CONSTITUTION: A source electrode(303) and a drain electrode(305) are formed on a substrate(301). A dielectric layer(307) is formed between the source electrode and the drain electrode. A field plate(311) is formed on the dielectric layer. A metal connects the field plate to the source electrode.
Abstract translation: 目的：提供功率半导体器件及其制造方法以增加击穿电压。 构成：在基板（301）上形成源电极（303）和漏电极（305）。 在源电极和漏电极之间形成电介质层（307）。 在电介质层上形成场板（311）。 金属将场板连接到源电极。
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公开(公告)号：KR1020120070040A
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：KR1020100131434
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L41/29 , H01L41/1136 , H01L41/31 , H01L41/316 , H01L41/317 , H01L41/318 , H02N2/188 , Y10T29/42 , H02N2/00 , H01L41/04 , H02N2/18
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric micro energy harvester and a manufacturing method thereof are provided to generate power by converting mechanical energy into electric energy. CONSTITUTION: A plurality of cavities(116) are formed in one region of a substrate(101) with preset depth and width. A plurality of support units support structures formed on the substrate. A plurality of electrode pads(Ec,Es) transmit a signal to the outside. A plurality of electrode units(114) collect electric energy generated by a piezoelectric layer(130) and includes a central electrode unit(114a) and a lateral electrode unit(114b).
Abstract translation: 目的：提供一种压电微能量收割机及其制造方法，通过将机械能转化成电能来发电。 构成：多个空腔（116）形成在具有预设深度和宽度的基板（101）的一个区域中。 多个支撑单元支撑形成在基板上的结构。 多个电极焊盘（Ec，Es）将信号发送到外部。 多个电极单元（114）收集由压电层（130）产生的电能，并且包括中心电极单元（114a）和横向电极单元（114b）。
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公开(公告)号：KR1020120068343A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020100129929
申请日：2010-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02N2/04
CPC classification number: H02N2/183 , B60C23/0411 , H01L41/1136
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric power generator and a wireless sensor network system including the same are provided to have different resonance points from each other by providing a piezoelectric power generation device which includes a metal plate in which a mass with different weight is fixed. CONSTITUTION: A piezoelectric power generation device(100) comprises a metal plate(110) of a cantilever structure which provides a function such as a torsion bar, a substrate(120) which supports the metal plate, a jig(130) which fixes the substrate, and etc. The metal plate, the substrate, and the jig are aligned to each other. The metal plate, the substrate, and the jig are combined using a fixing screw(150). A frequency of the piezoelectric power generation device is changed by controlling a tightening degree of the fixing screw.
Abstract translation: 目的：提供一种压电发电机和包括该压电发电机的无线传感器网络系统以通过提供一种压电发电装置来实现彼此不同的共振点，所述压电发电装置包括固定有不同重量的质量的金属板。 构成：压电发电装置（100）包括悬臂结构的金属板（110），其提供诸如扭杆的功能，支撑金属板的基板（120），夹具（130） 基板等。金属板，基板和夹具彼此对准。 使用固定螺钉（150）将金属板，基板和夹具组合。 通过控制固定螺钉的紧固度来改变压电发电装置的频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100063618A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090028248
申请日：2009-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity MEMS type z-axis vibration sensor and a manufacturing method thereof are provided to apply to a seismometer detecting a low frequency of a seismic wave with very little vibration quantity and low vibration speed. CONSTITUTION: A manufacturing method of a high-sensitivity mems type z-axis vibration sensor is as follows. After preparing a SOI substrate, The top silicon layer(130a) of the SOI substrate to be used as a bottom electrode is doped. A poly silicon layer(170a) to be used as a center ground electrode and an oxide film of a predetermined thickness are formed at the top of the doped top silicon layer. The poly silicon layer is doped. A sacrifice layer oxidation film(147a) of a predetermined thickness and a top electrode(190) are formed at the top of the doped poly silicon layer. An etching process is continuously performed from the silicon wafer(110) of the bottom of the SOI substrate to isolate the area to be further connected to center of mass of a center ground electrode from the doped top silicon layer. By etching the sacrifice layer oxidation film and the oxide film through the top of the top electrode, the doped poly silicon layer forms a vibration space capable of vibrating in the Z-axis direction.
Abstract translation: 目的：提供一种高灵敏度的MEMS型z轴振动传感器及其制造方法，以应用于以非常小的振动量和低振动速度检测地震波的低频的地震仪。 构成：高灵敏度mems型z轴振动传感器的制造方法如下。 在准备SOI衬底之后，掺杂用作底部电极的SOI衬底的顶部硅层（130a）。 在掺杂的顶部硅层的顶部形成用作中心接地电极的多晶硅层（170a）和预定厚度的氧化物膜。 多晶硅层被掺杂。 在掺杂多晶硅层的顶部形成预定厚度的牺牲层氧化膜（147a）和顶部电极（190）。 从SOI衬底的底部的硅晶片（110）连续地进行蚀刻处理，以将与中心接地电极的质心相连接的区域与掺杂的顶部硅层隔离。 通过蚀刻牺牲层氧化膜和氧化膜通过顶部电极的顶部，掺杂的多晶硅层形成能够在Z轴方向振动的振动空间。
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公开(公告)号：KR1020090061865A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070128848
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: A semiconductor gas sensor device and method for fabricating the same are provided to improve the thermal endurance of the elements for ubiquitous sensor network. The semiconductor gas sensor device(100) comprises a substrate(101), and a silicon heater and a gas sensor(500). The substrate has the oxide film and cavity. The oxide film is arranged between upper silicon layers(103a, 103b) and lower silicon bulk. The cavity is positioned in the lower silicon bulk and exposes the upper silicon layer. The silicon heater is comprised of the upper silicon layer. The gas sensor is arranged on the silicon heater. The method of manufacturing the semiconductor gas sensor device is performed in order to form the silicon heater and the gas sensor on the substrate.
Abstract translation: 提供半导体气体传感器装置及其制造方法，以提高无处不在传感器网络的元件的耐热性。 半导体气体传感器装置（100）包括基板（101）和硅加热器和气体传感器（500）。 基板具有氧化膜和空腔。 氧化膜设置在上硅层（103a，103b）和下硅体之间。 空腔位于较低的硅体中并暴露上硅层。 硅加热器由上硅层组成。 气体传感器布置在硅加热器上。 为了在基板上形成硅加热器和气体传感器，进行制造半导体气体传感器装置的方法。
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公开(公告)号：KR1020080051716A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060123293
申请日：2006-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81C2201/0133 , B81C2201/0136
Abstract: A method for manufacturing a floating structure of a micro-electrochemical integrated system is provided to selectively etch a thick oxidation film by forming a micro-channel at high etching speed by isotropically etching a sacrificial layer. A method for manufacturing a floating structure of a micro-electrochemical integrated system includes the steps of: forming a sacrificial layer including a thin-film pattern(102A) with impurities doped on a substrate(100); forming a support film on the sacrificial layer; forming a structure to be floated on the support film through post processes; forming an etching hole(115) for exposing both sides of the thin-film pattern; and forming an air gap between the support film and the substrate by removing the sacrificial layer via the etching hole.
Abstract translation: 提供了一种用于制造微电化学集成系统的浮动结构的方法，以通过各向同性蚀刻牺牲层以高蚀刻速度形成微通道来选择性地蚀刻厚氧化膜。 一种用于制造微电化学集成系统的浮动结构的方法包括以下步骤：形成包括掺杂在衬底（100）上的杂质的薄膜图案（102A）的牺牲层; 在牺牲层上形成支撑膜; 通过后处理形成浮在支撑膜上的结构; 形成用于暴露薄膜图案的两侧的蚀刻孔（115）; 以及通过经由所述蚀刻孔去除所述牺牲层，在所述支撑膜和所述基板之间形成气隙。
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公开(公告)号：KR100825717B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060036355
申请日：2006-04-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 가스 검출용 센서 및 그를 포함하는 전자 후각 시스템을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 검출용 센서는 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부; 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 센싱 저항 값과 매칭되는 기준 저항 값을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및 상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함하고, 상기 센싱부, 저항 매칭부 및 저항차 검출부는 일체형으로 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 초기 센서 출력 값을 저항 매칭 블록을 통해 자동으로 초기화(출력값 = 0)하여, 센서의 가스 반응에 대한 정확한 출력값을 나타내고, 시스템을 안정화 시켜, on-chip 프로세스에 의해 외부 노이즈에 대한 강인함을 가질 수 있다.
전자 후각, 가스 검출, 센서, 가변 저항, 일체형-
公开(公告)号：KR1020050065491A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020050048107
申请日：2005-06-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: F28D15/02
CPC classification number: F28D15/04 , F28D2015/0225 , F28F2260/02
Abstract: 본 발명의 일 예에 의한 미세 히트 파이프는 인발 공정을 이용하여 제작되고, 다각 구조의 단면을 갖는 파이프로 이루어지고, 상기 다각 구조를 구성하는 각 면이 곡면으로 이루어지고, 상기 파이프의 내면과 외면은 동일한 곡면 형상을 갖고, 상기 파이프 내부의 각 모서리부에서 발생되는 모세관력에 의해 액상의 작동 유체가 유동하도록 구성된다. 또한, 본 발명의 다른 예에 의한 미세 히트 파이프는 압출 공정을 이용하여 제작된 금속판으로 구성되고, 상기 금속판의 내부에는 다각 구조의 단면을 갖는 다수의 관통공들이 형성되어 있고, 상기 각 관통공 내부의 모서리부에서 발생되는 모세관력에 의해 액상의 작동 유체가 유동하도록 구성된다. 이상과 같은 본 발명에 따른 미세 히트 파이프는 간단한 인발 또는 압출 공정으로 제조되면서도 파이프 자체의 구조 변형을 통해 띄어난 모세관력을 얻을 수 있고, 이에 따라 띄어난 냉각 효과를 얻을 수 있다.
Abstract translation: 目的：提供一种使用突出和拉伸工艺具有多边形结构部分的微型热管，以获得适用于小型和薄型结构的电子设备的微型热管。 构成：通过拉丝工艺制造微型热管。 微型热管包括具有多边形结构部分的管。 构成多边形结构的每个面形成为平面或曲面。 液体致动流体通过从管道内部的每个边缘（101）产生的毛细管力流动。 构成多边形结构的每个面（100）中的一个是平面。 管道的一部分是三角形或正方形。 该微型热管通过简单的拉伸加工和挤压加工制造，通过改变管的结构来确保优异的毛细管力。 因此，获得了优异的冷却效果。
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