公开(公告)号：KR1020150092991A

公开(公告)日：2015-08-17

申请号：KR1020140013696

申请日：2014-02-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 위재형 ,  조대형 ,  이우정 ,  한원석 ,  정용덕

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: 본 발명은 태양전지를 개시한다. 태양전지는, 기판 상의 하부 전극 층과, 상기 하부 전극 층 상에 배치되고 제 1 에너지 밴드 갭을 갖는 광 흡수 층과, 상기 광 흡수 층 상에 배치되고 상기 제 1 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 전극 층과, 상기 상부 전극 층과 상기 광 흡수 층 사이에 배치된 버퍼 층을 포함한다. 여기서, 상기 버퍼 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 제 2 에너지 밴드 갭 사이에서 연속적으로 변화되는 가변 에너지 밴드 갭을 갖는 ZnO
1
-
x S
x 를 포함하고, 상기 x의 값은 0.15 내지 0.9일 수 있다.

Abstract translation: 在本发明中，公开了一种太阳能电池。 太阳能电池包括设置在基板上的下电极层; 光吸收层，其设置在下电极层上，具有第一能带隙; 布置在所述光吸收层上并具有比所述第一能带隙高的第二能带隙的上电极层; 以及布置在上电极层和光吸收层之间的缓冲层。 这里，缓冲层包括在第一能带隙和第二能带间隙之间连续变化的可变能带隙的ZnO_（1-x）S_x，其中x的值为0.15〜0.9。

公开(公告)号：KR101426821B1

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：KR1020100108880

申请日：2010-11-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정용덕 ,  한원석

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 단일접합을 사용하여 제작된 CIGS 광흡수층을 포함하는 단일접합 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 위에 증착된 후면전극; 상기 후면전극 위에 증착되고, P형 CIGS층과 N형 CIGS층을 단일접합시켜 제작된 광흡수층; 및 상기 광흡수층 위에 증착된 반사방지막을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101358300B1

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020090125467

申请日：2009-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박래만 ,  주철원 ,  조대형 ,  정용덕 ,  배성범 ,  한원석 ,  이규석 ,  김제하

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 CIGS 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 그의 방법은 다수개의 돌기들이 노출되는 버퍼층을 형성한다. 이후, 버퍼층의 다수개의 돌기를 따라 울퉁불퉁하게 굴곡되는 상부표면을 갖는 윈도우 전극층을 형성한다. 따라서, 윈도우 전극층의 상부표면을 거칠게 가공하기 위한 별도의 가공처리를 요구하지 않기 때문에 생산성을 향상할 수 있다.
버퍼층, 돌기, 난반사, 윈도우(window), 전극

公开(公告)号：KR100759808B1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：KR1020060027972

申请日：2006-03-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  박미란 ,  한원석 ,  송현우

IPC: H01L21/306 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01L21/30621 ,  H01S5/183 ,  H01S5/2081

Abstract: III-V족 반도체 다층구조의 식각 방법 및 이를 이용한 수직공진형 표면방출 레이저 제조 방법에 관하여 개시한다. III-V족 반도체로 구성되는 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층과는 다른 성분의 III-V족 반도체로 구성되는 제2 반도체층을 포함하는 적층 구조를 Cl
2 , Ar, CH
4 및 H
2 로 이루어지는 혼합 가스의 플라즈마에 노출시켜 식각함으로서 수직공진형 표면방출 레이저의 거울층을 형성한다. 표면방출 레이저를 구성하는 하부 거울층, 하부 전극층, 광학 이득층, 상부 전극층 및 상부 거울층중 적어도 일부를 1회의 식각 공정을 통해 식각하여 깨끗하고 원활한 식각면을 가지는 소자를 얻는 것이 가능하다.
표면방출레이저, III-V족 반도체, 다층 구조, 건식 식각, Cl2, CH4, H2, Ar

公开(公告)号：KR100698015B1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：KR1020050047353

申请日：2005-06-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍성의 ,  김진수 ,  이진홍 ,  곽호상 ,  한원석 ,  오대곤 ,  이철욱

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 상기 기판상에 성장시키기 위해, 상기 제1 장벽층을 성장시키는 성장온도로 상기 제1 장벽층을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점의 일부 또는 전부와 접촉하여 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 및 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리

公开(公告)号：KR1020060059780A

公开(公告)日：2006-06-02

申请号：KR1020050047353

申请日：2005-06-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍성의 ,  김진수 ,  이진홍 ,  곽호상 ,  한원석 ,  오대곤 ,  이철욱

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/3202 ,  H01L33/06 ,  H01S5/2009 ,  H01S2304/02

Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 성장시키는 성장 온도에서 상기 기판 상에 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점과 적어도 부분적으로 접촉하며 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리

公开(公告)号：KR100460839B1

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：KR1020020002534

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균 ,  주영구 ,  신재헌

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A multi-channel long wavelength VCSEL array and a fabricating method thereof are provided to form constantly an interval of a laser oscillation wavelength by controlling a resonant interval. CONSTITUTION: A multi-channel long wavelength VCSEL array includes a semiconductor substrate(10), a bottom mirror(20), an active region(30), a current limit layer(40), a superlattice control layer(50), and a top mirror(60). The bottom mirror is formed on the semiconductor substrate. The active region is formed on the bottom mirror. The current limit layer is formed on the active region in order to limit efficiently the current and enhance the efficiency of the heat transfer. The superlattice control layer is formed on the current limit layer in order to control an interval of laser oscillation wavelength. The top mirror is formed on the superlattice control layer.

Abstract translation: 目的：提供多通道长波长VCSEL阵列及其制造方法，以通过控制谐振间隔恒定地形成激光振荡波长的间隔。 一种多通道长波长VCSEL阵列，包括半导体衬底（10），底部反射镜（20），有源区（30），限流层（40），超晶格控制层（50）和 顶部镜子（60）。 底部反射镜形成在半导体衬底上。 有源区形成在底部反射镜上。 电流限制层形成在有源区域上，以便有效地限制电流并提高传热效率。 在限流层上形成超晶格控制层，以控制激光振荡波长的间隔。 顶部镜子形成在超晶格控制层上。

公开(公告)号：KR1020040041732A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020069588

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  신재헌 ,  한원석 ,  송현우 ,  김종희 ,  한일영

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18305 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/125

Abstract: PURPOSE: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) and a method for manufacturing the same are provided to improve the current confinement structure by introducing a tunnel junction layer, a low energy ion injection and a heat spreading layer. CONSTITUTION: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) includes a laser active layer(30) and a current confinement structure(C). The current confinement structure(C) is provided with a barrier layer(40), a tunnel junction layer(50), a heat spread layer(60) and an electric insulation layer(70). The barrier layer(40) is formed on the laser active layer(30). The tunnel junction layer(50) is formed on the barrier layer(40) with stacking p-type and n-type materials alternatively. The heat spread layer(60) is formed on the tunnel junction layer(50). And, the electric insulation layer(70) is formed by using a low energy ion implantation method to electrically insulate the tunnel junction layer(50).

Abstract translation: 目的：提供长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）及其制造方法，以通过引入隧道结层，低能离子注入和散热层来改善电流限制结构。 构成：长波长垂直腔表面发射激光器（VCSEL）包括激光有源层（30）和电流限制结构（C）。 电流限制结构（C）设置有阻挡层（40），隧道结层（50），散热层（60）和电绝缘层（70）。 阻挡层（40）形成在激光活性层（30）上。 交替地堆叠p型和n型材料，在势垒层（40）上形成隧道结层（50）。 扩散层（60）形成在隧道结层（50）上。 并且，通过使用低能离子注入方法来形成电绝缘层（70）以使隧道结层（50）电绝缘。

公开(公告)号：KR1020040041730A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020069586

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  권오균 ,  한원석 ,  박상희 ,  김종희 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/176

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical device provided with a current confined structure is provided to secure the reliability by reducing the leakage current at the etched surface with filling an oxide layer or a nitride layer. CONSTITUTION: A semiconductor optical device provided with a current confined structure includes a semiconductor substrate(10), a first semiconductor layer(12), a second semiconductor layer(14), a third semiconductor layer(16). The first semiconductor layer(12) is formed on the semiconductor substrate(10) and made of at least one first conductive type of material. The second semiconductor layer(14) is formed on the first semiconductor layer(12) and is made of at least one material. The third semiconductor layer(16) is formed on the second semiconductor layer(16) and is made of at least one second conductive type of material which is opposite to the first conductive type. The first to third semiconductor layers(12,14,16) form the mesa structure, the side surface of at least one material layer constituting the first to third semiconductor layers(12,14,16) is recessed and the recessed portion is filled with oxide layer or a nitride layer, partially or totally.

Abstract translation: 目的：提供一种具有电流限制结构的半导体光学器件，以通过减少在蚀刻表面处的填充氧化物层或氮化物层的漏电流来确保可靠性。 构成：设置有电流限制结构的半导体光学器件包括半导体衬底（10），第一半导体层（12），第二半导体层（14），第三半导体层（16）。 第一半导体层（12）形成在半导体衬底（10）上并由至少一种第一导电类型的材料制成。 第二半导体层（14）形成在第一半导体层（12）上并且由至少一种材料制成。 第三半导体层（16）形成在第二半导体层（16）上并且由与第一导电类型相反的至少一种第二导电类型的材料制成。 第一至第三半导体层（12,14,16）形成台面结构，构成第一至第三半导体层（12,14,16）的至少一个材料层的侧表面是凹进的，并且凹陷部分填充有 氧化物层或氮化物层，部分或全部。

公开(公告)号：KR1020030074937A

公开(公告)日：2003-09-22

申请号：KR1020020013936

申请日：2002-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종희 ,  노정래 ,  신재헌 ,  권오균 ,  한원석 ,  주영구 ,  유병수

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an intracavity-contacted VCSEL including selective upper mirror layer growth is provided to simplify a heat emission path and a current injection path by using a selective region growth method. CONSTITUTION: A lower mirror layer(200), a laser resonance layer(300), a current injection hole forming layer, and an intracavity-contacted layer are sequentially grown on a substrate(100). An intracavity-contacted layer pattern(500) is formed by wet-etching the current injection hole forming layer. A mask pattern(600) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). An upper mirror layer(250) is formed on an upper surface of the intracavity-contacted layer pattern(500). The first electrode(700) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). The second electrode(750) is formed on a back surface of the substrate(100).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括选择性上镜层生长的腔内接触VCSEL的方法，以通过使用选择性区域生长方法简化热发射路径和电流注入路径。 构成：在基板（100）上依次生长下镜面（200），激光谐振层（300），电流注入孔形成层和腔内接触层。 通过湿蚀刻电流注入孔形成层形成腔内接触层图案（500）。 在腔内接触层图案（500）上形成掩模图案（600）。 在腔内接触层图案（500）的上表面上形成上镜层（250）。 第一电极（700）形成在腔内接触层图案（500）上。 第二电极（750）形成在基板（100）的背面上。