中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

49 records (took 0.033 seconds)

    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    22.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102015101143A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：DE102015101143

    申请日：2015-01-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L33/50 ,  H01L21/78 ,  H01L33/54

    Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (5) aussendet, angegeben. Das Halbleiterbauelement umfasst außerdem eine erste Konversionsschicht (11) auf einer Seitenflanke (6) des Halbleiterchips (1), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, und eine zweite Konversionsschicht (12) auf der Strahlungsaustrittsfläche (5) des Halbleiterchips (1), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung des zweiten oder eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Die erste Konversionsschicht (11) ist hierbei von der zweiten Konversionsschicht (12) verschieden. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelements angegeben.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    23.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102013106689A1

    公开(公告)日：2014-12-31

    申请号：DE102013106689

    申请日：2013-06-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  MÖNCH WOLFGANG ,  LINKOV ALEXANDER

    IPC: H01L33/58 ,  H01L33/54

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Vergusskörper (4). Mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) ist zur Strahlungserzeugung eingerichtet und befindet sich in einer Ausnehmung (43) des Vergusskörpers (4). Der Halbleiterchip (3) weist eine Strahlungshauptseite (30) mit einer Kantenlänge (L) auf. Mindestens eine Optikplatte (5), die die Ausnehmung (43) abdeckt, ist dem Halbleiterchip (1) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) nachgeordnet. Die Optikplatte (5) weist an einer dem Halbleiterchip (1) abgewandten Oberseite (50) eine Vielzahl von Strukturelementen (55) auf. Die Optikplatte (5) weist einen Durchmesser (D) auf, der mindestens ein 1,5-Faches der Kantenlänge (L) beträgt. Eine Dicke (H) der Optikplatte (5) liegt bei mindestens dem 0,1-Fachen und höchstens dem 1,5-Fachen des Durchmessers (D). Es überdeckt die Optikplatte (5) die Strahlungshauptseite (30) vollständig.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    24.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102013101532A1

    公开(公告)日：2014-08-21

    申请号：DE102013101532

    申请日：2013-02-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG ,  MÖNCH WOLFGANG ,  LINKOV ALEXANDER

    IPC: F21V11/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

    Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen oder mehrere Leuchtdiodenchips (2). Der Leuschtdiodenchip (2) weist eine Strahlungshauptseite (20) auf. Eine Blende (3) weist zumindest eine relativ zu dem Leuchtdiodenchip (2) bewegliche Komponente auf. Die Blende (3) ist entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) der Strahlungshauptseite (20) nachgeordnet. Die Blende (3) ist an oder in einem Bauteilgehäuse (4) angebracht. Es weist die Strahlungshauptseite (20) eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm auf. Durch ein Bewegen der zumindest einen Komponente lässt sich die Blende (3) von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig schalten. Es umfasst die Blende (3) genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission. Das Halbleiterbauteil (1) ist ferner ein Blitzlicht für ein mobiles Bildaufzeichnungsgerät.

    Messung der Lichtstrahlung von Leuchtdioden
    25.
    发明专利
    Messung der Lichtstrahlung von Leuchtdioden 未知

    公开(公告)号：DE102012215092A1

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：DE102012215092

    申请日：2012-08-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPECHT HOLGER ,  LINKOV ALEXANDER ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  KATZ SIMEON

    IPC: G01J1/02 ,  H01L21/66

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300). Bei dem Verfahren wird ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird. Die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form in Richtung des Endes (121) der Lichtleitfaser (130) abgegeben wird. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung (100) zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300).

    Optisches Element und Leuchte mit einem optischen Element
    26.
    发明专利
    Optisches Element und Leuchte mit einem optischen Element 未知

    公开(公告)号：DE102011114196A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：DE102011114196

    申请日：2011-09-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MARKYTAN ALES ,  GAERTNER CHRISTIAN DR ,  LINKOV ALEXANDER

    IPC: F21V5/04 ,  F21V13/04 ,  G02B3/00 ,  H01L25/13

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das optische Element (2) für eine Leuchte (100) vorgesehen. Das optische Element (2) beinhaltet einen langgestreckten Grundkörper (23) mit einer Längsachse (24) sowie mit einer Innenseite (21) und einer Außenseite (22). Der Grundkörper (23) weist, im Querschnitt gesehen, die Form mindestens eines Teils eines Hohlkörpers auf. Weiterhin umfasst das optische Element (2) eine Vielzahl von Konvexlinsen (25) mit einer halbrunden Querschnittsfläche. Die Konvexlinsen (25) sind auf der Innenseite (21) und/oder auf der Außenseite (22) des Grundkörpers (23) angeordnet und es weisen die Konvexlinsen (25) eine langgestreckte Grundform auf.

    Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip
    29.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102016115533A1

    公开(公告)日：2018-02-22

    申请号：DE102016115533

    申请日：2016-08-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOEOETZ BRITTA ,  LINKOV ALEXANDER

    IPC: H01L33/50 ,  B60Q1/04 ,  F21K9/64 ,  H01L27/15 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben: – einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Vielzahl an Pixeln (3), die eine aktive Schicht (2) aufweist, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs geeignet ist, und – einer Vielzahl an Konversionselementen (6), wobei – jedes Konversionselement (6) dazu geeignet ist, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, – jedes Pixel (3) eine Strahlungsaustrittsfläche (5) aufweist und auf jeder Strahlungsaustrittsfläche (5) ein Konversionselement (6) angeordnet ist, und – jedes Konversionselement (6) in einem zentralen Bereich eine größere Dicke aufweist, als in einem Randbereich. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und ein Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip angegeben.

    Strahlung emittierende Vorrichtung
    30.
    发明专利
    Strahlung emittierende Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102016113206A1

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：DE102016113206

    申请日：2016-07-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L33/64 ,  H01L23/36 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54

    Abstract: Es wird eine Strahlung emittierende Vorrichtung (1) angegeben umfassend – mehrere Strahlung emittierende Halbleiterbauelemente (2), die jeweils eine Oberfläche, die sich aus mehreren Teilflächen (2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F) zusammensetzt, und jeweils ein an der Oberfläche angeordnetes erstes und zweites, Anschlusselement (3, 4) aufweisen, wobei die Strahlung emittierenden Halbleiterbauelemente (2) an einer Mehrzahl ihrer Teilflächen (2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F) Strahlung emittieren, – einen Träger (6) aufweisend – eine dreidimensionale Gestalt, die durch eine entlang einer ersten Achse (A1) bestimmbare erste Ausdehnung (B), eine entlang einer senkrecht zur ersten verlaufenden zweiten Achse (A2) bestimmbare zweite Ausdehnung (T) und durch eine entlang einer senkrecht zur ersten (A1) und zweiten Achse (A2) verlaufenden dritten Achse (A3) bestimmbare dritte Ausdehnung (H) gekennzeichnet ist, wobei die dritte Ausdehnung (H) größer ist als die erste (B) und die zweite Ausdehnung (T), – mindestens ein elektrisches Kontaktmittel (7A, 7B), wobei jedes Anschlusselement (3, 4) mit einem elektrischen Kontaktmittel (7A, 7B) des Trägers (6) elektrisch verbunden ist, und die Halbleiterbauelemente (2) mittels des Trägers (6) mechanisch miteinander verbunden sind, wobei höchstens 50 % jeder Teilfläche (2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F) eines einzelnen Halbleiterbauelements (2) von dem Träger (6) bedeckt sind.

Patent Agency Ranking