公开(公告)号：DE102009039890A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：DE102009039890

申请日：2009-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  WIRTH RALPH ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  WUTZ OLIVER ,  MARFELD JAN

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L33/62

Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, dass zumindest einen Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (20) aufweist. Der Halbleiterkörper (2) ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite (20) gegenüberliegenden Seite auf einem Substrat (1) angeordnet, wobei auf der Strahlungsaustrittsseite (20) zumindest ein elektrischer Anschlussbereich (22) angeordnet ist. Auf dem elektrischen Anschlussbereich (22) ist ein Metallisierungshügel (3) angeordnet. Ferner ist der Halbleiterkörper (2) zumindest teilweise mit einer Ioslationsschicht (4) versehen, wobei der Metallisierungshügel (3) die Isolationsschicht (4) überragt. Auf der Isolationsschicht (4) ist zur planaren Kontaktierung des Halbleiterkörpers (2) zumindest eine planare Leitstruktur (5) angeordnet, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (22) über den Metallisierungshügel (3) elektrisch leitend verbunden ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauelements (10) vorgesehen.

公开(公告)号：DE102009036621A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：DE102009036621

申请日：2009-08-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  WIRTH RALPH ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  WUTZ OLIVER ,  MARFELD JAN

IPC: H01L33/52 ,  H01L25/075 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägers (1), - Anordnen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) an einer Oberseite (1a) des Trägers (1), - Umformen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einem Formkörper (3), wobei der Formkörper (3) alle Seitenflächen (2c) des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips (2) bedeckt und wobei die dem Träger (1) abgewandte Oberfläche an der Oberseite (2a) oder die dem Träger zugewandte Oberfläche an der Unterseite (2b) des zumindest einen Halbleiterchips (2) frei vom Formkörper (3) bleibt oder freigelegt wird, - Entfernen des Trägers (1).

公开(公告)号：DE102007011123A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：DE102007011123

申请日：2007-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARFELD JAN ,  WEGLEITER WALTER ,  ENGL MORITZ

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102009017495B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102009017495

申请日：2009-04-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARFELD JAN ,  STREPPEL ULRICH DR ,  MUSCHAWECK JULIUS

IPC: F21V5/00

Abstract: Beleuchtungseinrichtung mit- einer Lichtquelle (1), die zumindest zwei Leuchtdiodenchips (2a, 2b) umfasst, die im Betrieb Licht voneinander unterschiedlicher Farbe emittieren, und- einem optischen Element (3), das als Vollkörper aus einem dielektrischen Material ausgebildet ist, aufweisend- eine Strahlungseintrittsfläche (31), die den Leuchtdiodenchips (2a, 2b) zugewandt ist,- eine Strahlungsaustrittsfläche (33), die den Leuchtdiodenchips (2a, 2b) abgewandt ist, und- eine Mantelfläche (32), die die Strahlungseintrittsfläche (31) und die Strahlungsaustrittsfläche (33) miteinander verbindet, wobei- die Mantelfläche (32) für das von den Leuchtdiodenchips (2a, 2b) im Betrieb emittierte Licht reflektierend ausgebildet ist und zumindest stellenweise aus den Mantelflächen von zumindest zwei Kegelstümpfen (9) zusammengesetzt ist, die sich hinsichtlich ihrer Öffnungswinkel unterscheiden, und- die Strahlungseintrittsfläche (31) und/oder die Strahlungsaustrittsfläche (33) zumindest stellenweise uneben ist, wobei- ein Spalt (5) zwischen zumindest einem der Leuchtdiodenchips (2a, 2b) der Lichtquelle (1) und der Strahlungseintrittsfläche (31) angeordnet ist, der mit einem Gas gefüllt ist,- das optische Element (3) das einzige optische Element der Beleuchtungseinrichtung ist, das allen Leuchtdiodenchips (2a, 2b) der Lichtquelle (1) nachgeordnet ist, und- das optische Element (3) an der Seite der Strahlungsaustrittsfläche (31) eine Einbuchtung (7) aufweist, wobei das optische Element (3) in der Einbuchtung (7) einen konvex nach außen gekrümmten ersten Bereich (331) aufweist, der seitlich zumindest stellenweise von einem zweiten Bereich (332) des optischen Elements (3) umgeben ist.

公开(公告)号：DE102018106685A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102018106685

申请日：2018-03-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARFELD JAN ,  SOMERS ANDRÉ ,  LÖFFLER ANDREAS ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/40 ,  G03B21/14 ,  H01S5/02 ,  H01S5/30

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) befindet. Mehrere elektrische Kontaktflächen (5) dienen zur externen elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Mehrere parallele Stegwellenleiter (3) sind aus der Halbleiterschichtenfolge (2) geformt und zu einer Führung der Laserstrahlung (L) entlang einer Resonatorachse eingerichtet, sodass zwischen benachbarten Stegwellenleiter je ein Trenngraben (6) vorliegt. Mindestens eine elektrische Zuführung (4) dient von wenigstens einer der elektrischen Kontaktflächen (5) aus zu einer Stromführung hin zu zumindest einem der Stegwellenleiter (3). Ein Abstand (A4) zwischen den Stegwellenleitern beträgt höchstens 50 µm. Die Stegwellenleiter (3) sind einzeln oder in Gruppen unabhängig voneinander elektrisch ansteuerbar und/oder für einen Monomodenbetrieb eingerichtet.

公开(公告)号：DE102013212294A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102013212294

申请日：2013-06-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  KLEIN MARKUS ,  MARFELD JAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge auf, welche einen ersten Halbleiterbereich, einen zweiten Halbleiterbereich und eine dazwischen angeordnete aktive Zone zur Strahlungserzeugung umfasst. Der Halbleiterchip weist einen elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich verbundenen ersten Kontakt, einen elektrisch mit dem zweiten Halbleiterbereich verbunden zweiten Kontakt und einen elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich verbundenen dritten Kontakt auf. Der erste Kontakt und der dritte Kontakt sind im Bereich von entgegen gesetzten Seiten des Halbleiterchips angeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung umfassend mehrere optoelektronische Halbleiterchips.

公开(公告)号：DE102012109131A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012109131

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KAISER STEPHAN ,  ALBRECHT TONY ,  BESTELE MICHAEL ,  MARFELD JAN ,  SCHNEIDER ALBERT ,  KIRSCH MARKUS

IPC: H01L25/13 ,  F21V14/04 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L31/10 ,  H01L33/30 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01S5/022

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung (100), die optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) aufweisend: mehrere optoelektronische Bauelemente (104), eingerichtet zum Bereitstellen und/oder Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung (102); einen Reflektor (110), der im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) angeordnet ist, und der eine wenigstens teilweise bezüglich der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung (102) reflektierende Oberfläche (112) aufweist; wobei die mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) den Reflektor (110) wenigstens teilweise umgeben oder wenigstens teilweise von dem Reflektor (104) umgeben sind; und wobei der Reflektor (110) derart eingerichtet ist, dass er eine bereitgestellte elektromagnetische Strahlung derart reflektiert, dass eine vorgegebene Feldverteilung der reflektierten elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100) ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102011009697A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：DE102011009697

申请日：2011-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GAERTNER CHRISTIAN DR ,  MARKYTAN ALES DR ,  MARFELD JAN

IPC: H01L29/86 ,  H01L25/16 ,  H01L33/00 ,  H05B44/00

Abstract: Es wird ein Leuchtmodul zur Abstrahlung von Mischlicht angegeben umfassend: – mindestens ein erstes Halbleiterbauelement, das unkonvertiertes rotes Licht abstrahlt, – mindestens ein zweites Halbleiterbauelement, das konvertiertes grünlich-weißes Licht mit einem ersten Konversionsanteil abstrahlt, – mindestens ein drittes Halbleiterbauelement, das konvertiertes grünlich-weißes Licht mit einem zweiten Konversionsanteil abstrahlt, der kleiner ist als der erste Konversionsanteil, – mindestens ein Widerstandselement mit einem temperaturabhängigen elektrischen Widerstand, wobei das zweite Halbleiterbauelement zu dem dritten Halbleiterbauelement parallel geschaltet ist.

公开(公告)号：DE102009039891A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：DE102009039891

申请日：2009-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  WIRTH RALPH ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  WUTZ OLIVER ,  MARFELD JAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L21/70 ,  H01L25/075 ,  H01S5/022

Abstract: Es ist ein optoelektronisches Modul vorgesehen, das einen ersten Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (2a), auf der ein elektrischer Anschlussbereich (21, 22) angeordnet ist, aufweist. Der erste Halbleiterkörper (2) ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite (2a) gegenüberliegenden Seite auf einem Träger (1) angeordnet. Auf dem Träger (1) seitlich neben dem ersten Halbleiterkörper (2) ist ein Isolationsmaterial (3) angeordnet, das eine Kehle ausbildet und formschlüssig an den Halbleiterkörper (2) angrenzt. Auf dem ersten Halbleiterkörper (2) und dem Isolationsmaterial (3) ist zumindest bereichsweise eine Isolationsschicht (4) angeordnet, auf der zur planaren Kontaktierung des ersten Halbleiterkörpers (2) eine planare Leitstruktur angeordnet ist, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (21, 22) elektrisch leitend verbunden ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Moduls vorgesehen.

公开(公告)号：DE102007059133A1

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：DE102007059133

申请日：2007-12-07

Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARFELD JAN ,  STRAUS STEFFEN

IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00 ,  H01L33/62 ,  H05K1/11

Abstract: A substrate for an LED submount may include a plurality of placement locations on its substrate top side and a plurality of pairs each composed of an electrical anode connection and an electrical cathode connection, wherein the anode connections are arranged on a first side section of the substrate top side and the cathode connections are arranged on a second side section of the substrate top side, having at least one connection dividing conductor track leading from one placement location past at least two other placement locations to an electrical connection, wherein the connection dividing conductor track leads past the at least two other placement locations on the inside.