公开(公告)号：DE102014114220A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102014114220

申请日：2014-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES ALEXANDER ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  BLEICHER THOMAS ,  LAUX HARALD ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/24 ,  C23C14/50 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: Es wird ein Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten angegeben. Dabei wird in einem Schritt A ein Träger (1) bereitgestellt. In einem Schritt B wird zumindest ein Substrat (2) auf den Träger (1) aufgebracht. Ferner wird in einem Schritt C ein Aufwachsprozess ausgeführt, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge (20) auf eine dem Träger (1) abgewandte Hauptseite des Substrats (2) aufgewachsen wird. Die fertig gewachsene Halbleiterschichtenfolge (20) emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetischer Strahlung. In einem weiteren Schritt D wird ein Temperaturmessprozess durchgeführt, bei dem ein Temperaturprofil (3) des Substrats (2), welches während des Aufwachsprozesses in dem Substrat (2) auftritt, bestimmt wird. Zusätzlich wird ein Schritt E ausgeführt, bei dem der Träger (1) und/oder das Substrat (2) vor oder während des Aufwachsprozesses gezielt bearbeitet werden. Dadurch wird die Temperatur in ausgesuchten Bereichen des Substrats (2) verändert und ein Emissionssprofil der fertig gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (20) geglättet.

公开(公告)号：DE102014102293A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE102014102293

申请日：2014-02-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  SINGER FRANK ,  HÖPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/67

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile (100) angegeben, wobei ein Träger (1) mit einer Trägerhauptseite (11) bereitgestellt wird. Ferner werden mehrere vereinzelte optoelektronische Halbleiterchips (2) bereitgestellt, wobei die Halbleiterchips (2) jeweils eine Hauptemissionsseite (21) und eine der Hauptemissionsseite (21) gegenüberliegende Kontaktseite (22) aufweisen. Die vereinzelten Halbleiterchips (2) werden anschließend auf die Trägerhauptseite (11) aufgebracht, sodass jeweils die Kontaktseite (22) der Trägerhauptseite (11) zugewandt ist. In Bereichen zwischen den Halbleiterchips wird ein Maskenrahmen (3) aufgebracht, wobei der Maskenrahmen (3) ein Gitter aus Trennwänden (31) ist. In Draufsicht auf die Trägerhauptseite (11) ist jeder Halbleiterchip (2) ringsum von den Trennwänden (31) umgeben. Die Halbleiterchips (2) werden mit einem Konversionsmaterial (4) so vergossen, dass sich auf den Halbleiterchips (2) jeweils ein Konversionselement (41) bildet. Das Konversionselement (41) bedeckt dabei zumindest teilweise die Hauptemissionsseite (21) des jeweiligen Halbleiterchips (2). Anschließend wird der Träger (1) entfernt. In einem weiteren Schritt werden die optoelektronischen Halbleiterbauteile (100) aus dem Maskenrahmen (3) herausgelöst, wobei der Maskenrahmen (3) zerstört wird.

公开(公告)号：DE102014101492A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE102014101492

申请日：2014-02-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN ,  SINGER FRANK ,  VON MALM NORWIN

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit: – einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), umfassend – ein Aufwachssubstrat (21) mit einer Aufwachsfläche (21a), – eine auf der Aufwachsfläche (21a) aufgewachsene Schichtenfolge (22) mit einer Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) mit einer aktiven Zone (222), – Kontaktstellen (29) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) und – eine Isolationsschicht (26), die elektrisch isolierend ausgebildet ist – einem Anschlussträger (4), der an der der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Deckfläche (2a) des optoelektronischen Halbleiterchips angebracht ist, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) elektrisch leitend mit dem Anschlussträger (4) verbunden ist und – auf einer der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Bodenfläche (21c) des Aufwachssubstrats (21) und allen Seitenflächen (21b) des Aufwachssubstrats (21) eine Konversionsschicht (5) aufgebracht ist.

公开(公告)号：DE102014100772A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102014100772

申请日：2014-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  PLÖSSL ANDREAS ,  RODE PATRICK ,  NAGEL PETER ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L33/52 ,  H01L31/12 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder der Halbleiterchips einen Trägerkörper (12) und einen auf einer Oberseite (22) des Trägerkörpers angeordneten Halbleiterkörper (4) aufweist; c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips auf dem Hilfsträger, wobei die Halbleiterchips in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper vom Trägerkörper aus gesehen dem Hilfsträger zugewandt sind; d) Ausbilden einer Streuschicht (18) zumindest in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern benachbarter Halbleiterchips; e) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (20); f) Entfernen des Hilfsträgers (2); und g) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100).

公开(公告)号：DE102014101804A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102014101804

申请日：2014-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  SCHLENKER TILMAN ,  MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: H01L33/50 ,  C03C8/14 ,  C09K11/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (14) aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip (5) und ein auf dem optoelektronischen Halbleiterchip (5) angeordnetes Konversionselement (1). Das Konversionselement (1) umfasst ein Matrixmaterial (9) aufweisend eine Glasfritte (7), einen in die Glasfritte (7) eingebetteten ersten Leuchtstoff (8) und Hohlräume (10), sowie einen in den Hohlräumen (10) des Matrixmaterials (9) angeordneten zweiten Leuchtstoff (11). Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements (14) angegeben.

公开(公告)号：DE112013004117A5

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：DE112013004117

申请日：2013-08-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  GÖÖTZ BRITTA ,  PLÖSSL ANDREAS ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/50

公开(公告)号：DE112014007380B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE112014007380

申请日：2014-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: H10H20/83 ,  H10H20/831 ,  H10H20/852

Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) mit- einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) aufweisend eine Strahlungsdurchtrittsfläche (1A), durch welche ein Großteil von Strahlung hindurchtritt, und mehrere Seitenflächen (1B), die quer zu der Strahlungsdurchtrittsfläche (1A) angeordnet sind, sowie eine der Strahlungsdurchtrittsfläche (1A) gegenüber liegend angeordnete rückseitige Oberfläche (1C),- einem Formkörper (2), der eine strahlungsdurchtrittsseitige Hauptfläche (2A), mehrere Seitenflächen (2B) und eine rückseitige Hauptfläche (2C) aufweist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (1) teilweise in den Formkörper (2) eingebettet ist und wobei der Formkörper (2) aus einer Formmasse (200) gebildet ist, die mindestens zwei Seitenflächen (2B) und die rückseitige Oberfläche (1C) des Halbleiterchips (1) zumindest teilweise bedeckt, und wobei der Formkörper (2) eine Öffnung (5) aufweist, die sich von der rückseitigen Oberfläche (1C) des optoelektronischen Halbleiterchips (1) bis zu der rückseitigen Hauptfläche (2C) des Formkörpers (2) erstreckt, wobei in der Öffnung (5) eine Füllung (11) angeordnet ist,- einer ersten Kontaktschicht (3A) und einer zweiten Kontaktschicht (3B), die auf dem Formkörper (2) angeordnet sind und zum elektrischen Anschluss des Halbleiterchips (1) vorgesehen sind, wobei sich die erste und die zweite Kontaktschicht (3A, 3B) von der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche (2A) jeweils bis auf eine Seitenfläche (2B) des Formkörpers (2) erstrecken, die quer zur Montagefläche (4) angeordnet ist,- einer Montagefläche (4), die quer zu der Strahlungsdurchtrittsfläche (1A) angeordnet ist und zur Montage des Halbleiterbauelements (100) vorgesehen ist, wobei der Formkörper (2) einen überstehenden Teilbereich (8A, 8B) aufweist, der an einer Seitenfläche (1B) des Halbleiterchips (1) angeordnet ist und eine erste Abmessung (T) und zweite Abmessung (B) aufweist, die jeweils größer sind als eine kleinste Abmessung (D) des Halbleiterchips (1), wobei die erste Kontaktschicht (3A) zwischen der Füllung (11) und dem Formkörper (2) angeordnet ist und sich von der rückseitigen Hauptfläche (2C) des Formkörpers (2) bis in die Öffnung (5) erstreckt.

公开(公告)号：DE102014106791B4

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：DE102014106791

申请日：2014-05-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  BOGNER GEORG ,  BRUNNER HERBERT ,  SABATHIL MATTHIAS ,  MALM NORWIN VON

IPC: H01L25/075 ,  G02F1/1333 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: Halbleiterbauelement (1) mit- einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen;- einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft;- einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft;- einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet, wobei der Formkörper (4) zumindest in einer Längsrichtung jeweils zumindest bereichsweise an die Seitenflächen der Halbleiterchips (2) angrenzt; und- einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips auf einer Vorderseite (45) des Formkörpers elektrisch leitend miteinander verbindet, wobei die Vorderseite des Formkörpers der Strahlungsaustrittsseite (10) des Halbleiterbauelements zugewandt ist; wobei- die Kontaktstruktur eine erste Kontaktfläche (51) und eine zweite Kontaktfläche (52) für die externe elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements aufweist und die Kontaktflächen an der Montageseitenfläche zugänglich sind; und- der Formkörper eine der Strahlungsaustrittsseite (10) abgewandte Rückseite (292) der Halbleiterchips jeweils zumindest bereichsweise bedeckt.

公开(公告)号：DE112017000995A5

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：DE112017000995

申请日：2017-02-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: G09G3/32

公开(公告)号：DE102016221281A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102016221281

申请日：2016-10-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  SINGER FRANK

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/58 ,  H05K13/02

Abstract: Ein Verfahren zum Transferieren von Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Transferwerkzeugs mit einer Mehrzahl von Segmenten, wobei jedes Segment einen Flüssigkeitsaufnahmebereich aufweist, zum Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips in einer regelmäßigen Anordnung auf einem Quellträger, zum Bereitstellen eines Zielträgers, zum selektiven Anordnen von Flüssigkeitstropfen an den Flüssigkeitsaufnahmebereichen von zumindest einigen der Segmente, zum Annähern des Transferwerkzeugs an den Quellträger, wobei jeder Flüssigkeitstropfen mit einem Halbleiterchip in Kontakt gerät und diesen benetzt, zum Abheben des Transferwerkzeugs von dem Quellträger, wobei durch Flüssigkeitstropfen benetzte Halbleiterchips mit dem Transferwerkzeug von dem Quellträger abgehoben werden, zum Annähern des Transferwerkzeugs an den Zielträger, wobei die an dem Transferwerkzeug angeordneten Halbleiterchips in Kontakt mit dem Zielträger geraten, und zum Abheben des Transferwerkzeugs von dem Zielträger, wobei die mit dem Zielträger in Kontakt geratenen Halbleiterchips an dem Zielträger verbleiben.