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    MICROMECHANICAL DEVICE AND METHOD OF DESIGNING THEREOF
    21.
    发明申请
    MICROMECHANICAL DEVICE AND METHOD OF DESIGNING THEREOF 审中-公开
    微机电设备及其设计方法

    公开(公告)号：WO2012156585A1

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：PCT/FI2012/050456

    申请日：2012-05-11

    Applicant: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT ,  PRUNNILA, Mika ,  JAAKKOLA, Antti ,  PENSALA, Tuomas

    Inventor： PRUNNILA, Mika ,  JAAKKOLA, Antti ,  PENSALA, Tuomas

    IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  B81B3/00

    CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

    Abstract: The invention relates to a micromechanical device comprising a semiconductor element capable of deflecting or resonating and comprising at least two regions having different material properties and drive or sense means functionally coupled to said semiconductor element. According to the invention, at least one of said regions comprises one or more n-type doping agents, and the relative volumes, doping concentrations, doping agents and/or crystal orientations of the regions being configured so that the temperature sensitivities of the generalized stiffness are opposite in sign at least at one temperature for the regions, and the overall temperature drift of the generalized stiffness of the semiconductor element is 50 ppm or less on a temperature range of 100°C. The device can be a resonator. Also a method of designing the device is disclosed.

    Abstract translation: 本发明涉及一种微机械装置，其包括能够偏转或谐振并且包括具有不同材料特性的至少两个区域的半导体元件和功能性耦合到所述半导体元件的驱动或感测装置。 根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积，掺杂浓度，掺杂剂和/或晶体取向被构造成使得广义刚度的温度敏感度 至少在区域的一个温度下符号相反，半导体元件的整体刚度的总体温度漂移在100℃的温度范围内为50ppm以下。 该器件可以是谐振器。 还公开了一种设计该设备的方法。

    METHOD FOR REDUCING VARIATIONS IN ARRAYS OF MICRO-MACHINED CANTILEVER STRUCTURES USING ION IMPLANTATION
    22.
    发明申请
    METHOD FOR REDUCING VARIATIONS IN ARRAYS OF MICRO-MACHINED CANTILEVER STRUCTURES USING ION IMPLANTATION 审中-公开
    用离子注入减少微机械悬臂结构阵列变化的方法

    公开(公告)号：WO0136319A8

    公开(公告)日：2001-09-27

    申请号：PCT/US0031358

    申请日：2000-11-15

    Applicant: SARNOFF CORP

    Inventor： VILLANI THOMAS STEPHEN ,  GOODMAN LAWRENCE A

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/40

    CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81C2201/0164

    Abstract: A method of adjusting the position of a micro-mechanical bi-material cantilever is provided. The bi-material includes a first and a second material and each material has a corresponding thermal expansion coefficient. The method includes implanting ions predominantly into one material of the bi-material to modify internal stress in one of the first and second materials relative to the other material. The deformation of the bi-material is then detected to modulate the implantation of ions thereto.

    Abstract translation: 提供了调整微机械双材料悬臂的位置的方法。 双材料包括第一和第二材料，并且每种材料具有相应的热膨胀系数。 该方法包括主要将离子注入到双材料的一种材料中以相对于另一种材料改变第一和第二材料之一中的内部应力。 然后检测双材料的变形以调节离子注入到其上。

    Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices
    23.
    发明公开
    Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices 有权
    Herstellung von动词desserten Silizium-basierten MEMS-Vorrichtungen

    公开(公告)号：EP1452481A2

    公开(公告)日：2004-09-01

    申请号：EP04100440.9

    申请日：2004-02-05

    Applicant: Dalsa Semiconductor Inc.

    Inventor： Ouelett, Luc ,  Antaki, Robert

    IPC: B81B7/00 ,  B81C5/00 ,  B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2203/0735

    Abstract: A micro-electro-mechanical (MEM) device and an electronic device are fabricated on a common substrate by fabricating the electronic device comprising a plurality of electronic components on the common substrate, depositing a thermally stable interconnect layer on the electronic device, encapsulating the interconnected electronic device with a protective layer, forming a sacrificial layer over the protective layer, opening holes in the sacrificial layer and the protective layer to allow the connection of the MEM device to the electronic device, fabricating the MEM device by depositing and patterning at least one layer of amorphous silicon, and removing at least a portion of the sacrificial layer. In this way, the MEM device can be fabricated after the electronic device on the same substrate.

    Abstract translation: 通过在公共衬底上制造包括多个电子部件的电子器件，在公共衬底上制造微电子机械（MEM）器件和电子器件，在电子器件上沉积热稳定的互连层，封装互连的 具有保护层的电子器件，在保护层上形成牺牲层，在牺牲层和保护层中的开孔，以允许MEM器件连接到电子器件，通过沉积和图案化制造MEM器件至少一个 非晶硅层，并且去除牺牲层的至少一部分。 以这种方式，可以在同一基板上的电子器件之后制造MEM器件。

    Verfahren zur Herstellung einer Siliziummenbran mit kontrollierter Spannung
    25.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung einer Siliziummenbran mit kontrollierter Spannung 失效
    一种制备Siliziummenbran具有受控电压过程。

    公开(公告)号：EP0367750A2

    公开(公告)日：1990-05-09

    申请号：EP89890238.2

    申请日：1989-09-13

    Applicant: IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. ,  NANOSTRUCTURES, INC.

    Inventor： Mauger, Philip E.

    IPC: H01L21/306

    CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0164 ,  C23C14/0005 ,  C25F3/12 ,  H01L21/3063 ,  Y10S438/924

    Abstract: Verfahren zur Erzeugung einer Siliziummembran mit vorbestimmten Spannungseigenschaften. Ein Siliziumsub­strat wird dotiert, um eine dotierte Schicht zu bilden, deren Dicke mit der Dicke der Membran genau überein­stimmt. Die Spannung in der dotierten Schicht wird durch Auswählen der Dotierungssubstanz unter Zugrundelegung ih­res atomaren Durchmessers im Verhältnis zu Silizium sowie durch Steuern der Gesamtkonzentration und des Konzentra­tionsprofils der Dotierungssubstanz kontrolliert. Danach wird die Membran durch elektrochemisches Wegätzen des Substrats unterhalb der dotierten Schicht gebildet.

    Abstract translation: 一种用于与预定的电压特性生产硅膜的方法。 的硅衬底被掺杂，以形成掺杂层，其厚度与所述膜的厚度精确地重合。 在掺杂层中的应力是通过在相对于硅的原子直径的基础上选择所述掺杂物质，以及通过控制总浓度和掺杂物质的浓度分布来控制。 此后，该膜由掺杂层下方的衬底的电化学蚀刻来形成。

    METHOD OF MANUFACTURING RESONANT TRANSDUCER
    30.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING RESONANT TRANSDUCER 有权
    制造谐振传感器的方法

    公开(公告)号：US20130139377A1

    公开(公告)日：2013-06-06

    申请号：US13689199

    申请日：2012-11-29

    Applicant: YOKOGAWA ELECTRIC CORPORATION

    Inventor： Ryuichiro NODA ,  Takashi YOSHIDA

    IPC: H04R31/00

    CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0173 ,  H03H3/0072 ,  Y10T29/49005

    Abstract: A method of manufacturing a resonant transducer having a vibration beam includes: (a) providing an SOI substrate including: a first silicon layer; a silicon oxide layer on the first silicon layer; and a second silicon layer on the silicon oxide layer; (b) forming a first gap and second gap through the second silicon layer by etching the second silicon layer using the silicon oxide layer as an etching stop layer; (c) forming an impurity diffusion source layer on the second silicon layer; (d) forming an impurity diffused layer in a surface portion of the second silicon layer; (e) removing the impurity diffusion source layer through etching; and (f) removing at least a portion of the silicon oxide layer through etching such that an air gap is formed between the first silicon layer and a region of the second silicon layer surrounded by the first and second gaps.

    Abstract translation: 一种制造具有振动束的谐振换能器的方法包括：（a）提供SOI衬底，包括：第一硅层; 第一硅层上的氧化硅层; 和在氧化硅层上的第二硅层; （b）通过使用氧化硅层作为蚀刻停止层蚀刻第二硅层，形成通过第二硅层的第一间隙和第二间隙; （c）在第二硅层上形成杂质扩散源层; （d）在第二硅层的表面部分形成杂质扩散层; （e）通过蚀刻去除杂质扩散源层; 以及（f）通过蚀刻去除所述氧化硅层的至少一部分，使得在所述第一硅层和由所述第一和第二间隙包围的所述第二硅层的区域之间形成气隙。

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