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31.发明授权
公开(公告)号：KR101711551B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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公开(公告)号：KR101663629B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020160084965A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001430
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0047
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체및 그제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는온도보다낮고임계경화되는온도보다높은온도로열경화를수행하는메타-열경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-열경화임프린팅과포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법및 그에의해제조된금속산화물복합구조체를기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의온도에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间热固化压印和光刻工艺制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 一种间热固化压印步骤，其中在低于将使光敏金属 - 有机材料前体层完全固化并高于将使其敏化固化的温度的温度下进行热固化，以及具有第一图案的压印印模 用于向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，并且通过在不引起完全固化的温度下进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和减少工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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公开(公告)号：KR1020160053178A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150213
申请日：2014-10-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/03046 , H01L31/03529
Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑된흡수층의조합으로변형형성되고, 상기도핑된흡수층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지는도핑층으로이루어진것을특징으로하는변형된도핑흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 기존의흡수층에도핑층을추가하여변형된도핑흡수층을형성하여, 주파수특성을유지하면서효율은증가시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用调制掺杂吸收层的雪崩光电二极管。 使用调制掺杂吸收层的雪崩光电二极管包括彼此分离的吸收层和倍增层。 吸收层被调制成电场吸收层和掺杂吸收层的组合。 掺杂吸收层形成在电场吸收层和非吸收层之间。 掺杂吸收层包括具有比电场施加的吸收层的掺杂浓度相对低的掺杂浓度的掺杂层。 因此，由于通过在现有的吸收层中添加掺杂层来形成调制的掺杂吸附层，所以可以在保持频率特性的同时提高效率。
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公开(公告)号：KR1020150141915A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成不对称纳米结构的方法，该方法包括形成在基底或薄膜上的不对称金属或金属氧化物纳米结构，并通过使用具有可变形状的图案的可变印记印模形成。 用于形成不对称金属或金属氧化物纳米结构的方法包括在基板或薄膜上形成压印层的第一步骤; 将柔性材料的可变形压印印模放置在压印层上的第二步骤，以可变形压印印模的图案的压力或扭曲方向按压可变形压印印模，并进行固化 过程形成不对称图案层; 第三步，通过去除不对称图案层的剩余膜来曝光基板或薄膜的一部分区域; 在衬底或薄膜和不对称图案层的暴露区域上沉积金属或金属氧化物的第四步骤; 以及通过去除不对称图案层在基板或薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140081096A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120150465
申请日：2012-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G01J1/08 , G01J1/0242 , G01J1/44 , G01J2001/083 , G01J2001/446
Abstract: The present invention relates to an apparatus for measuring optical characteristics of a semiconductor light emitting device, comprising a hollow cylindrical rotary body, an optical characteristics measuring unit installed within the body and measuring optical characteristics of a semiconductor light emitting device, a measurement stage leading the semiconductor light emitting device to a position of the optical characteristics measuring unit through a central portion of the body and leading out therefrom, and a support coupled to a lower portion of the body to support the body. Optical characteristics of a semiconductor light emitting device can be easily measured intermittently or continuously by using 360-degree rotatable optical characteristics measuring unit, regardless of wafer size, and optical characteristics of various types of LEDs can be measured.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量半导体发光器件的光学特性的装置，包括中空圆柱形旋转体，安装在体内的光学特性测量单元和测量半导体发光器件的光学特性，测量台引导 半导体发光器件通过本体的中心部分从光学特性测量单元的位置引出，并且与主体的下部相连以支撑身体。 可以通过使用360度旋转光学特性测量单元间歇地或连续地测量半导体发光器件的光学特性，而不管晶片尺寸如何，并且可以测量各种类型的LED的光学特性。
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公开(公告)号：KR101866298B1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：KR1020160184218
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/055 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/0684 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/03926 , H01L31/055 , H01L31/1868 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 본발명은양면수광형태양전지의제조방법및 그에의한양면수광형태양전지에관한것으로서, 지지기판상부에제1태양전지셀을형성하는제1단계와, 상기제1태양전지셀상부에오믹접촉층을형성하는제2단계와, 상기오믹접촉층상부에제2태양전지셀을형성하는제3단계와, 상기지지기판을제거하는제4단계와, 상기지지기판을제거한후, 상기제1태양전지셀의전면에제1전극을형성하는제5단계와, 상기제1전극의형성후 메사에칭에의한상기오믹접촉층하부에제2전극을형성하는제6단계와, 상기제2태양전지셀의전면에제3전극을형성하는제7단계및 상기제3전극의형성후 메사에칭에의한상기오믹접촉층상부에제4전극을형성하는제8단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면수광형태양전지의제조방법및 그에의한양면수광형태양전지를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은기존의양면수광형태양전지의구조에서탈피하여, 전면과후면태양전지셀이상호대칭되게형성되도록하여전면과후면태양전지셀의효율차이가없어양면수광형태양전지의효율을개선시킨이점이있다.
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公开(公告)号：KR101862076B1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：KR1020160084879
申请日：2016-07-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12 , G01N25/32 , H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101836934B1
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR1020160036138
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/0224
Abstract: 제1 기판상에 GaN 계열의버퍼층, p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, p형또는 n형 GaN층, 및제1 전극을구비하는에피성장기판을준비하는단계; 제2 기판상에형성된제2 전극을구비하는접합기판을준비하는단계; 상기제1 전극과상기제2 전극이연결되도록본딩하는단계; 상기제1 기판을제거한후 상기버퍼층을제거하는단계; 및개방된상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층상에상부전극을형성하는단계를포함하는, 질화갈륨계광검출소자의제조방법및 그에의해제조된질화갈륨계광검출소자가제공된다. 본발명에따르면, 단순한공정도입및 고가의기판재활용이가능하여저가의공정으로고효율의광검출기를제조할수 있으며, 유연한소자에활용가능하고고방열특성이필요한극한환경에서도안정적으로광검출소자의제조가가능하다.
Abstract translation: 制备外延生长衬底，其包括一缓冲层，P-I-N或N-I-P的AlGaN层，p型或n型GaN层，在第一基板上的GaN系mitje的第一电极的结构的步骤; 制备具有形成在第二衬底上的第二电极的键合衬底; 将第一电极和第二电极彼此结合; 在去除第一衬底之后去除缓冲层; 并在开口p-i-n或n-i-p AlGaN层上形成上电极。 根据本发明，可以通过简单的步骤引入和昂贵的基板回收，并且能够产生与由低成本的过程中高效率的光检测器，它可以在柔性装置中使用，并且高散热性，需要一个稳定的生产光学检测chulsoja极端环境的 这是可能的。
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