公开(公告)号：KR1020070104602A

公开(公告)日：2007-10-26

申请号：KR1020077018684

申请日：2006-02-15

Applicant: 가부시키가이샤 알박 ,  미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지이노부토시 ,  고무라가즈오 ,  미요시히데노리 ,  다나카히로후미 ,  오이케슌스케 ,  무라카미마사미 ,  구보타다케시 ,  구라노요시토

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  C01B33/12 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: A hydrophobic compound having at least one hydrophobic group (C1-6 alkyl or C6H5) and at least one polymerizable group (hydrogen atom, hydroxy, or halogen atom) is polymerized in a vapor phase in the presence of a raw porous silica film at a reduced pressure (30 kPa or lower) to obtain a modified porous silica film comprising that film and a thin hydrophobic polymer film deposited on the walls of pores of the film. This porous silica film has a low relative permittivity and a low refractive index and is improved in mechanical strength and hydrophobicity. This porous silica film is used to obtain a semiconductor device.

Abstract translation: 具有至少一个疏水基团（C 1-6烷基或C 6 H 5）和至少一个可聚合基团（氢原子，羟基或卤素原子）的疏水性化合物在原料多孔二氧化硅膜的存在下在气相中聚合， 减压（30kPa以下），得到改性多孔二氧化硅膜，其包含该膜和沉积在膜的孔壁上的薄疏水性聚合物膜。 该多孔二氧化硅膜的相对介电常数低，折射率低，机械强度和疏水性提高。 该多孔二氧化硅膜用于获得半导体器件。

公开(公告)号：KR1020070096973A

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：KR1020070029914

申请日：2007-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  후지쯔 가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다키가와유키오 ,  나카타요시히로 ,  다테이시히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a fabrication process of a semiconductor device are provided to remove stably an oxide layer from a metal layer formed on a substrate as a processing target. A method for processing a substrate having an insulating layer and a metal layer includes a process for supplying a carboxylic acid anhydride on the substrate. The process for supplying the carboxylic acid anhydride on the substrate includes a process for heating the substrate. The metal layer includes a Cu layer. The method for processing the substrate further includes a process for removing an oxide layer from the metal layer. The method for processing the substrate further includes a dehydration process for the insulating layer. The insulating layer includes at least one of a porous layer and a layer having fluorine.

Abstract translation: 提供基板处理方法，基板处理装置以及半导体装置的制造工艺，以便从作为处理对象的基板上形成的金属层稳定地去除氧化物层。 用于处理具有绝缘层和金属层的基板的方法包括在基板上供给羧酸酐的方法。 在基材上供给羧酸酐的方法包括加热基材的方法。 金属层包括Cu层。 用于处理衬底的方法还包括从金属层去除氧化物层的工艺。 用于处理衬底的方法还包括用于绝缘层的脱水工艺。 绝缘层包括多孔层和具有氟的层中的至少一种。

公开(公告)号：KR100564168B1

公开(公告)日：2006-03-27

申请号：KR1020037009600

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  요시타카히카루 ,  아시가키시게오 ,  이노우에요이치 ,  아카호리다카시 ,  이시즈카슈우이치 ,  아베쇼이치 ,  스즈키다카시 ,  가와무라고헤이 ,  미요시히데노리 ,  정기시 ,  오시마야스히로 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: That surface of an electrode plate 20 which is opposite to a susceptor 10 has a projection shape. The electrode plate 20 is fitted in an opening 26a of shield ring 26 at a projection 20a. At this time, the thickness of the projection 20a is approximately the same as the thickness of the shield ring 26. Accordingly, the electrode plate 20 and the shield ring 26 form substantially the same plane. The major surface of the projection 20a has a diameter 1.2 to 1.5 times the diameter of a wafer W. The electrode plate 20 is formed of, for example, SiC.

公开(公告)号：KR101348038B1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：KR1020110092870

申请日：2011-09-15

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  도요다히로따까 ,  세끼네마꼬또 ,  이또오히또시 ,  미요시히데노리

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H05H2001/4622

Abstract: 본 발명의 과제는 마이크로파의 손실을 최대한 저감시켜, 고밀도 플라즈마를 효율적으로 생성할 수 있는 플라즈마 생성 장치를 제공하는 것이다.
플라즈마 생성 장치(100)는 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생 장치(21)와, 마이크로파 발생 장치(21)에 접속되어, 마이크로파의 전송 방향으로 장척을 이루는 동시에, 상기 전송 방향에 직교하는 방향의 단면이 직사각형을 이룬 중공 형상의 직사각형 도파관(22)과, 직사각형 도파관(22)에 접속되어 그 내부로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치(23)와, 직사각형 도파관(22)의 일부분이며, 내부에서 생성한 플라즈마를 외부에서 방출하는 안테나부(40)를 구비하고 있다. 안테나부(40)는 그 단면에 있어서 단변을 이루는 벽(40a)에 하나 또는 복수의 슬롯 구멍(41)을 갖고 있고, 대기압 상태의 직사각형 도파관(22) 내에 공급된 처리 가스를 마이크로파에 의해 플라즈마화하고, 슬롯 구멍(41)으로부터 외부의 피처리체를 향해 방출한다.

公开(公告)号：KR101318506B1

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：KR1020127000841

申请日：2010-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  하라마사미치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/04 ,  C23C16/042 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 동을 사용하고 있는 배선과 절연막이 표면에 노출되어 있는 기판에 대해 망간 함유막을 성막하는 성막 방법을 개시한다. 이 성막 방법은 동을 사용하고 있는 배선상에, 망간 화합물을 이용한 CVD법을 이용하여 망간 함유막을 형성하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101296960B1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：KR1020117023900

申请日：2010-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76883

Abstract: 기판 상의 Cu 배선 구조에 있어서의 Cu 표면의 산화동막 및 층간 절연막에 부착한 Cu 함유 잔사를 유기산 함유 가스를 이용하여 제거함에 있어서, 상기 기판 온도가 상대적으로 저온인 제 1 온도가 되도록 상기 기판을 가열하면서 상기 기판에 유기산 가스를 포함한 처리 가스를 공급하여 Cu 함유 잔사의 에칭 제거를 실시하는 공정과, 상기 기판 온도가 상기 제 1 온도보다 고온인 제 2 온도가 되도록 상기 기판을 가열하면서 상기 기판에 상기 유기산 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하여 상기 Cu 표면의 산화동막을 환원 반응에 의해 제거하는 공정을 실행한다.

公开(公告)号：KR1020120132553A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020127027017

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이토히토시 ,  사토히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 성막 방법은 성막 장치(100)의 처리용기(1) 내에, 절연막이 마련된 웨이퍼(W)를 배치하는 공정과, 처리용기(1) 내에, TEOS 등의 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와 수증기 등의 OH기 공여성 가스를 공급하고, 상기 절연막의 표면에 Si-OH기를 형성시키는 표면 개질 공정과, 처리용기(1) 내에 망간함유 재료를 포함하는 성막 가스를 공급하고, CVD법에 의해 Si-OH기가 형성된 절연막의 표면에 망간함유막을 성막하는 성막 공정을 구비하고 있다. 표면 개질 공정에서는 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와, OH기 공여성 가스를, 처리 용기 내에 동시에 공급해도 좋고, 교대로 공급해도 좋다.

公开(公告)号：KR101133821B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020117007890

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 처리 방법은 금속층이 형성된 피처리 기판을 제 1 온도로 설정하고, 유기 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 금속층에 흡착시켜 금속착체를 형성하는 제 1 공정과, 상기 피처리 기판을 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 되도록 가열해서, 상기 금속착체를 승화시키는 제 2 공정을 갖는다.

Abstract translation: 一种基板处理方法，包括：第一步骤，通过使目标基板保持在第一温度下，使包含有机化合物的处理气体被形成在目标基板上的金属层吸附而形成金属络合物;以及第二步骤 通过加热目标衬底使其保持在高于第一温度的第二温度来使金属络合物升华。

公开(公告)号：KR1020120028256A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：KR1020110091667

申请日：2011-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  아즈모슈지

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/445 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76874 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0537

Abstract: PURPOSE: A film deposition method, a semiconductor device, a manufacturing method thereof, and a substrate processing apparatus are provided to arrange a lamination film of a metal oxide semiconductor structure by respectively reforming a film including metal ions into a film comprised of fine metal particles, thereby arranging the film which includes the fine metal particles without using a vacuum apparatus. CONSTITUTION: A poly-silane film is formed by applying a poly-silane solution on a semiconductor film(1). A film which includes metal ions is formed by applying a metal salt solution on the poly-silane film. The poly-silane film is reformed to a poly-siloxane film(2). The poly-siloxane film and a film which includes fine metal particles are heated(3).

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法，半导体装置及其制造方法以及基板处理装置，通过将包含金属离子的膜分别重新成为由金属微粒构成的膜来配置金属氧化物半导体结构的层叠膜 从而在不使用真空装置的情况下配置包含金属微粒的膜。 构成：通过在半导体膜（1）上涂布聚硅烷溶液形成聚硅烷膜。 包含金属离子的膜通过在聚硅烷膜上施加金属盐溶液而形成。 聚硅烷膜重整成聚硅氧烷膜（2）。 将多硅氧烷膜和包含金属微粒的膜加热（3）。

公开(公告)号：KR1020110127268A

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：KR1020117023900

申请日：2010-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76883

Abstract: 기판 상의 Cu 배선 구조에 있어서의 Cu 표면의 산화동막 및 층간 절연막에 부착한 Cu 함유 잔사를 유기산 함유 가스를 이용하여 제거함에 있어서, 상기 기판 온도가 상대적으로 저온인 제 1 온도가 되도록 상기 기판을 가열하면서 상기 기판에 유기산 가스를 포함한 처리 가스를 공급하여 Cu 함유 잔사의 에칭 제거를 실시하는 공정과, 상기 기판 온도가 상기 제 1 온도보다 고온인 제 2 온도가 되도록 상기 기판을 가열하면서 상기 기판에 상기 유기산 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하여 상기 Cu 표면의 산화동막을 환원 반응에 의해 제거하는 공정을 실행한다.

Abstract translation: 在附着于氧化铜膜和层间在基板上的绝缘Cu表面的膜中的Cu布线结构的Cu含有物残渣的除去使用含有有机酸的气体，加热衬底在衬底温度使得所述第一温度的相对低的温度 通过在加热衬底的同时向衬底提供包含有机酸气体的处理气体来蚀刻含Cu残余物，使得衬底温度变成高于第一温度的第二温度; 供给包含有机酸气体的处理气体以通过还原反应除去Cu表面上的氧化铜膜的步骤。