公开(公告)号：KR1020110055404A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020100111944

申请日：2010-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로시로코우키치 ,  니시타카노리 ,  키타노타카히로 ,  데라다쇼이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2041

Abstract: PURPOSE: A template processing method, program, computer recording medium, template processing device, and imprint system are provided to apply alcohol on a release agent of a template, thereby increasing the adhesive power between the surface of the template and the release agent. CONSTITUTION: A template is inserted into a transition unit of a processing station(A1). The surface of the template is cleaned(A2). A release agent is applied on the entire surface of the template(A3). A release agent on the template is dried by the rotation of the template(A4). Alcohol is applied on the release agent on the template(A5). Alcohol is eliminated from the template by the rotation of the template(A6). The template is carried to a template cassette by a template returning object(A7).

Abstract translation: 目的：提供模板处理方法，程序，计算机记录介质，模板处理装置和压印系统，以在模板的脱模剂上施加醇，从而增加模板表面和脱模剂之间的粘合力。 构成：将模板插入到处理站（A1）的过渡单元中。 模板的表面被清洁（A2）。 将脱模剂施加在模板（A3）的整个表面上。 模板上的脱模剂通过模板（A4）的旋转而被干燥。 将酒精施加在模板（A5）上的脱模剂上。 酒精通过模板（A6）的旋转从模板中消除。 模板通过模板返回对象（A7）传送到模板盒。

公开(公告)号：KR100855364B1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：KR1020020020703

申请日：2002-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  스기모토신이치 ,  코바야시신지 ,  히라카와나오야 ,  후쿠토미아키라 ,  이시자카노부카즈

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/0466 ,  B05D3/0486 ,  G03F7/162

Abstract: 본 발명은 기판을 처리하는 처리방법에 관한 것으로, 도포액 토출노즐과 기판을 상대적으로 이동시키면서 노즐을 통해 기판상에 도포액을 토출하고 기판표면에 도포액을 도포하는 공정을 갖는다. 그 후 기판을 도포액의 용제분위기에 쬐거나 또는 용기내에서 일단 가압하고나서 기판이 수용된 용기내를 감압하여 기판상의 도포액을 건조시킨다. 본 발명에 따르면 제품화되지 않은 기판 주연부의 소위 엣지컷폭의 협소화를 도모하면서 도포막의 면내 균일성을 유지할 수 있는 처리방법이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020070032783A

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：KR1020077000971

申请日：2005-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 오크테크

Inventor： 니시타카노리 ,  키타노타카히로 ,  오쿠무라카츠야

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748

Abstract: A substrate heating apparatus for heating a substrate coated with a film of chemically amplified resist within a period after exposure and before development, having a mounting table to mount the substrate substantially horizontal with the resist-coated film faced up, a fluid supply mechanism for supplying glycerin to the substrate, and a heating mechanism for heating the substrate on a mounting table, in a state that glycerin contacts a resist-coated film, wherein the substrate on a mounting table is heated, in a state that glycerin contacts the resist-coated film.

Abstract translation: 一种基板加热装置，用于在曝光后和显影之前的一段时间内加热涂覆有化学放大抗蚀剂膜的基板，具有用于将基板基本水平地安装并且抗蚀剂涂覆膜面向上的安装台，用于供给 以及甘油接触抗蚀剂涂布膜的状态下，在甘油与涂布有抗蚀剂的膜接触的状态下加热载置台上的基板的状态下，在载置台上加热基板的加热机构 电影。

公开(公告)号：KR100617478B1

公开(公告)日：2006-09-04

申请号：KR1020000078204

申请日：2000-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  모리카와마사테루 ,  에사키유키히코 ,  이시자카노부카즈 ,  코가노리히사 ,  타케시타카즈히로 ,  오오쿠마히로후미 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05C5/0208 ,  B05C5/0216 ,  B05C5/0291 ,  H01L21/0271

Abstract: 웨이퍼(W)의 도포영역을 예를들어 3분할하고 인접하는 분할된 영역의 도포시작우치가 서로 인접하지 않도록 그리고/또는 인접하는 분할된 영역의한편의 영역의도포종료위치와 다른 쪽의 영역의 도포 시작위치가 인접하는 경우에 상기 도포종료위치와 상기 도포시작위치를 그 순서대로 연속하여 도포하지 않도록 웨이퍼(W) 및 / 또는 공급노즐을 소정의 도포순서 및 / 또는 도포방향으로 구동하여 상기 웨이퍼(W) 표면의 분할된 영역마다 레지스트액의 액막을 형성한다. 이와 같이하면 레지스트액이 도포시작위치측으로 당겨져 이 부분의 막두께가 두꺼워진다고 하는 현상은 해당영역에만 발생하기 때문에 결과적으로 막두께의 면내균일성을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR100585448B1

公开(公告)日：2006-06-02

申请号：KR1020000017502

申请日：2000-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  아키모토마사미 ,  미나미토모히데 ,  모리카와마사테루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03D5/00

Abstract: 본 발명은 막 형성방법 및 막 형성장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼에 대하여 레지스트액을 토출하는 레지스트액 토출노즐을 웨이퍼의 지름방향을 따라 등속이동시키고, 이동하는 동안에 레지스트액 토출노즐로부터 토출되는 레지스트액의 양을 점차로 감속시키면, 웨이퍼에 토출된 레지스트액은 나선상의 궤적을 그리면서 웨이퍼 표면에 도포되고, 또한 웨이퍼 주변부와 중앙부에 대한 단위면적당 레지스트액의 도포량을 등량으로 하는 것이 가능하기 때문에, 기판상에 공급되는 처리액의 낭비를 없애고, 균일한 처리액의 막을 기판 상에 형성시킬 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 用于形成膜和膜和用于排出沿晶片的径向方向上的抗蚀剂溶液，恒定速度移动到形成装置在晶片的是，在旋转的同时在晶片，抗蚀剂液排出喷嘴，在从抗蚀剂溶液排出喷嘴输送的运动，本发明方法 减速抗蚀剂溶液的量时，渐渐地，将抗蚀剂溶液被排放到晶片画出螺旋的轨迹被施加到晶片表面，并且由于它是可能的每单位面积的施用量的抗蚀剂溶液与等量的晶片周边部分和中心部分 公开了一种技术，其中消除了供给到基板上的处理液的浪费并且可以在基板上形成均匀处理液的膜。

公开(公告)号：KR1020020075295A

公开(公告)日：2002-10-04

申请号：KR1020020015651

申请日：2002-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코바야시신지 ,  키타노타카히로 ,  모리카와마사테루 ,  타케시타카즈히로 ,  카와푸치요시유키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: A coater and coating method of a substrate are provided to ensure flatness of resist liquid while suppressing evaporation of the solvent in the resist liquid on a wafer when the wafer is coated with the resist liquid with one stroke. CONSTITUTION: Covers(75,76) covering a wafer(W) are disposed in an enclosure where coating of resist liquid is carried out. A resist liquid ejection nozzle(85) movable horizontally in the direction perpendicular to the advancing direction of the wafer(W), i.e., the X direction, is disposed between the covers(75,76). The cover(75) is supported, on the ejection nozzle(85) side, by a supporting member(77) and, on the forward side in the X direction, by a supporting member(78). At the time of coating, the supporting member(77) is elevated for a specified distance and the cover(75) is inclined. Since the gap between the cover(75) on the ejection nozzle(85) side and the wafer(W) is widened, shearing stress acting onto the surface of a resist film is reduced when the wafer W moves in the X direction immediately after coating resist.

Abstract translation: 目的：提供一种基板的涂布机和涂布方法，以在晶片用一次冲击的抗蚀剂液体涂覆的同时，抑制晶片上的抗蚀剂液体中的溶剂的蒸发，从而确保抗蚀剂液体的平坦度。 构成：覆盖晶片（W）的盖（75,76）设置在执行抗蚀剂液体涂覆的外壳中。 在盖（75,76）之间设置有能够沿垂直于晶片（W）的前进方向的方向（即X方向）水平移动的抗蚀剂喷液嘴85。 盖（75）通过支撑构件（77）在喷嘴（85）侧支撑，并且在X方向的前侧由支撑构件（78）支撑。 在涂布时，支撑构件（77）升高一定距离，盖（75）倾斜。 由于喷嘴（85）侧的盖（75）与晶片（W）之间的间隙变宽，当晶片W在涂覆后立即沿X方向移动时，作用在抗蚀剂膜的表面上的剪切应力减小 抗。

公开(公告)号：KR1020010051730A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000067985

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  코바야시신지 ,  에사키유키히코 ,  모리카와마사테루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162

Abstract: PURPOSE: To provide an apparatus for forming a uniform resist film even at the outer edge of a substrate by regulating a coating amount on the edge of the substrate. CONSTITUTION: A base 6 for mounting a wafer W is linearly movable along a rail 63. A nozzle 65 for discharging a resist liquid is movable along the rail 68. Suction nozzles 72, 73 are respectively provided at two mask members 70, 71. When he nozzle 65 arrives at the outer edge of the wafer W discharging a resist liquid, the liquid before arriving at the surface of the wafer W is sucked by nozzles 72, 73 immediately after discharging.

Abstract translation: 目的：通过调节基板的边缘上的涂布量，提供即使在基板的外缘形成均匀的抗蚀剂膜的装置。 构成：用于安装晶片W的基座6可沿导轨63线性移动。用于排出抗蚀剂液体的喷嘴65可沿导轨68移动。吸入喷嘴72,73分别设置在两个掩模构件70,71上。当 喷嘴65到达排出抗蚀剂液体的晶片W的外边缘，在到达晶片W的表面之前的液体在排出后立即被喷嘴72和73吸入。

公开(公告)号：KR102122343B1

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：KR1020157019983

申请日：2014-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라마츠마코토 ,  키타노타카히로 ,  도미타타다토시 ,  타노우치케이지 ,  오카다소이치로

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR1020170060003A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：KR1020177007295

申请日：2015-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라마츠마코토 ,  토미타타다토시 ,  겐지마히사시 ,  요우겐 ,  키타노타카히로

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  G03F7/40 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C08J7/18 ,  D06M14/18 ,  G03D5/003 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3255 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L29/511 ,  H01L29/66545 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명의기판처리방법은, 친수성폴리머와소수성폴리머를포함하는블록공중합체를이용하여기판을처리하는기판처리방법으로서, 기판상에레지스트막에의해정해진레지스트패턴을형성하는레지스트패턴형성공정(S3)과, 레지스트패턴의표면에당해레지스트패턴의변형을억제하기위한박막을형성하는박막형성공정(S4)과, 박막형성후의기판에대하여블록공중합체를도포하는블록공중합체도포공정(S5)과, 블록공중합체를친수성폴리머와소수성폴리머로상분리시키는폴리머분리공정(S6)을가지고있다.

Abstract translation: 本发明中，亲水性聚合物和通过使用包括疏水性聚合物的嵌段共聚物处理基板的基板处理方法的一种基板处理方法，所述抗蚀剂图案形成在基板上形成由抗蚀剂膜所限定的抗蚀剂图案的步骤（S3 ），的表面上的块的抗蚀剂用于抑制涂覆有嵌段共聚物相对于所述基板的薄膜形成共聚物涂覆步骤（S5之后的抗蚀剂图案的变形形成薄膜的图案和薄膜形成工序（S4））和 以及用于将嵌段共聚物相分离成亲水聚合物和疏水聚合物的聚合物分离步骤（S6）。

公开(公告)号：KR100918580B1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：KR1020020056797

申请日：2002-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  하마마나부 ,  스기모토신이치 ,  히라카와나오야

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B05D3/0493

Abstract: 본 발명은 감압건조장치 및 도포막 형성방법에 관한 것으로, 도포막의 성분과 용제를 혼합하여 이루어지는 도포액이 도포된 기판을 재치하기 위한 재치부가 내부에 설치된 밀폐용기와, 밀폐용기에 배기로를 통해 접속되고, 밀폐용기 내를 감압하여, 기판상의 도포액에서 용제를 휘발시키기 위한 진공배기장치와, 재치부에 재치된 기판 표면과 대향하도록 설치된 정류부재와, 이 정류부재를 승강시키기 위한 정류부재 승강기구를 구비하고 있다. 밀폐용기 내를 감압하여 기판상의 도포액에서 용제를 휘발시키는 동안에 상기 정류부재가 승강되고, 정류부재의 높이 위치가 변화하면, 기판상 도포액의 액흐름이 제어되고, 도포액의 막두께 제어를 할 수 있다. 기판 주연영역에서의 도포액 둥글기와 부풀기가 억제되고, 도포막의 중앙부와 주연영역의 막두께가 가지런해지며, 막두께의 균일성을 향상할 수 있는 기술을 제공한다.