公开(公告)号：KR100619112B1

公开(公告)日：2006-09-01

申请号：KR1020047003954

申请日：2002-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히루 ,  다테시타고이치 ,  혼다마사노부 ,  나가세키가즈야 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: Each magnet segment 22 of a magnetic field forming mechanism 21 is constructed such that, after the magnetic pole of each magnet segment 22 set to face a vacuum chamber 1 as shown in FIG. 3 A, adjoining magnet segments 22 are synchronously rotated in opposite directions, and hence every other magnet element 22 is rotated in the same direction as shown in FIGS. 3 B, 3 C to thereby control the status of a multi-pole magnetic field formed in the vacuum chamber 1 and surrounding a semiconductor wafer W. Therefore, the status of a multi-pole magnetic field can be easily controlled and set appropriately according to a type of plasma processing process to provide a good processing easily.

Abstract translation: 磁场形成机构21的每个磁体段22被构造成使得在每个磁体段22的磁极设置为面对真空室1之后， 如图3A所示，相邻的磁体段22在相反的方向上同步旋转，并且因此每隔一个磁体元件22以如图3A和3B所示的相同方向旋转。 从而控制形成在真空室1中并围绕半导体晶片W的多极磁场的状态。因此，多极磁场的状态可容易地控制并根据 一种等离子体处理过程，以提供一个很好的处理。

公开(公告)号：KR102229762B1

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020167021739

申请日：2015-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  혼다마사노부

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

Abstract: 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 처리공간과비처리공간으로처리용기내부를구획하는부재로서, 라디칼을투과하며또한이온을포착하는이온포착부재와, 처리공간에배치된배치대와, 비처리공간에제1 처리가스를공급하는제1 가스공급부와, 처리공간에제2 처리가스를공급하는제2 가스공급부와, 제1 처리가스를플라즈마화하는고주파전력을공급함으로써, 비처리공간에있어서라디칼및 이온을생성하는제1 고주파전원과, 제2 처리가스를플라즈마화하는고주파전력을배치대에공급함으로써, 이온포착부재에의해처리공간에투과되는라디칼과는별도로, 처리공간에있어서라디칼및 이온을생성하는제2 고주파전원과, 제2 고주파전원으로부터의고주파전력보다주파수가낮은고주파전력을배치대에공급함으로써, 처리공간에있어서생성되는이온을피처리체에인입하는제3 고주파전원을구비한다.

公开(公告)号：KR102094833B1

公开(公告)日：2020-03-30

申请号：KR1020140004404

申请日：2014-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR101913891B1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：KR1020147007812

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  혼다마사노부 ,  가츠누마다카유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/26 ,  H01L2221/1015 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 에칭처리대상의기판에공급되는에칭가스의공급조건을조절하는공급조건조정부와, 탑재대상에탑재되는상기기판의온도를상기반경방향을따라서조정하는온도조정부와, 상기공급조건조정부및 상기탑재대사이의공간에플라즈마를발생시키는플라즈마발생부를가지는에칭장치에서상기기판을에칭하는에칭방법으로서, 상기기판의온도가상기기판면내에서균일하게되도록상기온도조정부에의해제어하는공정과, 상기플라즈마발생부에의해발생되는플라즈마중의활성종의상기기판위쪽에서의농도분포를상기공급조건조정부에의해조정하는공정을포함하는플라즈마에칭방법이제공된다.

公开(公告)号：KR101853167B1

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR1020150062914

申请日：2015-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히사마츠도루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67069

Abstract: 에칭에의해형성되는라인의거칠기를억제하고, 또한, 에칭후에잔존하는포토레지스트의높이를유지하는것. 플라즈마에칭방법은, 퇴적공정과, 에칭공정을포함한다. 퇴적공정은, 하지층과, 미리정해진패턴을갖는포토레지스트가순서대로적층된피처리체의포토레지스트에대하여, 4염화규소가스, 메탄가스및 수소가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마에의해규소및 탄소를포함하는보호층을퇴적시킨다. 에칭공정은, 보호층이퇴적된포토레지스트를마스크로하여, 제1 처리가스와는상이한제2 처리가스의플라즈마에의해하지층을에칭한다.

公开(公告)号：KR1020170041154A

公开(公告)日：2017-04-14

申请号：KR1020160128933

申请日：2016-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  히사마츠도루 ,  혼다마사노부 ,  오이시도모유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

Abstract: (과제) 피처리체상의패턴형성에있어서정밀한최소선폭의제어와안정된최소선폭의재현성등을실현하기위한방법을제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치의처리용기내에아미노실란계가스를포함하는제 1 가스를공급하는제 1 공정과제 1 공정의실행후에처리용기내의공간을퍼지하는제 2 공정과제 2 공정의실행후에처리용기내에서산소가스를포함하는제 2 가스의플라즈마를생성하는제 3 공정과제 3 공정의실행후에처리용기내의공간을퍼지하는제 4 공정을포함하는시퀀스를반복실행하여처리용기내에실리콘산화막을형성하는형성공정과, 피처리체를처리용기내에수용하기전에행하는준비공정과, 처리용기내에수용된피처리체에대하여에칭처리를행하는처리공정을구비하고, 준비공정은처리공정의전에행해지고형성공정은준비공정에서실행되고또한처리공정에서실행되고제 1 공정은제 1 가스의플라즈마를생성하지않는다.

Abstract translation: （要解决的问题）提供一种用于实现准确的最小线宽控制和在待处理对象上的图案形成中稳定的最小线宽再现性的方法。 向等离子体处理装置的处理容器内供给含有氨基硅烷系气体的第一气体的第一处理;在处理执行后清除处理容器内的空间的第二处理。 在容器内产生含有氧气的第二气体的等离子体的第三步骤;以及第四步骤，在执行第三步骤之后清洗处理容器中的空间，由此在处理容器中形成氧化硅膜 以及处理工序，对容纳在处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，在处理工序之前进行准备工序，在准备工序中进行成形处理 并且也在处理步骤中执行，并且第一处理不产生第一气体的等离子体。

公开(公告)号：KR1020170006278A

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：KR1020160085395

申请日：2016-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다바타마사히로 ,  가츠누마다카유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76897 ,  H01L2221/1063

Abstract: (과제) 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여선택적으로에칭하는방법을제공한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, 제 1 영역및 제 2 영역을갖는피처리체를플라즈마처리장치의처리용기내에준비하는공정과, 처리용기내에있어서, 플루오로카본가스및 희가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 처리가스의플라즈마를생성하는상기공정에있어서, 자기바이어스전위가 4V 이상, 350V 이하이다. 또한, 처리가스중의플루오로카본가스의유량에대하여처리가스중의희가스의유량은, 250배이상, 5000배이하이다.

Abstract translation: 一种用于相对于第二氮化硅区域选择性蚀刻氧化硅的第一区域的方法包括：在等离子体处理设备的处理室中制备包括第一区域和第二区域的目标物体; 以及在所述处理室中产生含有碳氟化合物气体和稀有气体的处理气体的等离子体。 在产生处理气体的等离子体中，安装目标物体的下电极的自偏压电位大于或等于4V且小于或等于350V，并且稀土气体的流量在 处理气体是处理气体中的碳氟化合物气体的流量的250〜5000倍。

公开(公告)号：KR1020160028370A

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：KR1020150121028

申请日：2015-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도무라마주 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897

Abstract: 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대해선택적으로에칭하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, (a) 제 1 영역및 제 2 영역을갖는피처리체를, 플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마에노출시키는제 1 공정으로서, 제 1 영역을에칭하고, 또한제 1 영역및 제 2 영역상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하는, 해당제 1 공정과, (b) 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는제 2 공정을포함한다. 이방법의제 1 공정에서는플라즈마가펄스형상의고주파전력에의해생성된다. 또한, 제 1 공정과제 2 공정이교대로반복된다.

Abstract translation: 提供了一种用于相对于由氮化硅制成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅制成的第一区域的方法。 该方法包括：第一步骤，将具有第一区域和第二区域的被处理物体暴露于含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，蚀刻第一区域，以及在第一区域上形成含有碳氟化合物的沉积物， 第二区 以及由所述沉积物中所含的碳氟化合物的基团蚀刻所述第一区域的第二步骤。 在第一步骤中，通过以脉冲方式提供的高频功率产生等离子体。 此外，交替地重复第一步骤和第二步骤。 因此，该方法抑制了第一区域中的蚀刻速率的降低，并且提高了相对于第二区域蚀刻第一区域的选择性。

公开(公告)号：KR1020140068090A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147007790

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877

Abstract: 종래 기술의 상부 DC 인가 방식의 장점을 유지하고, 또한 상부 DC 인가 방식의 단점을 해소하는 것이다. 이 용량 결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서, 서셉터(하부 전극)(16)에는, 플라즈마의 생성에 주로 기여하는 제 1 고주파(RF
H )와 이온 인입에 주로 기여하는 제 2 고주파(RF
L )가 중첩하여 인가된다. 한편 상부 전극(46)에는, 교류 전원(64)으로부터 정합기(66) 및 블로킹 콘덴서(68)를 개재하여 일정 주파수의 교류(AC)가 인가된다. 이 교류(AC)는 플라즈마 중의 이온이 추종할 수 있는 주파수를 가지고, 교류 전원(64)에서 교류(AC)의 파워, 전압 파고값 또는 실효값을 가변할 수 있도록 되어 있다.

Abstract translation: 等离子体蚀刻方法包括：将目标衬底安装在第一电极上，所述第一电极设置成与处理室内具有预定间隙的第二电极平行，所述第二电极的基底材料含有硅或SiC; 在处理空间中产生基于碳氟化合物的蚀刻气体的等离子体; 将具有等离子体中的离子被允许跟随的频率的低频AC电力或高频AC电力施加到第二电极; 并且增加AC电力的有效电压值以增强在第二电极处的溅射，使得从基底材料溅射的硅与由氟碳基蚀刻气体产生的氟自由基反应产生SiF 4的反应产物，以照射附近产生的电子 第二电极到目标衬底并且增加处理室侧壁附近的等离子体电位。

公开(公告)号：KR101123502B1

公开(公告)日：2012-03-09

申请号：KR1020090027704

申请日：2009-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  나카야마히로유키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/67069

Abstract: 플라즈마에칭방법에있어서, 진공가능한처리용기내에서제 1 전극과제 2 전극을간격을두고평행하게배치하고, 상기처리용기내에부재를마련하고, 상기제 1 전극에대향시켜피처리기판을제 2 전극으로지지하고, 상기처리용기내를소정의압력으로진공배기하고, 상기제 1 전극과상기제 2 전극의사이의처리공간에에칭가스를공급하고, 상기제 1 전극또는제 2 전극에고주파를인가하여상기처리공간에서상기에칭가스의플라즈마를생성하고, 상기플라즈마하에서상기기판의표면의피가공막을에칭한다. 상기플라즈마에칭방법에서, 소정의에칭처리중에상기처리용기내에서상기기판으로부터떨어진장소에서상기플라즈마중의반응종과반응하여에칭되는상기부재에직류전압을인가하고, 적어도상기에칭가스에관한프로세스파라미터를일정하게유지하는소정의에칭프로세스에있어서, 상기피가공막에서원하는에칭특성이얻어지도록미리설정된시간-전압의함수에따라상기직류전압을시간축상에서가변한다.