公开(公告)号：KR102000797B1

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：KR1020140078688

申请日：2014-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사이토히토시 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  나이토하지메

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR101792310B1

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：KR1020140056267

申请日：2014-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  나이토하지메 ,  사토요시츠토무 ,  후루야아츠키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명은고출력화에의대응을용이하게할 수있는고주파전원을구비한플라즈마처리장치를제공한다. 제 1 고주파전원부(65)는전원제어부(130)와고주파전원(140)과결합기(150)를구비하고있다. 결합기(150)에는, 복수의증폭부(142)가병렬접속되어있고, 각증폭부(142)에서증폭된고주파전력을합성한다. 또, 결합기(150)는매칭박스(63)에접속되어있고, 결합기(150)에서합성된고주파전력은매칭박스(63)를거쳐상부전극으로서기능하는샤워헤드(31)에급전된다.

Abstract translation: 本发明提供一种配备有高频电源的等离子体处理装置，其能够容易地处理高功率输出。 第一RF电源单元65包括电力控制单元130，RF电源140和组合器150。 多个放大单元142并联连接到组合器150并且在各个放大单元142中组合放大的高频功率。 组合器150连接到匹配盒63.在组合器150中合成的高频功率经由匹配盒63馈送到充当上电极的喷头31。

公开(公告)号：KR101775751B1

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：KR1020130134997

申请日：2013-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사토요시츠토무 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명의과제는대형의피처리기판에대해서, 금속창을사용하여균일한플라즈마처리를실행할수 있는유도결합플라즈마처리장치를제공하는것이다. 직사각형의기판에유도결합플라즈마처리를실시하는유도결합플라즈마처리장치로서, 기판을수용하는처리실과, 처리실내의기판이배치되는영역에유도결합플라즈마를생성하기위한고주파안테나와, 유도결합플라즈마가생성되는플라즈마생성영역과고주파안테나사이에배치되고, 기판에대응하여마련된직사각형을이루는금속창을구비하고, 금속창(2)은장변(2a)을포함하는제 1 영역(201)과, 단변(2b)을포함하는제 2 영역(202)으로전기적으로절연되도록분할되고, 또한제 2 영역(202)의반경방향의폭(a)과제 1 영역(201)의반경방향의폭(b)의비(a/b)가 0.8 이상 1.2 이하의범위가되도록분할되어있다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种用于将要处理的大型基板，感应，这可以通过使用耦合型等离子体处理装置中的金属窗口运行一个均匀的等离子体处理。 对于矩形衬底上进行的感应耦合等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置，和用于产生在所述处理室中的电感耦合等离子体，并且其中所述基板设置在处理室中，用于接收所述衬底的区域中的高频天线，则产生感应耦合等离子体 它被设置在等离子体生成区域和所述高频天线是之间，设置有金属窗形成与所述衬底，金属窗口相对应地布置的矩形，（2）的第一区域201和短边包括eunjang侧（2A）（2B ），第二区域202被划分，以便被电绝缘，并且第二区域202，在第一区域（201）的径向方向上的宽度（a）中分配宽度，（b）中UIBI（一个在容纳的径向方向 / b）在0.8以上且1.2以下的范围内。

公开(公告)号：KR1020170070853A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：KR1020170072337

申请日：2017-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키 ,  도죠도시히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

Abstract: (과제) 플라즈마에관여하는고주파전력을적어도 2개의고주파전원으로부터각각상부전극및/또는하부전극에공급하는방식의플라즈마처리장치에있어서, 반사파의변동을확실하게검출하고, 이상방전의발생을미연에방지한다. (해결수단) 임계치설정부(123)는, 제 2 고주파전원부(75)로부터의고주파의공급이안정된후, 시각 T3에제 1 고주파전원부(65) 및제 2 고주파전원부(75)에있어서, 차단용임계치의레벨을, 함께상대적으로낮은레벨로전환한다. 이차단용임계치의상대적으로낮은레벨은, 제 1 고주파전원부(65) 및제 2 고주파전원부(75)에있어서, 함께같은시간(시각 T3으로부터 T4까지) 계속된다. 시각 T4에제 1 고주파전원부(65)에서 1회째의전력공급의증가가개시되면, 임계치설정부(123)는차단용임계치를다시설정하고, 각각, 상대적으로높은레벨로끌어올린다. 이상대적으로높은레벨은, 제 1 고주파전원부(65) 및제 2 고주파전원부(75)에있어서, 함께같은시간(시각 T4로부터 T6까지) 계속된다.

Abstract translation: （问题），其涉及在等离子体中从所述至少两个射频发生器上电极和/或所述系统的等离子体处理装置，将被供应到下电极，且可靠地检测反射波的变化的每个高频电源，和异常放电的未拉伸的发生 防止。 [解决问题的手段阈值设定单元123，在第二高频电源75 robuteoui高频的供给稳定之后，在时间T3 EJE第一高频电源65 mitje第二高频电源部75，用于该块的阈值 一起将级别切换到相对较低的级别。 二次孙丹勇阈值相对低的水平，在第一高频电源部65，高频电源2 mitje 75，继续使用相同的时间（从时刻T3至T4）在一起。 当时间T4 EJE 1增加的在高频电源65的第一次电源启动时，阈值设定单元123所设定的阈值对于块和背面，分别相对于上拉至高电平。 理想地，高电平一起在第一高频电源单元65和第二高频电源单元75中同时（从时间T4到T6）继续。

公开(公告)号：KR1020140107124A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：KR1020140017012

申请日：2014-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키 ,  히카와가즈시

IPC: H05H1/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: An objective of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of exactly detecting generation of arc discharge. A plasma processing apparatus (10) for performing processing on a substrate G using plasma includes: a chamber (11) to which high frequency power is supplied to generate plasma therein; a first differentiation circuit (21) to temporally differentiate a traveling wave voltage Vf of high frequency power; a second differentiation circuit (23) to temporally differentiate a reflective wave voltage Vr of high frequency power; a comparator (22) to calculate dVr/dt-dVf/dt and to determine that arc discharge is generated in a chamber (11) when the dVr/dt-dVf/dt exceeds an arc discharge detection value; and a diode (25) to control the dVf/dt to be 0 so that the dVr/dt-dVf/dt is reduced when dVf/dt is negative.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能精确检测电弧放电产生的等离子体处理装置。 使用等离子体对基板G进行处理的等离子体处理装置（10）包括：向其供给高频电力以在其中产生等离子体的室（11）; 第一微分电路（21），用于在时间上区分高频功率的行波电压Vf; 第二微分电路（23），用于在时间上区分高频功率的反射波电压Vr; 当dVr / dt-dVf / dt超过电弧放电检测值时，计算dVr / dt-dVf / dt并确定在室（11）中产生电弧放电的比较器（22） 以及将dVf / dt控制为0的二极管（25），使得当dVf / dt为负时dVr / dt-dVf / dt减小。

公开(公告)号：KR1020130139779A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020130066588

申请日：2013-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  덴포가즈키 ,  기무라다카후미 ,  고시미즈치시오 ,  사사키가즈오 ,  나이토하지메 ,  후루야아츠키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32183 ,  H05H1/46

Abstract: A plasma treatment apparatus is provided, which is capable of simplifying the configuration thereof and preventing the deterioration of plasma generation efficiency. The plasma treatment apparatus (10) comprises: a chamber (11); a mount (12) arranged inside the chamber (11) to mount a substrate (S); an ICP antenna (13) arranged to be opposite to the mount (12) outside the chamber (11) and connected to a high-frequency power source (26); and a window member (14) interposed between the mount (12) and the ICP antenna (13) and made up of a conductor, wherein the window member (14) is divided into a plurality of segments (27) and the segments (27) are insulated from each other and connected to a wire (29) or a wire (30) having a condenser attached thereto to form a closed circuit (31).

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，其能够简化其构造并且防止等离子体产生效率的劣化。 等离子体处理装置（10）包括：腔室（11）; 布置在所述腔室（11）内部以安装衬底（S）的安装件（12）; ICP天线（13），布置成与腔室（11）外部的安装件（12）相对并连接到高频电源（26）; 以及插入在所述安装件（12）和所述ICP天线（13）之间并由导体构成的窗构件（14），其中所述窗构件（14）被分成多个段（27）和所述段（27） ）彼此绝缘并且连接到具有连接到其上的冷凝器的线（29）或线（30）以形成闭合回路（31）。

公开(公告)号：KR101219054B1

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020100032292

申请日：2010-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토 ,  후루야아츠키

IPC: H01L21/687 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00 ,  H01L21/205

Abstract: 내전압 성능의 문제를 발생시키지 않고 절연 피막을 얇게 형성하여 필요한 흡착력을 확보할 수 있고, 정전기 제거가 불필요한 정전 흡착 전극을 제공한다.
글라스 기판(G)을 정전력에 의해 흡착 보지하는 기판 보지면을 구비한 정전 흡착 전극(정전 척)(6)으로서, 기재(5) 상에 설치되며 용사에 의해 형성된 절연 피막(41)과, 상기 절연 피막(41) 중에 설치된 양전압이 인가되는 제 1 전극층(42a) 및 음전압이 인가되는 제 2 전극층(42b)을 구비한다.

公开(公告)号：KR101073350B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090044113

申请日：2009-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키 ,  도죠도시히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명은척 전극에직류전압을인가할때 및차단할때의척 등가회로의시정수를작게하여, 전하의저류및 전하의방출을각각신속하게행하도록한 탑재대기구를제공한다. 이를위해서, 처리용기(52) 내에서플라즈마처리가실시되는피처리체 W를탑재하는탑재대기구에있어서, 탑재대(84)와, 내부에척 전극(114)이마련된정전척(86)과, 급전라인(116)을통해서접속된직류고압전원(120)과, 급전라인에개설한척용스위치부(124)와, 탑재대의직류성분을검출하는직류성분검출회로(96)와, 직류성분검출회로를바이패스하는바이패스라인(108)과, 바이패스라인의도중에마련되어직류성분검출회로를바이패스시켜서탑재대를접지시키는바이패스용스위치부(110)와, 스위치부를제어하는스위치제어부(112)를구비한다.

公开(公告)号：KR1020100062917A

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020090111872

申请日：2009-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키 ,  도죠도시히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and an operation method of the same are provided to perform a control operation which changes the output power of a high frequency power by calculating the power value of the reflection wave which is reflected form the high frequency power. CONSTITUTION: A high frequency power(21) outputs high frequency. A high frequency power unit(2) comprises power control units(211, 311) and a reflected wave measurement unit. The power control units control the supply of the high frequency power. The reflected wave measurement unit measures the power value of the reflected wave which is reflected from the high frequency power. A timing signal generation part(22) applies timing signal to the power control units for an output enlargement.

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置及其操作方法，以通过计算从高频功率反射的反射波的功率值来执行改变高频功率的输出功率的控制操作。 构成：高频功率（21）输出高频。 高频功率单元（2）包括功率控制单元（211,311）和反射波测量单元。 功率控制单元控制高频电源的供应。 反射波测量单元测量从高频功率反射的反射波的功率值。 定时信号生成部件（22）将定时信号施加到功率控制单元用于输出放大。