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公开(公告)号：KR1020150123209A
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：KR1020150144283
申请日：2015-10-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 본발명은, 전극상의기판의전압변화를효과적으로억제하고, 기판에입사하는이온의입사에너지의변동을억제한기판처리장치및 기판처리방법을얻는것을과제로한다. 그해결수단으로서, 기판처리장치는, 기판을주면에유지하는제 1 전극과, 제 1 전극에대향하는제 2 전극과, 제 1 전극에대하여주파수가 40㎒이상인 RF 전압을인가하는 RF 전원과, RF 전압에중첩하여, 시간의경과에대응하여전압이저하하는펄스전압을제 1 전극에인가하는펄스전압인가부를구비한다.
Abstract translation: 本发明是为了获得用于有效地抑制电极上的基板的电压变化并抑制由基板接收的离子的入射能量的变化的基板处理装置和基板处理方法。 为此，基板处理装置包括：用于将基板保持在主圆周的第一电极; 面对所述第一电极的第二电极; 以及用于向所述第一电极提供RF功率和脉冲电压的脉冲电源单元，其中所述RF功率向所述第一电极施加具有40MHz频率以上的RF电压，并且所述脉冲电压响应于时间的流逝而降低电压，以及 与RF电压重叠。
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公开(公告)号：KR101439580B1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：KR1020100028811
申请日：2010-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 기판 처리 방법은 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실내에 배치되어 상기 기판을 보지하도록 형성된 하부 전극과, 상기 수용실내에 플라즈마 생성용 고주파 전력을 인가하는 전력 인가부와, 상기 하부 전극에 바이어스용 고주파 전력을 인가하는 바이어스 전력 인가부를 포함하는 기판 처리 장치를 사용한다. 상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 여기 전력 인가부의 출력을 소정의 타이밍으로 변경해서 상기 가스 여기용 고주파 전력이 간헐적으로 변화되도록 제어하고, 또한, 상기 여기 전력 인가부의 제어에 의해 상기 수용실내에 플라즈마가 없는 상태 또는 애프터글로우 상태인 때에는, 상기 바이어스 전력 인가부를 오프로 하거나 또는 그 출력이, 상기 여기 전력 인가부의 출력이 설정 출력인 경우에 있어서의 상기 바이어스 전력 인가부의 출력보다 감소하도록 제어한다.
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公开(公告)号：KR101124938B1
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020090024130
申请日：2009-03-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01J37/32642
Abstract: 본 발명은 넓은 RF 주파수 영역 또한 넓은 RF 파워 영역에서 플라즈마 프로세스의 면내 균일성을 향상시키는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 챔버(10)내에는 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 서셉터(하부 전극)(12)와 상부 전극(38)이 평행하게 대향해서 배치된다. 서셉터(12)에는 제 1 고주파 전원(32)으로부터 플라즈마 생성용의 제 1 고주파가 인가된다. 서셉터(12)의 측면과 상면 주변부(에지부)는 유전체(16)를 사이에 두고, 챔버(10)의 바닥벽으로부터 수직 위쪽으로 연장하는 RF 접지부재(18)로 덮여 있다. 배기로(20)의 상부에 부착되는 배기 링(22)의 위에 핀 부재(25)가 마련된다.
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公开(公告)号：KR1020100109513A
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020100028811
申请日：2010-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: PURPOSE: The substrate processing apparatus and the method for treating substrates using this. The generation of heat caused by the direct current voltage can be shirked. The damage of the bias voltage impressing part by the load increase can be prevented tellingly. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus(60) and the method for treating substrates using this. The accepting chamber, bottom electrode, activating electricity application portion, bias power application portion is included. The accepting chamber accepts substrate. In order to be arranged within the accepting chamber and it preserves substrate the bottom electrode is formed.
Abstract translation: 目的：使用该基板处理装置及其处理基板的方法。 由直流电压产生的热量可以推出。 可以有效地防止偏置电压施加部分的负载增加的损坏。 构成：基板处理装置（60）及其处理基板的方法。 包括接收室，底部电极，激活电力施加部分，偏置电力施加部分。 接收室接受基板。 为了布置在接收室内并且保持基板，形成底部电极。
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公开(公告)号：KR1020100100713A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020100020153
申请日：2010-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 히모리신지
IPC: C23C14/40 , H01L21/203 , H01L21/3065 , H05H1/34
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/3255 , H01J2237/03
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and an electrode for the same are provided to generate plasma of uniform density by gradually increasing the impedance of the central portion to be higher than that of the edge portion in the electrode. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus comprises a processing container, first and second electrodes, and a high-frequency power supply. The first and the second electrode are installed opposite to each other inside the processing container so that a processing space is formed between the electrodes. At least one of the first and the second electrode is composed of a metal base, a first dielectric formed in the central portion of the base, and a first resistor formed between the first dielectric and plasma.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置及其电极，以通过逐渐增加中心部分的阻抗而高于电极中的边缘部分的阻抗来产生均匀密度的等离子体。 构成：等离子体处理装置包括处理容器，第一和第二电极以及高频电源。 第一和第二电极在处理容器内彼此相对地安装，使得在电极之间形成处理空间。 第一电极和第二电极中的至少一个由金属基底，形成在基底的中心部分的第一电介质和形成在第一电介质和等离子体之间的第一电阻构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090027255A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：KR1020097001866
申请日：2001-04-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32532
Abstract: A plasma processing apparatus for plasma processing using a high-density plasma and adaptable to finer microfabrication comprise an electrode plate provided with an upper electrode having a dielectric member or a cavity and a lower electrode serving as a susceptor and opposed to the upper electrode. The size and dielectric constant of the dielectric member are determined so that resonance may be caused by the frequency of high-frequency power fed to the central portion of the back of the electrode and that the electric field is perpendicular to the electrode plate may be produced so as to reduce the uneveness of the distribution of the electric field over the top surface of the electrode.
Abstract translation: 一种使用高密度等离子体等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，具有具有电介质部件或空腔的上部电极的电极板和作为基座的下部电极，与上部电极相对。 确定电介质构件的尺寸和介电常数，使得可以由馈送到电极背部的中心部分的高频电力的频率引起共振，并且可能产生与电极板垂直的电场 以减少在电极顶表面上的电场分布的不均匀性。
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公开(公告)号：KR100700763B1
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020027004694
申请日：2000-10-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 100㎒ 이상의 고주파전력을 공급하는 경우라도, 대형화를 초래하지 않고, 정합시간이 길어지지 않아, 고주파부하의 임피던스를 전송로 임피던스에 충분히 정합시킬 수 있는 정합기 및 그것을 사용한 플라즈마처리장치를 제공하는 것이다.
정합기(41)는, 고주파전원(40)으로부터의 고주파에너지를 플라즈마 생성전극 (21)으로 전송하는 공진막대(61)와, 공진막대(61) 및 전극(21)에 직렬로 접속되어 임피던스 복소수의 허수부를 조정하는 가변콘덴서(62)와, 공진막대(61)의 외부에 설치되어 접지된 하우징(63)과, 공진막대(61)로 고주파에너지를 여기시키고 또 임피던스 복소수의 실수부를 조정하는 링크코일(64)과, 고주파전원(40)으로부터 플라즈마를 통해 접지에 달할 때까지의 사이에 정합상태로 직렬공진회로를 구성하도록 가변콘덴서(62)및 링크코일(64)의 구동부를 제어하는 제어기(69)를 구비한다.Abstract translation: 当提供超过100㎒任何高频功率，而不会造成大的尺寸，匹配时间不再支持，以提供匹配的装置，其能够在传输线到高频负载的阻抗的阻抗基本上匹配并使用相同的等离子体处理装置 。
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公开(公告)号：KR1020060105668A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020060029690
申请日：2006-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , C23C14/34 , C23C16/505 , H01L21/67069
Abstract: 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
진공 분위기로 유지되는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 서로 평행하게 배치된 제 1 및 제 2 전극(2, 18)과, 제 1 및 제 2 전극(2, 18)의 사이에 고주파 전계를 형성하여 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구(10)를 갖는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 제 2 전극(18)은, 그 적어도 제 1 전극(2)과의 대향 부분이, 도체로 이루어지고 플로팅 상태이거나 또는 접지되어 있는 제 1 분할편(18c1) 및 제 2 분할편(18c2)으로 분할되어 있고, 제 1 분할편(18c1) 및 제 2 분할편(18c2)의 사이에 전압을 인가하는 가변 직류 전원을 더 갖는다.Abstract translation: 高的面内均匀性的等离子体处理时，也提供了耦合的电荷的等离子处理装置是难以发生的电容耦合式损害的能力。
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公开(公告)号：KR100181553B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950700876
申请日：1994-07-05
Applicant: 가부시끼가이샤 도시바 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/50
CPC classification number: H01L21/76865 , C23C16/045 , C23C16/34 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 본 발명의 박막형성방법은, 표면에 홈이 형성된 반도체 기판(1)이 수용된 성막실내를 10
-4 Torr대 이하로 배기한 후, 성막실내에 TiCl
4 , 수소, 질소 및 NF
3 의 가스를 도입하고, 이어서 이들 가스를 플즈마화하여 홈의 측벽부 이외의 부분에 TiN박막(2)을 선택적으로 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019970072182A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019970016362
申请日：1997-04-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명의 플라즈마 에칭장치(2)는 샤워헤드(30)의 가스분출면(34)으로부터 불활성가스와 반응성가스를 공급함과 동시에, 이들 가스를 고주파방전을 통하여 플라즈마화하고, 이 플라즈마를 이용하여 서셉터(8)상의 반도체웨이퍼(W)에 대하여 에칭한다. 불활성가스는, 가스분출면(34)의 거의 전면에 걸쳐 형성된 불활성가스 분출구멍(34)으로부터 연속적으로 공급된다. 반응성가스는 가스분출면(34)의 거의 전면에 걸쳐 형성되고 또한 복수의 그룹으로 분할된 반응성 가스 분출구멍(3A~36D)으로부터 그룹마다 시분할적으로 반복하여 공급된다.
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