公开(公告)号：KR1020060084051A

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：KR1020050004312

申请日：2005-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형래 ,  강율 ,  우상균 ,  류만형 ,  이석주

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338

Abstract: 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판 상에 제1 조사량에서 노광 반응이 개시되는 제1 포토레지스트막을 형성하는 것을 포함한다. 여기서, 상기 제1 포토레지스트막은 포지티브 포토레지스트막으로 형성된다. 상기 제1 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트막 패턴들을 형성한다. 상기 제1 포토 레지스트막 패턴들을 갖는 반도체기판 상에 상기 제1 조사량과 같거나 그보다 작은 제2 조사량에서 노광 반응이 종료되는 제2 포토레지스트막을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 상기 제1 포토레지스트막 패턴들 사이에 제2 포토레지스트막 패턴들을 형성한다.
포지티브 포토레지스트막, 네거티브 포토레지스트막, 두 번의 포토리소그래피 공정, 조사량, 미세 패턴

公开(公告)号：KR1020000028101A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019980046237

申请日：1998-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  강율 ,  ㅐㅔ쳬 ,  문주태

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: PURPOSE: A method is provided to form a photoresist pattern defining the opening of a small critical value by employing a photoresist composition having large contrast and easily controlling the flow rate. CONSTITUTION: A material film(110) desired to be patterned on a semiconductor substrate(100) is formed, and a photoresist film(120) is formed on the material film by painting the photoresist consisting of a copolymer mixture I, a copolymer mixture II, and an organic base. Then, the photoresist film is pre-exposure baked. And, the photoresist film is exposed on a mask substrate(210) by employing a half-tone phase shift mask(200) having a half-tone phase shift pattern(220) for post-exposure baking the photoresist film in a short time again. Then, a first photoresist pattern defining the opening of first size is completed by developing with a proper developer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用具有大对比度且容易控制流速的光致抗蚀剂组合物形成限定小临界值开口的光刻胶图案的方法。 构成：形成期望在半导体衬底（100）上被图案化的材料膜（110），并且通过涂覆由共聚物混合物I，共聚物混合物II组成的光致抗蚀剂膜，在材料膜上形成光致抗蚀剂膜（120） ，和有机碱。 然后，对光致抗蚀剂膜进行预曝光烘烤。 并且，通过采用具有半色调相移图案（220）的半色调相移掩模（200），再次在短时间内对光致抗蚀剂膜进行后曝光烘烤，将光致抗蚀剂膜曝光在掩模基板（210）上 。 然后，通过用适当的显影剂显影来确定限定第一尺寸开口的第一光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR1019980032539A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019970051055

申请日：1997-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  박춘근 ,  고영범 ,  최상준 ,  정동원

IPC: G03F7/028

Abstract: 본 발명은 화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.

식중 R
1 및 R
2 는 히드록시 또는 카르복실산기를 가지는 C
0 ∼C
10 의 지방족 탄화수소이고, R
3 은 수소 또는 메틸이고, R
4 는 t-부틸 또는 테트라히드로피라닐이고, m 및 n은 정수이다.
또한, 본 발명은 화학식 2의 고분자 및 PAG를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.

식중, x는 C
5 ∼C
8 의 사이클릭(Cyclic) 또는 앨러사이클릭(Alicyclic) 화합물이고, R
1 은 수소, 메틸(Methyl)로 이루어지는 군에서 선택되며, R
2 는 t-부틸, 테트라히드로피라닐(Tetrahydropyranyl), 아다맨틸(Adamantyl)로 이루어지는 군에서 선택되는 한편, m 및 n은 정수로서 n/(m+n)=0.1∼0.5이다.
본 발명에 의하면, 현상시에 현상액으로서 통상의 방법에서 사용하는 현상액을 사용하는 것이 가능하고, 뛰어난 식각내성을 가지며, 막질에 대하여 우수한 접착력을 제공한다.

公开(公告)号：KR101983672B1

公开(公告)日：2019-05-30

申请号：KR1020120125596

申请日：2012-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  후지필름 가부시키가이샤

Inventor： 이형래 ,  카토케이타 ,  나카무라아츠시 ,  강율 ,  홍석구 ,  김재호 ,  이동준 ,  이시영

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020130015429A

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：KR1020110077413

申请日：2011-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형희 ,  강율 ,  이송세 ,  김재호 ,  김영호

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/115

Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern with an etch-back process is provided to form a dual pattern by using organic materials in a semiconductor device manufacturing process. CONSTITUTION: A bottom layer(110) is formed on a substrate(100). An antireflection layer(140) with organic materials is formed on the bottom layer. A first mask pattern(150) is formed on the antireflection layer. A sacrificial layer covering the surfaces of the first mask patterns is formed. A part of the sacrificial layer near the first mask patterns is changed into a sacrificial pattern(160a).

Abstract translation: 目的：提供用于形成具有回蚀工艺的图案的方法，以通过在半导体器件制造工艺中使用有机材料形成双重图案。 构成：底层（110）形成在基底（100）上。 在底层上形成有机材料的防反射层（140）。 在防反射层上形成第一掩模图案（150）。 形成覆盖第一掩模图案的表面的牺牲层。 第一掩模图案附近的牺牲层的一部分被改变为牺牲图案（160a）。

公开(公告)号：KR1020110024587A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：KR1020090082645

申请日：2009-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형희 ,  강율 ,  문성호 ,  오석환 ,  한소라 ,  최성운

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L21/0271

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a high integrated device without investment in equipment by easily forming a fine pattern with a simple photolithography process. CONSTITUTION: A first mask pattern(115) is formed on a semiconductor substrate(100) with a preset space. A capping layer is formed on the side and upper side of the first mask pattern. A combination capping layer(135) ion-combined with the first mask pattern is formed by applying combination energy. A second mask layer(140) made of materials with lower solubility than the solubility of the combination capping layer is formed between the combination capping layers on the first mask. The second mask pattern is formed by removing the upper side of the second mask layer and the combination capping layer with a solvent.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过简单的光刻工艺容易地形成精细图案来制造高集成器件而无需投资设备。 构成：第一掩模图案（115）以预设空间形成在半导体衬底（100）上。 在第一掩模图案的侧面和上侧形成覆盖层。 通过施加组合能形成与第一掩模图案离子组合的组合覆盖层（135）。 在第一掩模上的组合覆盖层之间形成由比组合封盖层的溶解度低的溶解度的材料制成的第二掩模层（140）。 通过用溶剂去除第二掩模层的上侧和组合覆盖层来形成第二掩模图案。

公开(公告)号：KR1020080067132A

公开(公告)日：2008-07-18

申请号：KR1020070004324

申请日：2007-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이숙 ,  이석주 ,  강율 ,  조한구

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

Abstract: A method for forming a pattern of a semiconductor device and a forming apparatus thereof are provided to form a uniform pattern of the semiconductor device by removing an acid caused by an exposure process. A photoresist layer is formed by coating a photoresist on a substrate(S10). A selective exposure process is performed to expose selectively a pattern region of the photoresist layer(S20). A selective deprotecting reaction process for the photoresist of the pattern region is selectively performed by applying solar energy to the photoresist layer(S30,S40). A developing process is performed to remove the pattern region(S50). The photoresist is a chemically amplified resist. The solar energy applies the active energy of the deprotecting reaction process to the photoresist.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体器件的图案的方法及其形成装置，以通过除去由曝光处理引起的酸而形成半导体器件的均匀图案。 通过在基板上涂布光致抗蚀剂来形成光致抗蚀剂层（S10）。 执行选择性曝光处理以选择性地曝光光致抗蚀剂层的图案区域（S20）。 通过向光致抗蚀剂层施加太阳能来选择性地执行用于图案区域的光致抗蚀剂的选择性脱保护反应方法（S30，S40）。 执行显影处理以去除图案区域（S50）。 光致抗蚀剂是化学放大抗蚀剂。 太阳能将去保护反应过程的活性能应用于光致抗蚀剂。

公开(公告)号：KR100761857B1

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020060086994

申请日：2006-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  조한구 ,  여기성 ,  강율 ,  이지영 ,  이두열

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/3065

Abstract: A method for forming a fine pattern in a semiconductor device and a method for fabricating a semiconductor device using the same are provided to simplify a process by forming a mask pattern through a process of patterning a photoresist layer only. A first hard mask layer(24) and a second hard mask layer(26) are formed on a semiconductor substrate(20). A photoresist pattern having a first line width(W12) and a first pitch(P11) is formed on the second hard mask layer. A mask material layer is formed on the photoresist pattern and the substrate. The mask material layer is etched to form a mask pattern(34) having a second pitch on a sidewall of the photoresist pattern. The photoresist pattern is removed, and the second hard mask layer is etched to form a first hard mask pattern. The substrate is etched to form a fine pattern having the second pitch.

Abstract translation: 提供了一种用于在半导体器件中形成精细图案的方法和使用其制造半导体器件的方法，以通过仅通过图案化光致抗蚀剂层的工艺来形成掩模图案来简化工艺。 第一硬掩模层（24）和第二硬掩模层（26）形成在半导体衬底（20）上。 在第二硬掩模层上形成具有第一线宽（W12）和第一间距（P11）的光刻胶图案。 在光致抗蚀剂图案和基板上形成掩模材料层。 蚀刻掩模材料层以在光致抗蚀剂图案的侧壁上形成具有第二间距的掩模图案（34）。 去除光致抗蚀剂图案，并且蚀刻第二硬掩模层以形成第一硬掩模图案。 蚀刻基板以形成具有第二间距的精细图案。

公开(公告)号：KR100639680B1

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：KR1020050004312

申请日：2005-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형래 ,  강율 ,  우상균 ,  류만형 ,  이석주

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0035 ,  G03F7/0045

Abstract: 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판 상에 제1 조사량에서 노광 반응이 개시되는 제1 포토레지스트막을 형성하는 것을 포함한다. 여기서, 상기 제1 포토레지스트막은 포지티브 포토레지스트막으로 형성된다. 상기 제1 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트막 패턴들을 형성한다. 상기 제1 포토 레지스트막 패턴들을 갖는 반도체기판 상에 상기 제1 조사량과 같거나 그보다 작은 제2 조사량에서 노광 반응이 종료되는 제2 포토레지스트막을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 상기 제1 포토레지스트막 패턴들 사이에 제2 포토레지스트막 패턴들을 형성한다.
포지티브 포토레지스트막, 네거티브 포토레지스트막, 두 번의 포토리소그래피 공정, 조사량, 미세 패턴

公开(公告)号：KR1020060056712A

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：KR1020040095893

申请日：2004-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하타미쯔히로 ,  우상균 ,  강율 ,  류만형 ,  하정환 ,  김현우

IPC: G03F7/004

CPC classification number: C08G61/12 ,  C08G61/02 ,  C08G65/4081 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/091 ,  G03F7/09

Abstract: 3,3'-디인데닐 구조를 가지는 모노머 유니트를 베이스로 하여 그보다 확장된 p-전자 짝계를 가지는 바텀 레지스트용 폴리머 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 바텀 레지스트용 폴리머는 3,3'-디인데닐 구조를 가지는 다음 식의 반복 단위로 이루어진다.

3,3'-디인데닐, 폴리머, 가교 결합, BLR, 바텀 레지스트