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公开(公告)号：KR1020170051146A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020160040357
申请日：2016-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/02 , H01L29/778 , H01L27/06 , H01L29/772
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L27/0617 , H01L27/0629 , H01L29/772 , H01L29/778
Abstract: 본발명은 Sense-FET를사용한안정화회로구조를제안한다. 본발명에따른전력반도체모듈은 D-Mode FET와상기 D-Mode FET와동일한구조를가지며면적을달리하는 Sense-FET를포함한다. 전력반도체모듈은 Sense-FET의구동을위해필요한 E-Mode FET 뿐만아니라, 저항, 커패시터, 인덕터, 또는다이오드등과같은회로소자를포함하는안정화회로를포함한다.
Abstract translation: 本发明提出了一种使用感测-FET的稳定电路结构。 根据本发明的功率半导体模块包括D模式FET和具有与D模式FET相同并且具有不同面积的结构的感测FET。 功率半导体模块包括稳定电路，包括一个电路元件，诸如以及E模式FET为意识-FET，电阻器，电容器，电感器，或二极管的操作所需的。
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公开(公告)号：KR1020170033219A
公开(公告)日：2017-03-24
申请号：KR1020160008222
申请日：2016-01-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66
Abstract: 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.
Abstract translation: 由此提供电子设备。 该电子器件包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体层和第二半导体层以及布置在第二半导体层上的源电极，栅电极和漏电极。 所述电子器件还包括场板，所述场板与所述源电极电连接并且在所述漏电极的方向上并且远离所述衬底朝向所述漏电极延伸。
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公开(公告)号：KR101695708B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020140002913
申请日：2014-01-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/473 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/32051 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체소자는기판상에제공된활성영역, 상기기판의일측에매립된단일공동으로구성된유입채널, 상기기판의타측에매립된단일공동으로구성된유출채널, 상기기판에매립된다수의공동들로구성되며일단은상기유입채널의측면에연결되고타단은상기유출채널의측면에연결되는복수개의마이크로채널들을포함하는마이크로채널어레이, 및상기마이크로채널들을이격시켜구분하는마이크로히트싱크어레이를포함할수 있다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：设置在衬底上的有源区; 入口通道形成为隐藏在所述基板的一侧中的单个空腔; 出口通道形成为埋在基板的另一侧中的单个腔; 微通道阵列，其包括多个微通道，其中所述多个微通道形成为埋在所述衬底中的多个空腔，并且所述微通道阵列的一端连接到所述入口通道的一侧，而另一端 的微通道阵列连接到出口通道的一侧; 以及将微通道彼此分离的微型散热器阵列。
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公开(公告)号：KR101677297B1
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020100131434
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L41/29 , H01L41/1136 , H01L41/31 , H01L41/316 , H01L41/317 , H01L41/318 , H02N2/188 , Y10T29/42
Abstract: 본발명은압전마이크로에너지수확기와이의제조방법에관한것으로, 기판; 상기기판내에기설정된깊이와폭을가지고형성되고, 상부가개방된구조를가지는열린공동; 상기기판상에형성되고, 포집된전기에너지를외부로전달하는제1 전극패드, 제2 전극패드; 일단이상기제1 전극패드에연결되고타단이상기열린공동의상부에부양되는중앙전극체와, 일단이상기제2 전극패드에연결되고타단이상기열린공동의상부에부양되는측면전극체를포함하고, 발생된전기에너지를포집하는전극체; 및상기중앙전극체및 상기측면전극체사이와상기전극체의상부면에형성되고, 기계적스트레인변화에상응하여전기에너지를발생하는압전막을포함하고, 각각임의의크기를갖는다수의소자로구성되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种压电微能量收集器及其制造方法，该方法包括：在基板上形成绝缘膜; 图案化绝缘膜并形成电极焊盘图案，中心电极图案和侧面电极图案; 在所述基板的内部形成开放空腔，以悬浮所述中心电极图案和所述侧面电极图案; 在电极焊盘图形，中心电极图案和侧面电极图案上设置导电膜，形成电极焊盘，中心电极和侧面电极; 以及形成压电膜以覆盖中心电极和侧电极之间的空间以及中心电极和侧电极的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101616157B1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020120077726
申请日：2012-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 게이트전극과드레인전극사이에형성되는필드플레이트를통해소자의항복전압을높이는동시에제조공정을더욱용이하게할 수있는전력반도체소자및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 실시예에의한전력반도체소자는, 기판상에형성되는소스전극과드레인전극, 상기소스전극과상기드레인전극사이에상기두 전극보다낮은높이로형성되며, 상기기판이노출되는식각부를포함하는유전층, 상기식각부상에형성되는게이트전극, 상기게이트전극과상기드레인전극사이의유전층상에형성되는필드플레이트및 상기필드플레이트와상기소스전극을연결하는메탈을포함한다.
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公开(公告)号：KR101596079B1
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020120062664
申请日：2012-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 별도의리소그라피공정과그에따른추가적인공정단계없이전계전극을형성함으로써제조비용을낮추고소자의안정성및 생산성을향상시킬수 있는전계효과트랜지스터및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 실시예에의한전계효과트랜지스터의제조방법은, 기판상에활성층, 캡층, 오믹금속층및 절연막을순차적으로형성하는단계; 상기절연막상에다층의감광막을형성하는단계; 상기다층의감광막을패터닝하여게이트전극을위한제 1 개구부및 전계전극을위한제 2 개구부를포함하는감광막패턴을형성하는단계; 상기감광막패턴을식각마스크로이용하여상기절연막을식각하되, 상기제 1 개구부를통해상기캡층이노출되도록상기제 1 개구부내의절연막을더욱깊게식각하는단계; 상기제 1 개구부를통해절연막이식각되어노출된캡층을식각하여게이트리쎄스영역을형성하는단계; 및상기게이트리쎄스영역과, 상기식각된절연막상에금속을증착하여게이트-전계전극층을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150077737A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166516
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/66 , H01L29/47 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC classification number: H01L21/3212 , H01L21/0254 , H01L21/283 , H01L21/28575 , H01L21/28581 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/475 , H01L29/778
Abstract: 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造氮化物半导体器件的方法。 提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括在生长衬底上形成电极，其中连续堆叠第一和第二氮化物半导体层，在每个电极上形成上部金属层，将第一氮化物半导体层的下表面暴露于第一氮化物半导体层的下表面 去除生长衬底，以及在暴露的第一氮化物半导体层的下表面上形成第三氮化物半导体层和下金属层。
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公开(公告)号：KR1020140076110A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120144273
申请日：2012-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/78 , H01L21/301
CPC classification number: H01L29/808 , H01L21/76898 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/432 , H01L29/454 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided. The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of: forming devices including a source electrode, a drain electrode and a gate electrode on a front surface of a substrate including a bulk silicon, a buried oxide layer, an active silicon, a gallium nitride layer, and an aluminum-gallium nitride layer sequentially stacked; etching a back surface of the substrate to form a via-hole penetrating the substrate and exposing a bottom surface of the source electrode; conformally forming a ground interconnection on the back surface of the substrate having the via-hole; forming a protective layer on the front surface of the substrate; and cutting the substrate to separate the devices from each other.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在包括体硅，掩埋氧化物层，活性硅，氮化镓的衬底的前表面上形成包括源电极，漏电极和栅电极的器件 层和依次层叠的氮化铝镓层; 蚀刻所述基板的背面以形成穿透所述基板的通孔并暴露所述源电极的底表面; 在具有通孔的基板的背面上共形地形成接地互连; 在所述基板的前表面上形成保护层; 并切割基板以将装置彼此分开。
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公开(公告)号：KR1020130055867A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121523
申请日：2011-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/188 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , H01L41/1134
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric micro-generator and a manufacturing method thereof are provided to facilitate mass production with a simple structure to use various kinds of materials as a proof mass and to easily combine a piezoelectric structure of a micro-generator with a package. CONSTITUTION: A piezoelectric micro-generator(100) includes a silicone base(180), a lower electrode(120), a piezoelectric film(130), an upper electrode(160), a proof mass(200), and a frame(220). The lower electrode is formed on the silicone base. The piezoelectric film is formed on the lower electrode and generates electric energy by responding to changes in mechanical strain. The upper electrode is formed on the piezoelectric film. The proof mass is combined with a part of the bottom surface of the silicone base and controls sensing frequency characteristics. The frame includes an open cavity of a certain size, and is combined with a part of the bottom surface of the silicone base in order to allow the proof mass to be located in the cavity, thereby enabling the piezoelectric structure to be suspended.
Abstract translation: 目的：提供一种压电微发电机及其制造方法，以便于以简单的结构进行批量生产，以使用各种材料作为检验质量，并且容易地将微型发电机的压电结构与封装结合。 构造：压电微发电机（100）包括硅基（180），下电极（120），压电薄膜（130），上电极（160），检验质量块（200）和框架 220）。 下电极形成在硅树脂基底上。 压电薄膜形成在下电极上，通过响应机械应变的变化产生电能。 上电极形成在压电膜上。 检测质量与硅酮底座的一部分底面结合，并控制感应频率特性。 该框架包括一定尺寸的开放空腔，并且与硅氧烷基底的一部分底面组合以便允许将检验物质定位在空腔中，从而使压电结构能够被悬挂。
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