公开(公告)号：KR1020070036355A

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：KR1020050091288

申请日：2005-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유한영 ,  백인복 ,  안창근 ,  임기주 ,  양종헌 ,  피웅환 ,  유민기 ,  박찬우 ,  최성율 ,  이성재

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/105 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0595

Abstract: 본 발명은 수 나노미터(nm) 이하의 폭을 갖는 나노갭(nano-gap)을 사이에 두고 두 개의 전극이 접해 있는 나노갭 전극소자의 제작 방법에 관한 것으로, 서로 다른 식각비를 갖는 반도체층들을 이용하여 공기중에 부양된 구조의 나노 구조물을 형성하고, 반도체층으로부터 나노 구조물까지의 높이, 나노 구조물의 폭 및 금속의 증착 각도를 조절하여 나노갭을 형성한다. 나노갭의 위치와 폭을 용이하게 조절할 수 있고 반복되는 구조를 갖는 어레이 형태의 나노갭을 동시에 형성할 수 있다.
나노 구조물, 증착 각도, 나노갭, 전극소자, 어레이

公开(公告)号：KR1020150081026A

公开(公告)日：2015-07-13

申请号：KR1020140000574

申请日：2014-01-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  박상희 ,  조성행 ,  오힘찬 ,  양종헌 ,  유민기 ,  변춘원 ,  피재은 ,  이수재 ,  박종혁 ,  추혜용

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 박막트랜지스터가제공된다. 박막트랜지스터는기판, 상기기판위에형성된활성층, 상기활성층위에형성된게이트절연막, 상기게이트절연막위에형성된게이트전극, 상기게이트전극양쪽의상기활성층에형성된도핑영역, 및상기게이트전극양측의상기기판상에서로이격되고상기도핑영역과직접접촉하는소스전극및 드레인전극을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种薄膜晶体管。 薄晶体管包括衬底; 形成在所述基板上的有源层; 形成在有源层上的栅极绝缘膜; 形成在栅极绝缘膜上的栅电极; 形成在栅电极两侧的有源层上的掺杂区域; 以及源电极和漏电极在栅极两侧的衬底上彼此分离，并与掺杂区域直接接触。 因此，本发明能够提供没有接触工艺的自配置型半导体薄膜晶体管结构。

公开(公告)号：KR1020140076111A

公开(公告)日：2014-06-20

申请号：KR1020120144276

申请日：2012-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이수재 ,  황치선 ,  추혜용 ,  임상철 ,  피재은 ,  유민기

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/0665

Abstract: A transistor according to an embodiment of the present invention may include an oxide semiconductor layer with a nano-layered structure. The oxide semiconductor layer may include at least one first nano-layer and at least on second nano-layer. The first nano-layer and the second nano-layer are alternately stacked. A channel with higher electron mobility at the interface between the first nano-layer and the second nano-layer as the first nano-layer and the second nano-layer contain different materials. The transistor of the present invention may have high reliability.

Abstract translation: 根据本发明实施例的晶体管可以包括具有纳米层状结构的氧化物半导体层。 氧化物半导体层可以包括至少一个第一纳米层和至少第二纳米层。 第一纳米层和第二纳米层交替堆叠。 在第一纳米层和第二纳米层之间的界面处作为第一纳米层和第二纳米层含有不同材料的具有较高电子迁移率的通道。 本发明的晶体管可以具有高的可靠性。

公开(公告)号：KR1020130038722A

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：KR1020110103231

申请日：2011-10-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  건국대학교 산학협력단

Inventor： 피재은 ,  박기찬 ,  임홍균 ,  김준동 ,  김연경 ,  김지선 ,  유병곤 ,  박상희 ,  오힘찬 ,  유민기 ,  황치선

IPC: G09G3/36 ,  H02M3/155

CPC classification number: H02M3/073 ,  G09G3/3696 ,  H02M2003/077

Abstract: PURPOSE: A direct current voltage conversion circuit of a liquid crystal display device is provided to correspond to the dispersion of broad threshold voltage by applying positive gate source voltage when turning on a TFT(Thin Film Transistor), and applying negative gate source voltage when turning off the TFT. CONSTITUTION: A main pumping circuit part(710) comprises multiple TFTs(M1-M8). The multiple TFTs are turned on and off by turns. A main pumping circuit part outputs voltage for driving a liquid crystal display device. A switch control signal generating part(720) controls the voltage applied to the gate of multiple thin film transistors with a clock signal inversion.

Abstract translation: 目的：提供液晶显示装置的直流电压转换电路，以便在开启TFT（薄膜晶体管）时施加正栅极源电压，并在转动时施加负栅极源电压，以对应于宽阈值电压的偏差 关掉TFT。 构成：主泵电路部分（710）包括多个TFT（M1-M8）。 多个TFT轮流打开和关闭。 主泵电路部分输出用于驱动液晶显示装置的电压。 开关控制信号生成部（720）通过时钟信号反转来控制施加到多个薄膜晶体管的栅极的电压。

公开(公告)号：KR101252294B1

公开(公告)日：2013-04-05

申请号：KR1020090061100

申请日：2009-07-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  윤성민 ,  박상희 ,  정우석 ,  유민기 ,  정승묵 ,  조경익

IPC: G02F1/00 ,  H01L51/50

Abstract: 본 발명에 따른 투명 정보 전달 윈도우는 투명한 상태에서 정보의 디스플레이가 가능하므로, 시야를 방해하지 않으면서도 다양한 정보를 공간적 제약 없이 디스플레이 할 수 있다. 또한, 사람들의 휴대 단말기로 디스플레이 정보를 무선으로 전송할 수 있으며, 이에 따라 해당 디스플레이 장소를 벗어나게 되더라도 사람들은 자신의 휴대 단말기를 통해 상품에 대한 자세한 정보를 제공받을 수 있다.
투명, 디스플레이, 무선, 윈도우, 정보

公开(公告)号：KR1020110003698A

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：KR1020090061100

申请日：2009-07-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  윤성민 ,  박상희 ,  정우석 ,  유민기 ,  정승묵 ,  조경익

IPC: G02F1/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L31/022475 ,  H01L21/02118 ,  H01L51/0053 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13069 ,  Y02B20/36

Abstract: PURPOSE: A transparency information transfer window is provided to maintain the transparency status and to display information, thereby displaying varying information without special restraint not being distracted by viewing. CONSTITUTION: A transparency display(110) displays information in transparency status. A driving unit(130) sanctions a driving signal to the transparency display. A wireless communication unit(150) transceives information wirelessly with an external terminal. A memory unit(170) stores display information.

Abstract translation: 目的：提供透明度信息传输窗口，以保持透明度状态并显示信息，从而显示不同信息，而不受特殊限制，不会因观看而分心。 构成：透明度显示（110）以透明度状态显示信息。 驾驶单元（130）将驾驶信号制裁到透明度显示器。 无线通信单元（150）与外部终端无线地收发信息。 存储单元（170）存储显示信息。

公开(公告)号：KR101007618B1

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：KR1020080104592

申请日：2008-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정승묵 ,  정우석 ,  유민기 ,  황치선 ,  추혜용

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 P형 산화물 반도체 박막용 조성물 및 P형 산화물 반도체 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 P형 산화물 반도체 박막용 조성물은 희토류계 원소가 도핑된 아연산화물에 구리 금속을 포함하며, P형 산화물 반도체 박막은 희토류계 원소가 도핑된 아연산화물과 구리 금속을 별도의 타겟으로 제작하여 이를 공동-증착하여 제조된다. 본 발명은 간단하면서도 재현 가능한 공정으로 P형 도전성을 갖는 반도체 박막을 제조할 수 있다.
P형 반도체, 희토류계 원소, 아연산화물, 구리

公开(公告)号：KR100999501B1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：KR1020080087342

申请日：2008-09-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  유민기 ,  정승묵 ,  황치선 ,  추혜용

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 금속이 도핑된 투명 전도성 산화물 박막의 제조방법 및 이를 소스·드레인 전극에 적용한 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속이 도핑된 투명 전도성 산화물 박막은 금속과 산화물을 동시에 증착하여 형성된다. 이를 박막 트랜지스터에 적용함으로서, 낮은 구동 전압하에서도 전류포화가 가능하다는 효과를 갖는다.
금속 도핑, 투명, 전도성, 산화물, 소스 전극, 드레인 전극

公开(公告)号：KR100993775B1

公开(公告)日：2010-11-12

申请号：KR1020080081810

申请日：2008-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  유민기 ,  황치선 ,  조두희

IPC: H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막의 식각용 조성물 및 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 식각용 조성물은 과산화수소, 질산, 염산, 황산 및 인산으로 이루어진 군에서 선택된 식각용 산; 산화물층 및 금속층과 동시에 착화합물을 형성할 수 있는 산; 및 물을 포함하며, 식각 방법은 상기 식각용 조성물을 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막에 분사하여 식각하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 식각 방법은 단면 특성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다
식각, 다층, 전도성, 박막

公开(公告)号：KR1020100071230A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020080129869

申请日：2008-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  유민기 ,  황치선

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: PURPOSE: A method for preparing Ag doped transparent conductive tin oxide is provided to allow a user to apply the device to an electronic component by reducing resistance. CONSTITUTION: Silver and tin oxide are deposited at the same time. The metal is doped inside the oxide film. The silver and tin oxide are deposited at the same time of the oxidation formation. The tin oxide is heat-treated.

Abstract translation: 目的：提供一种制备Ag掺杂透明导电氧化锡的方法，以允许用户通过降低电阻将该器件施加到电子部件。 构成：银和氧化锡同时沉积。 金属掺杂在氧化物膜内部。 在氧化形成的同时沉积银和氧化锡。 氧化锡被热处理。