公开(公告)号：KR100246545B1

公开(公告)日：2000-06-01

申请号：KR1019970054427

申请日：1997-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  유형준 ,  정해빈

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/54

Abstract: 본 발명은 GaAs의 햄트(HEMTs) 소자 개발에 필요한 티형 및 감마형 게이트와 같은 특수 게이트(special gate) 제작에 사용되는 X-선 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다. 종래에는 X-선 마스크를 사용하여 티형 게이트를 제작할 때, 티형 게이트의 풋프린터(footprint)를 X-선 리소그래피를 통해 먼저 형성시킨 후, 다시 광 리소그래피로 헤드(Head)부분을 형성하는 방법으로 리소그래피를 다시 수행하는 등 공정상의 절차가 쉽지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 풋프린터 부분에 해당되는 X-선 흡수체와 헤드 부분에 해당되는 X-선 흡수체의 두께를 달리하여 X-선 투과도를 조절하고, 이들 X-선 흡수체가 마스크 기판에 동시에 존재하도록 X-선 마스크를 제작하므로써, 한번의 X-선 리소그래피로 티형 및 감마형 게이트와 같은 특수 게이트를 웨이퍼상에 창출할 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR100237000B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019960041474

申请日：1996-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정회환 ,  이종현 ,  이창승 ,  백종태 ,  유형준

IPC: H01L21/20

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 집적회로 제작 공정을 기반으로 한 표면 마이크로 머시닝 기술.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
희생층을 사용한 미소구조체를 제조할시, 희생산화막 제거로 인해 나타나는 미소구조체의 고착 현상을 방지하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
희생층을 폴리실리콘막 상에 형성하고 희생층을 증기상 식각 방법으로 제거하여, 잔류물의 발생을 방지하는 동시에 희생층 제거로 인한 공간에 상부 구조체가 침몰하여 발생되는 고착현상을 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
MEMS(micro electro mechanical system) 제작

公开(公告)号：KR100233848B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960069404

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장원익 ,  이용일 ,  이종현 ,  유형준 ,  남기수

IPC: H01L29/84

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 각속도 측정 장치의 제조에 있어서 종래의 방법인 기판 가공 기술은 식각시 정확한 수직구조를 구현할 수 없는 문제점을 해결하기 위해 희생층을 형성하고 친수성 처리한 후 결정면이 ＜110＞ 방향인 실리콘 웨이퍼를 기판 접합 기술에 의해 하부 전극이 제조된 실리콘 웨이퍼 위에 부착하고, 표면 가공 기술인 기상 식각 공정으로 상기 희생층을 제거하므로써 고착 현상없이 구조체를 띄울 수 있고, 가로세로비가 크고 정확한 구조의 구현에 의해 안정된 미세 구조체의 제조를 통하여 고감도, 저전압 구동형 마이크로 자이로스코프의 구현이 가능하며, 저응력 미세 구조체의 제조와 주변 회로와의 접속을 위한 금속 전극의 제조가 용이한 마이크로 자이로스코프 제조 방법이 제시된다.

公开(公告)号：KR100227787B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960043787

申请日：1996-10-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이창승 ,  이종현 ,  정회환 ,  노광수 ,  유형준

IPC: H01L29/84

Abstract: 큰 종횡비와 작은 저항 및 변형이 없는 실리콘 구조체를 표면 미세 가공 기술로 제작할 수 없었던 종래 기술의 문제점을 가운데의 두꺼운 실리콘층과 농도 조절을 위한 상하의 얇은 실리콘층으로 실리콘 다층 구조를 형성하여 박막의 상하 방향으로 불순물을 대칭으로 분포시켜 응력 구배를 제거하고, 가운데의 실리콘 박막에 잔류 응력이 존재하는 경우 상하에 주입되는 불순물의 양을 조절함으로써 기존의 응력 구배를 상쇄시켜 미소 구조체의 휨 변형을 최소화시킬 수 있는 실리콘 미소 구조체 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100223023B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019960034589

申请日：1996-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  정진만 ,  최상수 ,  김보우 ,  유형준

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70866 ,  G21K5/08

Abstract: 본 발명은 마스크(mask) 패턴(pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer)할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것이다.
즉, 마스크 기판(mask substrate)과 지지 링(support ring)과의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 근본적으로 제거하고, 외부의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대한 지지링의 저항(resistance) 능력을 향상시키기 위해 지지링의 이면(the other side)에 마스크 기판과 동일한 재료로 구성되고, 마스크 기판과 동일한 공정 과정을 거친 변형 방지용 보조기판(supporting substrate to protect distortion)을 추가로 부착하여 구성한 X-선 마스크에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100170476B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950052657

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: G02B27/00

Abstract: 본 발명은 모아레 무늬를 이용한 광학계 성능 측정장치 및 측정방법에 관한 것이다.
본 발명의 광학계 성능 측정장치는 기준격자(1)와, 시편격자(2)와, 조명광원(3)과, 광검출기(5)와, 로타리 스테이지(6)를 포함한다.
아울러, 본 발명의 광학계 성능 측정방법은, 광학계의 상 위치에 기준격자(1)을 광축에 수직되게 위치시키는 단계; 시편격자(2)를 광학계(4)의 물체위치에 위치시키는 단계; 조명광원(3)을 비추어 시편격자(2)가 광학계(4)에 의해 상 위치에 결상되게 하여 결상된 시편격자(2)의 상과 기준격자(1)에 의해 모아레무늬를 생성하는 단계; 상기한 모아레무늬의 강도분포를 광검출기(5)를 이용하여 측정하는 단계; 기준격자(1)가 놓인 로타리 스테이지(6)를 이동하면서 각 지점에서의 모아레무늬의 밝은 부분 강도와 어두운 부분의 강도를 측정하여 모아레무늬에 대한 강도분포의 차이가 최대인 지점을 찾는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019990025513A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970047178

申请日：1997-09-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정해빈 ,  최상수 ,  이각현 ,  김도훈 ,  유형준

IPC: G02B27/00

Abstract: 본 발명은 광학계의 광축 틀어짐 검지 장치에 관한 것으로, 조립된 광학계 및 광학계를 구성하는 각 광학부품의 광축이 전체 광학계의 기준 광축에 대해 어느 정도 틀어져 있는지 그 틀어진 정도를 간편하고 정확하게 측정하는 장치에 관한 것이다.
종래의 광학계 광축 틀어짐 검지 방법으로는 광학계를 구성하는 부품의 수가 많을 경우 각 광학부품들이 얼마만한 광축 틀어짐을 발생시키는지 구분하기 어렵고 단지 오차가 있다는 것만을 알 수 있을 뿐아니라 상당량의 누적오차가 발생하는 단점이 있다.
따라서 본 발명에서는 입사된 광선과 같은 경로로 반사시킬 수 있는 코너 큐브 프리즘을 사용하여 돌아오는 광선의 위치 이동량을 정밀히 측정할 수 있는 광학계 광축 틀어짐 검지 장치를 제시한다.

公开(公告)号：KR100170483B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950050526

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진구 ,  윤형진 ,  이응호 ,  정철환 ,  정병훈 ,  장원익 ,  유형준

IPC: H01L21/321

Abstract: 본 발명은 플레이튼에 슬러리 공급장치가 내설된 화학적 기계적 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.
본 발명의 화학적 기계적 웨이퍼 연마장치는 웨이퍼(2)를 장착하기 위한 웨이퍼 캐리어(1)와, 상단에 복수개의 슬러리 공급구(5)가 형성된 연마 패드(4)가 장착되고, 웨이퍼(2)의 연마시 웨이퍼(2)의 일부가 플레이튼(3)의 외부로 노출되도록 상기한 웨이퍼 캐리어(1)와 비동축상으로 플레이튼 회전축(13) 상에 부설되며, 복수개의 슬러리 공급구(5)가 관통형성되고, 하부에는 원통상으로 슬러리(12)가 충진되는 슬러리 탱크(9)가 연설되며, 전기한 슬러리 탱크(9) 하단의 플레이튼 회전축(13) 내부에는 슬러리 탱크(9) 내의 슬러리(12)를 전기한 슬러리 공급구(5)를 통해 연마 패드(4) 상에 공급하기 위한 피스톤(10)이 내설되어, 상기한 웨이퍼 캐리어(1)와의 회전에 의해 웨이퍼(2)를 연마하는 플레이튼(3)이 포함되어 구성된 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100170594B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019960017848

申请日：1996-05-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  최상수 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/50

CPC classification number: G03F7/70691 ,  G21K1/10

Abstract: 본 발명은 마스크용 글래스 링 구조에 관한 것으로서, 종래 글래스 링 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 종래의 글래스 링의 기능 및 역할을 크게 저하시키지 않으면서도 글래스 링과 실리콘 웨이퍼 뒷면과의 접촉면적을 적절히 축소 조절하여, 멤브레인의 편평도 및 OPD(Out-of-Plane Distortion)/IPD(In-Plane Distortion) 특성을 크게 개선시킬 수 있도록 한 것이다.
그 글래스 링의 구조는 실리콘 웨이퍼 뒷면과 접착부위 면적을 달리하기 위하여 실리콘 웨이퍼 외경 보다 작은 임의의 크기의 외경 및 이에 상응하는 임의의 내경 크기를 갖고서 마스크를 지지하도록 구성된 것이다.
또 다른 글래스 링의 구조는 여러 구조물 또는 여러 조각으로 구성할 수가 있고, 또한 글래스 링 표면에 글래스 링과 웨이퍼 뒷면과의 접촉면적을 고의로 축소하기 위해 소정 형태의 돌기들을 형성할 수 있는 구조로 된 것이다.

公开(公告)号：KR1019980050456A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069279

申请日：1996-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/66

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치 및 측정방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
간섭계 전체의 크기에 대해서 소형화 및 구조의 단순화가 가능하며, 웨이퍼의 표면의 넓은 측정 영역에 걸쳐 높은 정밀도로 초점을 측정 및 웨이퍼의 수직 방향의 미소 이동 거리를 측정할 수 있는 반도체 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치를 제공하고자 함.
3. 발명이 해결 방법의 요지
레이저 광을 발생하는 반도체 레이저(101); 상기 반도체 레이저에서 방출된 광을 단면이 원형인 평면파로 변환시키는 광 정형수단(103);상기 광 정형수단을 통과한 광이 상기 레이저로의 귀환을 차단하는 광분리수단(104); 상기 광분리수단으로부터 입사된 광의 편광 직교 성분에 따라 반사 또는 투과시키는 편광 빔스플릿터(105); 상기 편광 빔스플릿터를 투과한 광을 소정 주파수만큼 변조하는 음향광학변조수단(107); 상기 음향광학변조수단를 소정 주파수로 구동하는 신호발생수단(109); 상기 편광 빔스플릿터를 통과하여 상기 음향광학변조수단에서 변조된 광 및 상기 편광 빔스플릿터에서 반사된 광을 검출하는 광검출수단(110); 및 상기 광검출수단(110)의 신호와 상기 신호발생수단(109)의 신호가 입력되어 비교되는 위상비교수단(113)을 포함하여 이루어진 반도체 레이저를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치를 제공하며, 상기 장치를 이용한 측정방법에 있어서,반도체 레이저로부터 방출된 레이저 광을 원형 단면의 평면파로 바꾸는 광정형 단계;상기 평면파 레이저 광을 기준 거울로 반사시키고, 상기 음향광학소자로 투과시키는 빔스플릿터 단계; 상기 투과된 레이저 광을 상기 음향광학소자를 통해 소정 주파수로 변조하는 제1변조단계; 일차 변조된 레이저 광을 웨이퍼에 조사하는 단계; 웨이퍼에 조사된 후, 반사되어 되돌아온 레이저 광을 상기 음향광학소자를 통해 다시 변조하는 제2변조단계; 상기 기준 거울에 반사되어 돌아온 기준 신호광과 상기 제2변조단계를 통해 돌아온 신호광을 검출하는 광검출 단계; 및 상기 광검출 단계에서 검출된 신호와 음향광학소자를 구동하는 신호 발생기의 신호의 위상을 상호 비교하는 단계를 포함하여 이루어진 초점 측정방법을 제공함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 노광장비에 적용되어, 웨이퍼 초점 신호의 측정 정밀도를 향상시키고 넓은 측정 범위에서도 동작이 가능하며, 간단한 구조를 가지며, 소형화된 자동 초점장치를 간단하게 구성할 수 있는 효과가 있다.