-
公开(公告)号：KR101335019B1
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120026274
申请日：2012-03-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 안티몬 박막의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 안티몬 박막의 제조 방법은 진공 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 안티몬 전구체 물질을 준비하는 단계; 상기 안티몬 전구체 물질로 소스가스를 준비하는 단계; 수소 가스를 포함하는 반응가스를 준비하는 단계; 퍼지가스를 준비하는 단계; 금속 전구체 물질로 금속 전구체 가스를 준비하는 단계; 및 상기 진공챔버 내에 상기 소스가스, 반응가스, 퍼지가스 및 상기 금속 전구체 가스를 순차적으로 공급하는 1사이클의 공정을 실시하여 상기 기판 상에 안티몬-금속의 단원자층 박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 안티몬 전구체 물질은 다음 화학식 1로 표시되는 안티몬 아미노알콕사이드인 것을 특징으로 하는 안티몬 박막의 제조 방법: [화학식 1] Sb[OA-NR
1 R
2 ]
3 상기 식 중, A는 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C
2 내지 C
5 의 알킬렌이고; R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.-
公开(公告)号：KR101331972B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120048239
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 구리 전구체에 관한 것으로, 상기 구리 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화구리 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR1020130123920A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120047442
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305 , C23C16/45525
Abstract: The present invention relates to an indium precursor represented by chemical formula 1. The indium precursor includes sulfur, has improved thermal stability and volatilization properties, and forms a sulfur indium thin film. In chemical formula 1, each of R1 and R2 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group, each of R3 and R4 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group or a C1-C10 alkyl fluoride group; X is Cl, Br, or I; and n is 1-3.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的铟前体。铟前体包括硫，具有改善的热稳定性和挥发性，并形成硫铟薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基，R 3和R 4各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基或C 1 -C 10烷基氟基; X是Cl，Br或I; n为1-3。
-
公开(公告)号：KR101306811B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020120049229
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoamide halogen compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby simply manufacturing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of making a compound of chemical formula 2 react with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.
Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基酰胺卤素化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而简单地制造含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。生长含钨的薄膜 通过使用钨化合物的化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。
-
公开(公告)号：KR101306810B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020120049225
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoalkoxide compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby easily producing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of reacting a compound of chemical formula 2 with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.
Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基烷氧基化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而容易地生产含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。含有钨的薄膜通过 化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。
-
Patent Agency Ranking36.发明授权
公开(公告)号：KR101283993B1
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020120135577
申请日：2012-11-27
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01B1/14
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지 전극 형성에 이용 가능한 비접촉 인쇄 공정용 전도성 잉크 조성물을 이용한 태양전지 전면 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 전면 전극을 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 특히 전면 전극을 형성하는 단계에 있어서 사용되는 전도성 잉크는 금속 나노 입자, 나노 사이즈의 유리 프릿 (glass frit) 및 유기 비히클을 포함한다. 본 발명은 기판에 물리적 손상을 주지 않는 비접촉 인쇄공정에 적용 가능하며, 추가적인 마스크 패터닝 공정 없이 양질의 태양전지 전면 전극을 형성 할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR101174670B1
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020110045313
申请日：2011-05-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/027 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L29/786 , H01L29/78606
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a patterned graphene applied to a graphene based device is provided to manufacture a single-multilayered graphene with a desirable pattern by using a patterned metal catalyst layer. CONSTITUTION: A substrate is prepared. A mask is fixed to the substrate. A patterned metal catalyst layer is formed on the substrate. A graphene layer is grown on the metal catalyst layer. The grown graphene layer is transferred to the insulation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造施加到基于石墨烯的器件的图案化石墨烯的方法，以通过使用图案化的金属催化剂层制造具有所需图案的单层多层石墨烯。 构成：制备底物。 掩模固定在基板上。 在基板上形成图案化的金属催化剂层。 在金属催化剂层上生长石墨烯层。 生长的石墨烯层被转移到绝缘层。
-
-
公开(公告)号：KR102226791B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190013114
申请日：2019-01-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명은소거동작을제거한저항스위칭메모리를공개한다. 이장치는하부전극층, 가변저항막및 상부전극층의적층을포함하는저항스위칭메모리에있어서, 멀티비트동작구간동안상기상부전극층과상기가변저항막의인터페이스근처에서산소부족층이형성되어저항스위칭메모리동작중 소거동작이제거되는것을특징으로한다. 본발명에의할경우, 상부전극층이부분적으로산화되어, 저항스위칭메모리에서요구되는저항스위칭성능을수행하기위하여필요한양호한산소저장소및 적절한부하저항기능을할 수있게된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
143
records
(took 0.022 seconds)
