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公开(公告)号:DE102013101532B4
公开(公告)日:2017-12-28
申请号:DE102013101532
申请日:2013-02-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MOOSBURGER JÜRGEN , GÖÖTZ BRITTA , DIRSCHERL GEORG , MÖNCH WOLFGANG , LINKOV ALEXANDER
IPC: F21V11/08 , H01L25/075 , H01L33/58
Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit – einem Leuchtdiodenchip (2) mit einer Strahlungshauptseite (20), – einer Blende (3), die zumindest eine relativ zum Leuchtdiodenchip (2) bewegliche Komponente umfasst, wobei die Blende der Strahlungshauptseite (20) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) nachgeordnet ist, und – einem Bauteilgehäuse (4), in oder an dem die Blende (3) angebracht ist, wobei – die Strahlungshauptseite (20) eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm aufweist, – die Blende (3) durch ein Bewegen der zumindest einen Komponente von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig, und umgekehrt, schaltbar ist, – die Blende (3) genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission aufweist, und – das Halbleiterbauteil (1) ein Blitzlicht für ein mobiles Bildaufzeichnungsgerät ist, – die Blende (3) als bewegliche Komponente eine lichtundurchlässige Flüssigkeit (36) aufweist und sich in geöffnetem Zustand der Blende (3) die Flüssigkeit (36) außerhalb des Öffnungsbereichs (30) in einem separaten Reservoir befindet und in geschlossenem Zustand die Flüssigkeit (36) in den Öffnungsbereich (30) gebracht wird, – die Flüssigkeit (36) durch das Anlegen einer elektrischen Spannung gesteuert wird, und – im Spektralbereich zwischen einschließlich 470 nm und 720 nm ein Reflexionsvermögen der Blende (3), wenn diese lichtundurchlässig geschaltet ist, von einem Reflexionsvermögen des Bauteilgehäuses (4) an der Blende (3) um höchstens 15 Prozentpunkte abweicht, gesehen von außerhalb des Halbleiterbauteils (1).
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公开(公告)号:DE102016109901A1
公开(公告)日:2017-11-30
申请号:DE102016109901
申请日:2016-05-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SINGER FRANK , LINKOV ALEXANDER , ILLEK STEFAN , BUTENDEICH RAINER , KOLLER CHRISTOPH , SCHWARZ THOMAS
IPC: F21K9/61 , F21S4/28 , F21V8/00 , F21Y103/10 , F21Y103/30 , F21Y115/10 , G02B6/42 , G05D25/02 , H01L25/075 , H05B44/00
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiteremitter (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiteremitter (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farbort des Mischlichts eingerichtet. Die Halbleiteremitter (21, 22) sind entlang einer Linie (L) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) ist an Seitenflächen (25) der Halbleiteremitter (21, 22) angeordnet und bedeckt jede der Seitenflächen (25) mindestens teilweise, gesehen in Projektion auf die entsprechende Seitenfläche (25), sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiteremitter (21, 22), vermittelt durch den Lichtmischkörper (3) und/oder durch den Lichtmischkörper (3) hindurch, gleich viel Licht empfängt.
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公开(公告)号:DE102016106833A1
公开(公告)日:2017-10-19
申请号:DE102016106833
申请日:2016-04-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: KÜHNELT MICHAEL , LINKOV ALEXANDER
Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Halbleiterchip (1), einer Umhüllung (3) und einem Reflektor (2) angegeben, bei dem der Halbleiterchip (1) eine Vorderseite (11), eine der Vorderseite (11) abgewandte Rückseite (12) und Seitenflächen (10) aufweist, wobei der Halbleiterchip (1) zumindest teilweise über dessen Rückseite (12) elektrisch kontaktierbar ist, der Reflektor (2) den Halbleiterchip (1) in lateralen Richtungen vollumfänglich umschließt, einen ersten Teilbereich (21) und einen unmittelbar an den ersten Teilbereich (21) angrenzenden zweiten Teilbereich (22) aufweist, wobei der erste Teilbereich (21) von dem Halbleiterchip (1) räumlich beabstandet ist und der zweite Teilbereich (22) unmittelbar an den Halbleiterchip (1) angrenzt, und die Umhüllung (3) die Vorderseite (11) des Halbleiterchips (1) vollständig und die Seitenflächen (10) des Halbleiterchips (1) zumindest teilweise bedeckt, sodass die Umhüllung (3) eine dem Halbleiterchip (1) zugewandte Grenzfläche (32) aufweist, die bereichsweise eine Kontur des Halbleiterchips (1) nachbildet. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.
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公开(公告)号:DE102015103835A1
公开(公告)日:2016-09-22
申请号:DE102015103835
申请日:2015-03-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: LEIRER CHRISTIAN , LINKOV ALEXANDER , SABATHIL MATTHIAS , KNÖRR MATTHIAS
Abstract: Lichtemittierendes Bauelement 100, bestehend aus einem lichtemittierenden Chip 110, der Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert, und mit mindestens einer Konversionsschicht 130, die Licht der ersten Wellenlänge in Licht mit mindestens einer zweiten Wellenlänge konvertiert, dadurch gekennzeichnet, dass ein Homogenisierungselement 150 zwischen dem lichtemittierenden Chip 110 und der Konversionsschicht 130 vorgesehen ist, wobei eine Oberfläche des Homogenisierungselements 150 an den lichtemittierenden Chip 110 angrenzt und mindestens eine weitere Oberfläche des Homogenisierungselements 150 an die Konversionsschicht 130 angrenzt. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements 100.
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公开(公告)号:DE112014002084A5
公开(公告)日:2015-12-31
申请号:DE112014002084
申请日:2014-04-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MÖNCH WOLFGANG , LINKOV ALEXANDER , ILLEK STEFAN
IPC: H01L25/075 , G02B27/09 , G09F9/33
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公开(公告)号:DE102013104046A1
公开(公告)日:2014-10-23
申请号:DE102013104046
申请日:2013-04-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MÖNCH WOLFGANG , ILLEK STEFAN , LINKOV ALEXANDER
Abstract: Eine optische Anordnung umfasst eine Vielzahl von lichtemittierenden Chips auf einem Träger. Dabei umfassen erste lichtemittierende Chips jeweils Pixel einer ersten Gruppe umfassen und zweite lichtemittierende Chips jeweils Pixel einer zweiten Gruppe. Jeweils einer der ersten und einer der zweiten lichtemittierenden Chips sind in ersten Einheitszellen flächig auf dem Träger angeordnet. Ferner ist ein optisches Element vorgesehen, welches in Abstrahlrichtung den lichtemittierenden Chips nachgeordnet ist. Es ist dazu eingerichtet, von den Pixeln der ersten und zweiten Gruppe emittiertes Licht derart zu führen, dass Licht der Pixel der ersten Gruppe und Licht der Pixel der zweiten Gruppe in zweite Einheitszellen in einer Auskoppelebene zusammengeführt wird, wobei die zweiten Einheitszellen jeweils eine Fläche aufweisen, die geringer ist, als die Fläche je einer der ersten Einheitszellen.
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公开(公告)号:DE102013100576A1
公开(公告)日:2014-08-07
申请号:DE102013100576
申请日:2013-01-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHLERETH THOMAS , LINKOV ALEXANDER
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben, das einen Träger (1) mit einer Trägeroberseite (10) aufweist, auf welcher mindestens ein Kontakt (2) angebracht ist. Auf dem Kontakt (2) ist mindestens ein Abstandselement (3) mit einer Oberseite (30) angebracht. Auf der Oberseite (30) des Abstandselements (3) ist mindestens ein strahlungsemittierender optoelektronischer Halbleiterchip (5) angeordnet. Eine reflektierende Vergussmasse (6) umhüllt das Abstandselement (3) zumindest teilweise. Der optoelektronischen Halbleiterchip (5) wird von der reflektierenden Vergussmasse (6) nicht berührt und der Kontakt (2) wird von der reflektierenden Vergussmasse (6) zumindest teilweise bedeckt.
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公开(公告)号:DE102012102119A1
公开(公告)日:2013-09-19
申请号:DE102012102119
申请日:2012-03-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ILLEK STEFAN , SABATHIL MATTHIAS , LINKOV ALEXANDER , BLEICHER THOMAS , MALM NORWIN VON , MOENCH WOLFGANG
IPC: F21V5/00 , F21V8/00 , F21V13/04 , G02B6/00 , G02F1/13357
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Flächenlichtquelle (1) einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungshauptseite (20) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Ein Streukörper (3) ist entlang einer Hauptabstrahlrichtung (x) der Halbleiterchips (3) der Strahlungshauptseite (20) nachgeordnet. Der Streukörper (3) ist zu einer Streuung der Primärstrahlung (P) eingerichtet. Eine Hauptemissionsrichtung (y) des Streukörpers (3) ist schräg zur Hauptabstrahlrichtung (x) des Halbleiterchips (2) orientiert.
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公开(公告)号:DE102011114641A1
公开(公告)日:2013-04-04
申请号:DE102011114641
申请日:2011-09-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SABATHIL MATTHIAS , PLOESL ANDREAS , VON MALM NORWIN , LINKOV ALEXANDER , HOEPPEL LUTZ , KOELPER CHRISTOPHER
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und einem optischen Element (2) angegeben, wobei zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem optischen Element (2) eine Verbindungsschicht (3) mit einem transparenten Oxid angeordnet ist, die an den Halbleiterchip (1) und das optische Element (2) jeweils unmittelbar angrenzt und das optische Element (2) auf dem Halbleiterchip (1) befestigt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
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公开(公告)号:DE102008015550A1
公开(公告)日:2009-10-08
申请号:DE102008015550
申请日:2008-03-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RAMCHEN JOHANN , REICH MICHAEL , LINKOV ALEXANDER
Abstract: The optoelectronic protection device (1) comprises an optoelectronic semiconductor component (2), which comprises a luminescence diode chip (3). A screen (4) is provided, which comprises a radiation-opaque area (4a) and a radiation-transparent area (4b), where the screen is an image providing element of the protection device. A base body is provided, which is made of glass or plastic, and the structured radiation-transparent layer has a metal, particularly aluminum. An independent claim is included for a method for manufacturing an optoelectronic protection device.
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