公开(公告)号：DE102014108300A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102014108300

申请日：2014-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KOPP FABIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  MUERMANN BJÖRN

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/08

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einer Halbleiterschicht (21) und einer weiteren Halbleiterschicht (22) aufweist, angegeben, wobei – der aktive Bereich zwischen der Halbleiterschicht und der weiteren Halbleiterschicht angeordnet ist; – auf einer Strahlungsaustrittsfläche (210) des Halbleiterkörpers eine Stromaufweitungsschicht angeordnet ist; – die Stromaufweitungsschicht elektrisch leitend mit einer Kontaktstruktur (4) für die externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterschicht verbunden ist; – die Stromaufweitungsschicht in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement in einem Anschlussbereich (30) an die Halbleiterschicht angrenzt, und – die Stromaufweitungsschicht eine Strukturierung (31) mit einer Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, durch die im Betrieb Strahlung aus dem Halbleiterbauelement austritt.

公开(公告)号：DE102014105799A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：DE102014105799

申请日：2014-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP FABIAN ,  HUPPMANN SOPHIA ,  TAEGER SEBASTIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/52 ,  H01L51/52

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (10) Licht zu erzeugen, und eine die Halbleiterschichtenfolge (1) abschließenden Halbleiterschicht (3), eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht (4) auf der abschließenden Halbleiterschicht (3), eine Außenschicht (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (1), die einen Kunststoff aufweist, und zumindest eine transparente dielektrische Zwischenschicht (5) zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) und der Außenschicht (6) aufweist, wobei die Kontaktschicht (4), die Zwischenschicht(5) und die Außenschicht (6) jeweils einen Brechungsindex aufweisen und der Brechungsindex der Zwischenschicht (5) kleiner als der Brechungsindex der Kontaktschicht (4) und größer als der Brechungsindex der Außenschicht (6) ist.

公开(公告)号：DE102012109590A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012109590

申请日：2012-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  MAUTE MARKUS ,  BAUR JOHANNES ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  KIESLICH ALBRECHT

IPC: H01L33/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/74

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Es umfasst das Verfahren die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), – Erzeugen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf dem Aufwachssubstrat (2), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) eine n-Seite (31), eine p-Seite (33) und eine zu einer Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (33) aufweist und die aktive Schicht (32) zwischen der p-Seite (33) und der n-Seite (31) angeordnet ist und sich die n-Seite (31) dem Aufwachssubstrat (2) am Nächsten befindet, und – Dotieren der n-Seite (31) durch die aktive Schicht (32) hindurch mittels Ionenimplantation.

公开(公告)号：DE102018128896A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102018128896

申请日：2018-11-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L31/02 ,  H01L33/36

Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Halbleiterchip (10, 11, 12, 13) ein inneres Kontaktelement (128) und zwei äußere Kontaktelemente (129). Das innere Kontaktelement (128) und die zwei äußeren Kontaktelemente (129) sind an einer zweiten Hauptoberfläche (108) des Halbleiterchips (10, 11, 12, 13) angeordnet. Je eines der äußeren Kontaktelemente (129) ist auf jeweils gegenüberliegenden Seiten des inneren Kontaktelements (128) angeordnet. Beispielsweise ist das innere Kontaktelement (128) als ein erstes Kontaktelement ausgeführt, das mit einer ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch verbunden ist, und die zwei äußeren Kontaktelemente (129) sind jeweils als zweite Kontaktelemente (117) ausgeführt, die mit einer zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden sind. Alternativ sind die zwei äußeren Kontaktelemente (129) jeweils als erste Kontaktelemente (115) ausgeführt, die mit einer ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch verbunden sind, und das innere Kontaktelement (128) ist als zweites Kontaktelement (117) ausgeführt und mit einer zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102018122545A1

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102018122545

申请日：2018-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  HALBRITTER HUBERT ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: G09G3/32 ,  G09F9/33 ,  G09G3/3233

Abstract: Es wird ein LED-Display (10) mit einer Vielzahl von Pixeln (11, 12, 13) beschrieben, wobei die Pixel jeweils zumindest eine anorganische LED (3) und zumindest eine organische LED (2) enthalten. Weiterhin wird ein Verfahren zum Betrieb des LED-Displays (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102018122166A1

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102018122166

申请日：2018-09-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/48 ,  H01L25/075

Abstract: Eine optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) umfasst ein Trägerelement (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110), einen optoelektronischen Halbleiterchip (150), der über dem Trägerelement (100) und angrenzend an die erste Hauptoberfläche (110) angeordnet ist und ein elektrisches Kontaktelement (161) zum Kontaktieren des optoelektronischen Halbleiterchips (150). Dabei ist das elektrische Kontaktelement (161) in einer in der ersten Hauptoberfläche (110) des Trägerelements (100) ausgebildeten Öffnung (162) angeordnet.

公开(公告)号：DE102018101389A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018101389

申请日：2018-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/36 ,  H01L33/52 ,  H01S5/00

Abstract: Es wird ein Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben mit- einem Halbleiterkörper (2) umfassend einen aktiven Bereich, der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist,- einem Reflektor (3), der dazu ausgebildet ist, einen Teil der elektromagnetischen Strahlung zu reflektieren,- zumindest einer Kavität (4), die mit einem Material befüllt ist, das einen Brechungsindex von höchstens 1,1 aufweist, und- einer Versiegelung (5), die für das Material undurchlässig ist, wobei- die zumindest eine Kavität (4) zwischen dem Reflektor (3) und dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017106508A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102017106508

申请日：2017-03-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  RAFAEL CHRISTINE ,  TÅNGRING IVAR

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/60

Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) zur Erzeugung von Strahlung und eine Füllung (3), die für die Strahlung durchlässig ist. Ferner weist das Halbleiterbauteil (1) einen Reflektor (4) für die Strahlung auf. Der Leuchtdiodenchip (2) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (21) zur Erzeugung der Strahlung, elektrische Kontaktstellen (23, 24) an einer Montageseite (26), einen Trägerkörper (22) sowie eine Antibenetzungsschicht (5). Die Antibenetzungsschicht (5) wirkt für ein Material des Reflektors (4) und der Füllung (3) abweisend. Die Antibenetzungsschicht (5) liegt seitlich an dem Leuchtdiodenchip (2) frei und befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (21) und dem Trägerkörper (22) und/oder in lateraler Richtung (L) neben der Halbleiterschichtenfolge (21). Die Füllung (3) und der Reflektor (4) stoßen an der freiliegenden Antibenetzungsschicht (5) aneinander. Die Füllung (3) verbreitert sich in Richtung weg von der Montageseite (26), so dass an einer Grenzfläche (34) zwischen der Füllung (3) und dem Reflektor (4) eine Reflexion der Strahlung in Richtung weg von dem Trägerkörper (22) erfolgt.

公开(公告)号：DE102016114550A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102016114550

申请日：2016-08-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer optisch aktiven Schicht (23) angegeben, bei dem der Träger eine metallische Trägerschicht (3) aufweist, die zusammenhängend ausgebildet ist und das Bauelement mechanisch stabilisiert. Des Weiteren weist der Träger eine Spiegelschicht (5) auf, die zwischen dem Halbleiterkörper und der Trägerschicht angeordnet ist. Der Träger weist außerdem eine Ausgleichsschicht (4) auf, die unmittelbar an die Trägerschicht angrenzt und zur Kompensierung innerer mechanischer Verspannungen des Bauelements eingerichtet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung einer Mehrzahl von solchen Bauelementen geeignet ist.

公开(公告)号：DE102015120642A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102015120642

申请日：2015-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAFAEL CHRISTINE ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/04 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird eine Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (2), das auf einem Anschlussträger (9) angeordnet ist, angegeben, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper (20) mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist einen Formkörper (4) auf, durch den sich ein erster elektrischer Kontakt (55) und ein zweiter elektrischer Kontakt (56) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers hindurch erstrecken. Der Formkörper weist eine Seitenfläche (40) auf, die das Halbleiterbauelement in einer lateralen Richtung begrenzt. Der Anschlussträger und die Seitenfläche des Formkörpers sind zumindest bereichsweise von einer strahlungsundurchlässigen Deckschicht (7) bedeckt.