-
公开(公告)号：KR101663629B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
-
公开(公告)号：KR1020160084965A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001430
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0047
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체및 그제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는온도보다낮고임계경화되는온도보다높은온도로열경화를수행하는메타-열경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-열경화임프린팅과포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법및 그에의해제조된금속산화물복합구조체를기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의온도에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间热固化压印和光刻工艺制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 一种间热固化压印步骤，其中在低于将使光敏金属 - 有机材料前体层完全固化并高于将使其敏化固化的温度的温度下进行热固化，以及具有第一图案的压印印模 用于向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，并且通过在不引起完全固化的温度下进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和减少工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
-
公开(公告)号：KR1020160053463A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140152376
申请日：2014-11-04
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01S5/509 , H01S5/141 , H01S5/5054
Abstract: 본발명은파장변환소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따르면 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 제1방향으로분극(polarization)이형성된제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 상기제1종질화물반도체블럭에접하며, 상기제1종질화물반도체블럭에형성된분극과반대방향인제2방향으로분극이형성된제2종질화물반도체블럭;를포함하고, 상기제1종질화물반도체블럭의측면에상기제2종질화물반도체블럭이접하여분극교차구조를이루며, 일측에서상기제1종질화물반도체블럭으로입사되어상기제1종질화물반도체블럭및 상기제2종질화물반도체블럭을투과하는입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를발생시키는것을특징으로하기때문에광의진행방향에대한수직방향으로분극이교차로변하는구조(분극교차구조)를 InAlGaN을기반으로하는질화물반도체를통해구현해냄으로써준위상정합(Quasi Phase Matching)을실현해낼 수있게되었으며, 보다넓은파장영역대에서 2차조화파발생을통한 UV 레이저를제조할수 있는기술이개시된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种波长转换装置及其制造方法。 根据本发明的波长转换装置包括：第一型氮化物半导体块，其是包括四种类型的包括Ga和N并且沿第一方向极化的元素的氮化物半导体; 以及第二氮化物半导体块，其是包含与第一氮化物半导体块接触的包括Ga和N的四种元素的氮化物半导体，并且在与第一氮化物半导体块的偏振方向相反的第二方向上极化 。 第二氮化物半导体块与第一氮化物半导体块的侧面接触以形成交叉偏振结构。 从入射到第一氮化物半导体块上的入射光产生二次谐波，以透过第一氮化物半导体块和第二氮化物半导体块。 因此，本发明的波长转换装置可以通过形成极化在与通过InAlGaN系氮化物半导体的光的行进方向正交的方向上交替变化的结构（交叉极化结构）来实现准相位匹配， 可以通过在更宽的波长范围内产生二次谐波来产生UV激光。
-
公开(公告)号：KR1020150141915A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成不对称纳米结构的方法，该方法包括形成在基底或薄膜上的不对称金属或金属氧化物纳米结构，并通过使用具有可变形状的图案的可变印记印模形成。 用于形成不对称金属或金属氧化物纳米结构的方法包括在基板或薄膜上形成压印层的第一步骤; 将柔性材料的可变形压印印模放置在压印层上的第二步骤，以可变形压印印模的图案的压力或扭曲方向按压可变形压印印模，并进行固化 过程形成不对称图案层; 第三步，通过去除不对称图案层的剩余膜来曝光基板或薄膜的一部分区域; 在衬底或薄膜和不对称图案层的暴露区域上沉积金属或金属氧化物的第四步骤; 以及通过去除不对称图案层在基板或薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。
-
45.发明授权전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터 有权通过电镀方法自主控制MoS2单层的合成方法和使用自控MoS2单层的晶体管
公开(公告)号：KR101566851B1
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020130168674
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은단일층이황화몰리브덴합성방법에관한것으로서, 전기도금공정을이용하여음극에자기제어이황화몰리브덴(MoS) 단일층(self controlled MoSsingle layer)을증착시키는제1단계와, 상기자기제어이황화몰리브덴단일층의증착후 상기자기제어이황화몰리브덴단일층을결정화하는제2단계를포함하여구성된것을특징으로하는전기도금공정을이용한자기제어이황화몰리브덴단일층의합성방법및 이에의해제조된자기제어이황화몰리브덴단일층을이용한트랜지스터를기술적요지로한다. 이에의해기존의단일층(single layer) 형성방법이아닌전기도금공정에의해자기제어방식으로이황화몰리브덴단일층이합성되도록하여, 저비용으로이황화몰리브덴단일층을용이하게구현할수 있으며, 균일도가개선되어대면적, 고품질의이황화몰리브덴단일층을제공할수 있으며, 트랜지스터재료에적용할수 있는이점이있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101486712B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130166261
申请日：2013-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명의 일 측면에 의하면, 플렉서블한 기판 상에 금속 시드층을 형성하는 제1단계; 상기 금속 시드층 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist; 이하 DFR층)를 적층하는 제2단계; 상기 DFR층의 패터닝에 의해 1차 패턴을 형성하여 상기 금속 시드층의 일부를 노출시키는 제3단계; 상기 일부 노출된 금속 시드층 상에 도금 공정을 통한 제1금속패턴을 형성하는 제4단계; 상기 제1금속패턴 및 상기 DFR층 상에 PR(Photoresist)층을 코팅하고, PR층의 패터닝에 의해 2차 패턴을 형성하여 상기 제1금속패턴의 일부 영역을 노출시키는 제5단계; 상기 제1금속패턴 상의 노출된 영역 상에 도금 공정을 통해 제2금속패턴을 형성하는 제6단계; 상기 DFR층 및 PR층을 동시에 제거하여, 플렉서블 기판 상에 상기 제1금속패턴과 제2금속패턴으로 이루어진 금속 구조체를 형성하는 제7단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판 상에 입체형 금속 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 높은 단차가 필요한 구성에 감광필름(Dry Film Resist; DFR)을 사용함으로써, 플렉서블 기판에 금속 구조체를 제작할 때, 고열이 기판에 작용하지 않도록 하는 효과가 있다.Abstract translation: 本发明实施例提供的在柔性基板上制造三维金属结构的方法包括：在柔性基板上形成金属种子层的第一步骤; 在金属种子层上堆叠干膜抗蚀剂（DFR）层的第二步骤; 第三步骤，通过形成DFR层的图形来形成初级图案来暴露金属种子层的一部分; 通过电镀工艺在所述部分暴露的金属种子层上形成第一金属图案的第四步骤; 第五步骤，用光致抗蚀剂（PR）层涂覆第一金属图案和DFR层，并通过PR层的图案形成二次图案来曝光第一金属图案的部分区域; 在通过电镀工艺从第一金属图案露出的区域上形成第二金属图案的第六步骤; 以及通过同时去除DFR层和PR层在柔性基板上形成由第一金属图案和第二金属图案形成的金属结构的第七步骤。 因此，本发明能够通过使用DFR用于需要高高差的组合物在柔性基板上制造金属结构时，能够防止在基板上施加高热。
-
公开(公告)号：KR101419530B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020120156760
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C25D7/00 , H01L31/042 , C25D21/02 , C25D5/48
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양 전지의 자가 생성 전류를 이용하여, 태양 전지의 전극을 전해 도금으로 형성하는 방법에 있어서, 에너지를 전달했을 때, 정공-전자쌍이 생성되는 태양 전지 기판을 도금 용액에 담그는 제1단계와, 상기 태양 전지가 전력을 생성하기 위해 필요한 에너지 전달 조건을 변경하여 에너지를 전달하는 제2단계 및 상기 태양 전지의 자가 생성 전력으로 상기 태양 전지 기판 상의 전극 영역에 상기 태양 전지의 전극 형성을 위한 도금을 진행하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극을 전해 도금으로 형성하는 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 태양 전지의 발전 전류를 이용하여 특정 영역에 선택적으로 전해 도금이 가능한 공정이기 때문에, seed-metal이 필요없으므로, 공정 시간 및 비용을 절감시키며, 공정의 단순화에 따른 태양 전지의 특성을 향상시키고, 태양 전지가 전류를 생성하기 위한 광원 전달 조건을 다양하게 변경하여, 그리드 전극의 도금 속도, 밀도, 구조 등 특성을 조절할 수 있어, 사용하고자 하는 태양 전지의 특성에 적합한 고품질의 전극을 형성할 수 있는 이점이 있다.
-
公开(公告)号：KR101419523B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120155896
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 나노패턴을 가지는 금속 필름을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 나노패턴을 가지는 금속 필름을 제조하는 방법에 있어서, 기판 상층에 희생층을 형성하는 제1단계와, 상기 희생층 상층에 도금을 위한 시드층을 형성하는 제2단계와, 전기 도금을 통하여 상기 시드층 상에 금속 필름을 형성하는 제3단계와, 상기 금속 필름 상층에 감광성 수지층을 형성한 후 노광 패터닝 및 현상 공정을 거쳐 상기 금속 필름 상층에 감광성 수지로 이루어진 나노패턴을 형성하는 제4단계 및 상기 희생층을 제거하여 상기 기판으로부터 나노패턴이 형성된 금속 필름을 분리시키는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 가지는 금속 필름의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 공정의 단순화로 공정 비용 및 공정 시간을 절감시키면서 100nm 이하의 미세한 나노패턴을 균일하게 형성시킬 수 있으며, 간단하게 나노패턴을 가지는 금속 필름을 제조할 수 있는 이점이 있다.
-
49.发明授权폴리머 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 폴리머 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 有权用于玻璃基础探针卡的空间变压器的制造方法和玻璃基探针卡的空间变换器
公开(公告)号：KR101415635B1
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120156756
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: The present invention relates to space transformer for a probe card. Subject matters of the present invention are a method of manufacturing a space transformer for a polymer-based probe card and the space transformer for a polymer-based probe card manufactured by the same. The method of manufacturing a space transformer for a probe card comprises the following steps. In a first step, a glass substrate is prepared. In a second step, a mask pattern layer for forming a via-hole is formed on the glass substrate. In a third step, a substrate via-hole is formed on the glass substrate according to a set pattern of the mask pattern layer. In a fourth step, a conductive material fills the via-hole. In a fifth step, a polymer substrate is formed on the glass substrate, and a metal interconnection electrode, which is electrically connected to the substrate via-hole, is formed on the polymer substrate. In a sixth step, a second polymer substrate is formed on top of the polymer substrate, on which the metal interconnection electrode is formed, and a polymer substrate via-hole, which is filled with the conductive material, is formed on the second polymer substrate. And in the seventh step, polymer substrates resulted from the fifth and sixth steps are alternately stacked, and the metal interconnection electrode formed on the polymer substrate is electrically connected with the polymer substrate via-hole. According to the present invention, a conventional multilayer ceramic simultaneous sintering process is not adopted, and deformation of the space transformer due to contractions and expansions is thus prevented. Furthermore, a manufacturing yield as well as productivity are improved and a manufacturing cost is reduced.
Abstract translation: 本发明涉及用于探针卡的空间变压器。 本发明的主题是制造用于基于聚合物的探针卡的空间变压器和由其制造的基于聚合物的探针卡的空间变压器的方法。 用于探针卡的空间变压器的制造方法包括以下步骤。 在第一步骤中，制备玻璃基板。 在第二步骤中，在玻璃基板上形成用于形成通孔的掩模图案层。 在第三步骤中，根据掩模图案层的设定图案在玻璃基板上形成基板通孔。 在第四步骤中，导电材料填充通孔。 在第五步骤中，在玻璃基板上形成聚合物基板，并且在聚合物基板上形成与基板通孔电连接的金属互连电极。 在第六步骤中，在形成有金属互连电极的聚合物基板的顶部上形成第二聚合物基板，并且在第二聚合物基板上形成填充有导电材料的聚合物基板通孔 。 在第七步骤中，由第五和第六步骤产生的聚合物基板交替堆叠，并且形成在聚合物基板上的金属互连电极与聚合物基板通孔电连接。 根据本发明，不采用常规的多层陶瓷同时烧结工艺，因此防止了由于收缩和膨胀引起的空间变压器的变形。 此外，制造成品率和生产率提高，制造成本降低。
-
公开(公告)号：KR1020140081202A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120150720
申请日：2012-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y30/00 , G03F7/11 , G03F7/2002 , H01L21/0274 , H01L21/288
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a nano-patterned metal film. In terms of a method for manufacturing a nano-patterned metal film, the method for manufacturing a nano-patterned metal film using a nano-imprint lithography and a plating process comprises: a first step where a resin layer is formed on the upper layer of a substrate; a second step where nano-pattern is formed on the resin layer by an imprinting and a hardening process after locating a stamp for imprinting on the resin layer; a third step where a seed layer is vapour-deposited on the nano-patterned resin layer; a fourth step where a metal layer is formed on the seed layer by a plating process; and a fifth step where a nano-patterned metal film is produced by separating the seed and metal layers from the substrate after removing the resin layer. Hence, the present invention uses a nano-imprint lithography and a plating process which reduces cost and time for processing by simplifying the processes. Also, a nano-patterned metal film can simply be produced.
Abstract translation: 本发明涉及一种纳米图案化金属膜的制造方法。 关于纳米图案化金属膜的制造方法，使用纳米压印光刻法和电镀法制造纳米图案化金属膜的方法包括：第一步骤，在上层形成树脂层 底物; 第二步，其中在定影用于压印的印模在树脂层上之后通过压印和硬化处理在树脂层上形成纳米图案; 第三步骤，将种子层气相沉积在纳米图案化树脂层上; 第四步骤，通过电镀工艺在种子层上形成金属层; 以及第五步骤，其中通过在除去树脂层之后从晶片和金属层中分离晶种和金属层来制造纳米图案化的金属膜。 因此，本发明使用纳米压印光刻和电镀工艺，其通过简化工艺来降低处理的成本和时间。 此外，可以简单地制造纳米图案化金属膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.031 seconds)
