公开(公告)号：KR1020150107632A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：KR1020150033337

申请日：2015-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B01D3/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/302

Abstract: (과제) 웨이퍼(W) 상의 액체를 확실하게 제거할 수 있으며, 또한 운전 비용의 저감을 도모한다.
(해결 수단) 분리 재생 장치(30)는 제1 비점을 갖는 제1 불소 함유 유기 용제와, 제1 비점보다 높은 제2 비점을 갖는 제2 불소 함유 유기 용제를 갖는 혼합 액체를 생성하는 버퍼 탱크(33)와, 혼합액을 제1 비점과 제2 비점 사이의 온도로 가열하여 기체형의 제1 불소 함유 유기 용제와 액체형의 제2 불소 함유 유기 용제로 분리하는 증류 탱크(34)와, 증류 탱크(34)로부터 이송되는 기체형의 제1 불소 함유 유기 용제를 액화하여 저류하는 제1 탱크(35)와, 증류 탱크로부터 이송되는 액체형의 제2 불소 함유 유기 용제를 저류하는 제2 탱크(36)를 구비하고 있다. 증류 탱크(34)는 버퍼 탱크(33)에서의 혼합액의 혼합 비율에 대응한 분리 비율로 혼합액을 제1 불소 함유 유기 용제를 많이 포함하는 액체와 제2 불소 함유 유기 용제를 많이 포함하는 액체로 분리한다.

Abstract translation: 本发明的目的是可靠地去除晶片上的液体（W），并降低运行成本。 为了实现本发明的目的，分离和重新制备装置（30）包括：用于产生具有第一沸点的第一含氟有机溶剂和第二含氟有机溶剂的混合液的缓冲罐（33） 溶剂，其第二沸点高于第一沸​​点; 用于通过在所述第一沸点和所述第二沸点之间的温度下加热所述混合液体而以液态形式分离所述第一含氟有机溶剂和所述第二含氟有机溶剂的蒸馏罐（34） 第一罐（35），用于液化和储存从蒸馏罐（34）转移的气态的第一含氟有机溶剂; 以及第二罐（36），用于储存从蒸馏罐转移的液体形式的第二含氟有机溶剂。 蒸馏罐（34）能够将分离速度与缓冲罐（33）中的混合液的混合比例分离成含有大量第一含氟有机溶剂的液体和含有 大量的第二种含氟有机溶剂。

公开(公告)号：KR1020140030218A

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：KR1020137031389

申请日：2012-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  이와시타미츠아키 ,  도시마다카유키 ,  하야시히데카즈 ,  사토요헤이 ,  오쿠치히사시 ,  도미타히로시

IPC: H01L21/302

Abstract: [과제] 기판의 패턴내에 들어간 건조 방지용의 액체를 비교적 짧은 시간에 제거할 수 있는 기판 처리 방법 등을 제공한다. [해결수단] 표면에 요철 패턴이 형성되고, 그 오목부내에 들어가도록 상기 패턴을 덮는 건조 방지용의 액체가 부착된 기판(W)을 처리 용기(31)내에 반입하며, 이어서, 기판(W)을 가열하고, 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 처리 용기(31)내에 공급하여, 패턴 붕괴를 야기하는 정도까지 건조 방지용의 액체가 기화하기 전에 이 처리 용기(31)내에 고압 분위기를 형성하며, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 한 후, 처리 용기(31)내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출한다.

公开(公告)号：KR1020120073089A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：KR1020110118816

申请日：2011-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토루 ,  오리이다케히코 ,  마루야마히로타카 ,  미나미데루오미 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for processing a substrate are provided to prevent fine particles from being attached due to a watermark on the surface of a substrate by heating the substrate at higher temperatures than a dew point temperature. CONSTITUTION: A substrate inputting and outputting stand(4) is formed in a front end of a substrate processing apparatus(1). A carrier(3) horizontally receives a plurality of substrates(2). A substrate transferring chamber(5) is formed in the rear of the substrate inputting and outputting stand and transfers the substrate and receives a substrate transferring device(8) and a substrate transfer stand(9). A substrate processing chamber(6) cleans or dries the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理基板的方法和装置，以通过在比露点温度更高的温度下加热基板来防止由于水印而在基板的表面上附着细颗粒。 构成：在基板处理装置（1）的前端形成基板输入输出台（4）。 水平地承载多个基板（2）的载体（3）。 在基板输入输出支架的后部形成有基板搬送室（5），并传送基板并接收基板搬送装置（8）和基板搬运支架（9）。 基板处理室（6）清洗或干燥基板。

公开(公告)号：KR1020090088800A

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：KR1020090009821

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이다케히코 ,  세키구치겐지

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  F26B9/06

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recoding medium are provided to reduce an amount of the low humidity gas by supplying the low humidity gas by arranging a gas discharging head in a proximal position when drying the substrate. A chamber(1) accommodates a substrate(W). A substrate maintaining unit horizontally maintains the substrate in the chamber. The rotating device rotates the substrate maintaining unit. A gas discharging head(7) discharges one of the low humidity gas and the clean air to the lower part. The gas supply unit supplies one of the low humidity gas and the clean air to the gas discharging head. A shaft(12) is rotated by a rotation motor(11). A nozzle head(14) moves on the wafer by rotating a nozzle arm(13).

Abstract translation: 提供基板处理装置，基板处理方法和记录介质，以在干燥基板时将近端位置设置排气头来供给低湿气体来减少低湿气体的量。 腔室（1）容纳衬底（W）。 衬底保持单元将衬底水平地保持在腔室中。 旋转装置旋转衬底保持单元。 排气头（7）将低湿度气体和清洁空气中的一个排出到下部。 气体供给单元将一个低湿度气体和清洁空气提供给排气头。 轴（12）由旋转马达（11）旋转。 喷嘴头（14）通过旋转喷嘴臂（13）在晶片上移动。

公开(公告)号：KR100832164B1

公开(公告)日：2008-05-23

申请号：KR1020060017330

申请日：2006-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 기판의 부착물을 제거하고 청정한 기판을 수득할 수 있는 기판의 표면 처리 방법을 제공한다.
웨이퍼(W)의 표면에 형성된 절연막(301)에 레지스트층(302)을 이용하여 소스 드레인 콘택트용 콘택트 홀(303)이 형성된 웨이퍼(W)에, SPM 세정을 수행하여 금속 컨태미네이션(305)을 제거하고, DHF 세정을 수행하여 웨이퍼(W)상에 발생된 자연 산화막을 제거하고, 스핀 건조를 수행한다. 다음으로, 웨이퍼(W)를 암모니아 및 불화 수소 가스의 혼합 기체에 소정 압력 하에서 폭로하고, 워터마크(307)를 형성하는 SiO
2 로부터 변질된 착게 구조를 갖는 생성물을 소정 온도로 가열한다.

公开(公告)号：KR100766844B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020067012237

申请日：2005-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이다케히코 ,  세키구치겐지 ,  우치다노리타카 ,  다나카사토루 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: F26B5/005 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판(W)을 유지하여 이를 회전시키는 스핀척(3)을 구비한다. 스핀척에 의해 회전되는 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급 시스템(11,…)이 마련된다. 또한, 기판에 대하여, 처리액보다도 휘발성이 높은 건조용 유체를 공급하는 유체 노즐(12)과, 기판에 대하여 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐(13)이 마련된다. 불활성 가스 노즐이 유체 노즐보다도 기판의 회전 중심(P
o )에 가까워지도록 유지하면서, 이들의 노즐(12, 13)을 기판의 회전 중심에 대하여 반경 방향 외측으로 향해 이동시키는 노즐 이동 기구(15, 52,…)가 마련된다.

Abstract translation: 根据本发明的基板处理装置包括一个旋转卡盘（3），用于旋转它用于保持衬底（W）。 设置处理液供给系统，用于供给处理溶液由旋转卡盘（11，...）旋转的基板。 另外，相对于该衬底，流体喷嘴12，用于供给惰性气体到衬底比所述高挥发性为它提供液体供给干燥流体来处理惰性气体喷嘴13。 基板除了惰性气体喷嘴的旋转中心是流体喷嘴（P

公开(公告)号：KR1020070036670A

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：KR1020060092089

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지이야스시 ,  도시마다카유키 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 본 발명은 피에칭막을 에칭한 후 희생막 등의 잔존 물질을 제거하는 처리를 위하여, 그 잔존 물질을 소정의 액에 가용화하고 그 후, 그 소정의 액에 의해 잔존 물질의 제거를 수행할 때에, 패턴 벗겨짐 등의 데미지가 적은 기판 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
기판 상에 형성된 피에칭막을 에칭 처리하여 소정 패턴을 형성하는 공정과, 에칭 처리를 끝낸 후에 잔존하는 물질을 소정의 액에 대하여 가용화하도록 변성시키는 공정과, 그 후, 패턴이 형성된 피에칭막의 표면을 실릴화 처리하는 공정과, 그 후 소정의 액을 공급하여 변성된 물질을 용해 제거하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060009232A

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：KR1020057012922

申请日：2004-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이이노다다시 ,  사이토유스케 ,  나카모리미츠노리 ,  유치다노리타카 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138

Abstract: Disclosed is a processing method for removing an ArF resist film from a wafer having such an ArF resist film. The ArF resist film is irradiated with an ultraviolet light, and then treated with an ozone gas and water vapor supplied thereto, so that the ArF resist film is modified into a water-soluble one. By supplying a purified water to the thus-modified water-soluble ArF resist film, the ArF resist film is removed from the substrate.

Abstract translation: 公开了从具有这种ArF抗蚀剂膜的晶片去除ArF抗蚀剂膜的处理方法。 用紫外线照射ArF抗蚀剂膜，然后用供给其的臭氧气体和水蒸气进行处理，使得ArF抗蚀剂膜被改性为水溶性膜。 通过向经过改性的水溶性ArF抗蚀剂膜提供净化水，从基板除去ArF抗蚀剂膜。

公开(公告)号：KR1020010091978A

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：KR1020010012577

申请日：2001-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to capable of uniformly performing predetermined processing with a solution on a substrate, make each line width be uniform in developing processing and prevent defects from occurring during the coating of the developing solution. CONSTITUTION: On the occasion of developing processing, a mixed solution produced by stirring a developing solution and a solution with a specific gravity smaller than the developing solution is supplied to the front surface of a substrate and left as it is for a fixed period of time. After the mixed solution is separated into two layers of which the lower layer is the developing solution and the upper layer is the solution, developing progresses all at once in the entire surface of the substrate. Hence, time difference in start time of developing does not occur in the surface of the substrate, thereby enabling uniform developing and an improvement in line width uniformity of a resist pattern film in the surface of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法和基板处理装置，以能够在基板上均匀地进行溶液的预定处理，使得显影处理中的每个线宽均匀，并防止在显影液的涂布期间发生缺陷。 构成：在显影处理的情况下，将通过搅拌显影液和比重小于显影液的溶液产生的混合溶液供给到基板的前表面，并保持原样保持一定时间 。 将混合溶液分离成两层，其中下层为显影液，上层为溶液，显影全部在基材的整个表面进行。 因此，在基板的表面上不会发生显影开始时间的时间差，从而能够使基板表面中的抗蚀剂图案膜的均匀显影和线宽均匀性得到改善。