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公开(公告)号：KR101835709B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020100113855
申请日：2010-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 기판상의스위칭소자가배치된다. 상기스위칭소자상에위치하고, 제1수직두께를가지는제1영역, 및상기제1수직두께보다작은제2수직두께를가지는제2영역을포함하는버퍼전극패턴이배치된다. 상기제1영역상의하부전극패턴이배치된다. 상기제2영역상의트림절연패턴이배치된다. 상기하부전극패턴상의가변저항패턴이배치된다.
Abstract translation: 在基板上布置开关元件。 缓冲电极图案设置在开关元件上并包括具有第一垂直厚度的第一区域和具有小于第一垂直厚度的第二垂直厚度的第二区域。 布置第一区域上的下电极图案。 第二区域上的修整绝缘图案被布置。 在下电极图案上设置可变电阻图案。
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公开(公告)号：KR1020170022415A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150117342
申请日：2015-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04S7/303 , H04R3/04 , H04R5/02 , H04R2205/024 , H04R2420/07 , H04R2430/03 , H04S7/307 , H04S2400/13
Abstract: 오디오신호가출력될스피커의위치정보및 성능정보를획득하고, 위치정보에기초하여, 주파수대역을선택하고, 성능정보에기초하여, 오디오신호에대하여선택된주파수대역중 강화하고자하는구간을결정하고, 결정된구간에게인값을적용하는, 오디오신호를처리하는방법이개시된다.
Abstract translation: 提供一种处理音频信号的方法。 该方法包括获取配置为输出音频信号的扬声器的位置信息和性能信息，基于位置信息选择频带，基于性能从相对于音频信号的所选频带确定要加强的部分 信息，并将增益值应用于确定的部分。
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公开(公告)号：KR101683174B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020100001899
申请日：2010-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B11/00
CPC classification number: H03F3/2173 , H03F2200/03 , H03F2200/351
Abstract: 오디오신호를수신하는수신부, 서로위상이상이한제1 반송파내지제4 반송파를생성하는반송파생성부, 제1 반송파및 제2 반송파각각을오디오신호와비교한결과인제1 변조신호및 제2 변조신호를제1 전원전압의크기에기초하여증폭하여제1 증폭변조신호및 제2 증폭변조신호를생성하는증폭변조신호생성부, 제3 반송파를오디오신호와비교한결과인제3 변조신호의논리상태에따라제1 증폭변조신호또는제2 전원전압을출력하는제1 출력부, 제4 반송파를오디오신호와비교한결과인제4 변조신호의논리상태에따라제2 증폭변조신호또는제2 전원전압을출력하는제2 출력부, 및제1 출력부의출력값 및제2 출력부의출력값을합성하여출력하는최종출력부를포함하는것을특징으로하는오디오신호증폭장치가개시된다.
Abstract translation: 一种用于减小信号放大装置中的解调滤波器的尺寸和相应的功率消耗的音频信号放大装置和方法。 在装置和方法中，从接收的音频信号产生具有相移的载波。 将移位的载波与音频信号进行比较，以产生基于电源电压被放大的调制信号。 基于载波和音频信号之间的比较输出放大的调制信号或电源信号。 合成输出信号以产生具有较低平均电压和电流值的合成信号，从而降低信号放大装置的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160015126A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140147258
申请日：2014-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/28
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체소자는활성영역을정의하는소자분리막을포함하는기판, 상기활성영역내에형성된소오스/드레인영역, 상기활성영역을제 1 방향으로가로지르고, 상기제 1 방향에수직인제 2 방향으로배열되는워드라인들, 상기워드라인들사이에위치하는상기활성영역상에제 2 방향으로가로지르는비트라인패턴및, 비트라인패턴을덮는그래핀패턴을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体器件包括：衬底，其包括限定有源区的器件隔离层; 在有源区中形成的源/漏区; 在与第一方向垂直的第二方向上配置的与第一方向交叉的区域的字线， 位于位于第二方向上的字线之间的有源区域上的位线图案和覆盖位线图案的石墨烯图案。
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公开(公告)号：KR101559912B1
公开(公告)日：2015-10-13
申请号：KR1020090027622
申请日：2009-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1616 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 상변화메모리소자의형성방법을제공할수 있다. 이를위해서, 하부전극및 층간절연막을가지는반도체기판이준비될수 있다. 상기하부전극은층간절연막으로둘러싸일수 있다. 상기반도체기판을반도체증착장비의공정챔버내 안착시킬수 있다. 상기공정챔버내 소오스가스들, 반응가스및 퍼지가스를주입해서반도체기판상에상변화물질막을형성할수 있다. 상기소오스가스들은공정챔버에동시에주입될수 있다. 상기상변화물질막은층간절연막을통해서하부전극과접촉할수 있다. 상기층간절연막을노출시키도록상변화물질막을식각해서층간절연막에상변화메모리셀을형성할수 있다. 상기상변화메모리셀 상에상부전극을형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140068590A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020120136266
申请日：2012-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04S7/307 , G10L19/008 , H03F3/217 , H03K7/08 , H04S2400/09
Abstract: A multichannel audio system is disclosed. The multichannel audio system includes: a pulse width modulation unit which generates a PWM signal by comparing a carrier signal with an audio signal; a compression unit which detects an envelope of the audio signal using the PWM signal, generates a front-channel PWM signal by compressing the PWM signal at a first compression strength according to the envelope, and generates a rear-channel PWM signal by compressing the PWM signal at a second compression strength higher than a first compression level; an amplification unit which filters a front-channel audio signal and a rear-channel audio signal from the front-channel PWM signal and the rear-channel PWM signal, respectively, and amplifies the front-channel audio signal and the rear-channel audio signal; a front speaker unit which outputs the amplified front-channel audio signal; and a rear speaker unit which outputs the amplified rear-channel audio signal. Accordingly, power consumed by the multichannel audio system can be reduced.
Abstract translation: 公开了一种多声道音频系统。 多声道音频系统包括：脉冲宽度调制单元，其通过将载波信号与音频信号进行比较来产生PWM信号; 使用PWM信号检测音频信号的包络的压缩单元，通过根据包络以第一压缩强度压缩PWM信号，生成前置信号PWM信号，并通过压缩PWM产生后置信号PWM信号 以比第一压缩水平高的第二压缩强度信号; 放大单元，其分别从前通道PWM信号和后通道PWM信号滤除前置声道音频信号和后置声道音频信号，并放大前置声道音频信号和后置声道音频信号 ; 前置扬声器单元，其输出放大的前置声道音频信号; 以及输出放大的后置声道音频信号的后置扬声器单元。 因此，可以减少多声道音频系统消耗的功率。
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公开(公告)号：KR1020130006899A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110062031
申请日：2011-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2409 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/1691
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce cell resistance between word lines by burying a metal silicide pattern in an active region. CONSTITUTION: An impurity region(135) is formed on the upper side of an active region of a substrate. A metal silicide pattern(130) is buried in the impurity region. A diode(149) is formed on the impurity region. A bottom electrode is formed on the diode. A phase change film pattern is formed on the bottom electrode. [Reference numerals] (AA) Second direction; (BB) First direction
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器件及其制造方法，通过在活性区域中埋入金属硅化物图案来减小字线之间的电池电阻。 构成：在衬底的有源区的上侧形成杂质区（135）。 金属硅化物图案（130）埋在杂质区域中。 在杂质区上形成二极管（149）。 在二极管上形成底电极。 在底部电极上形成相变膜图形。 （附图标记）（AA）第二方向; （BB）第一方向
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公开(公告)号：KR1020120124787A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042632
申请日：2011-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L21/027 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/90 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/16 , H01L45/1683 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to maximize the high integration of the semiconductor device by rapidly processing high capacity data. CONSTITUTION: A target layer(200) is formed on a substrate(100) A metal oxide layer(300) is formed on the substrate. A metal oxide pattern is formed by etching the metal oxide layer. A buried material is formed on the substrate. A second hard mask pattern is formed on the buried material layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过快速处理高容量数据来最大化半导体器件的高集成度。 构成：在基板（100）上形成目标层（200）。在基板上形成金属氧化物层（300）。 通过蚀刻金属氧化物层形成金属氧化物图案。 掩埋材料形成在基板上。 在掩埋材料层上形成第二硬掩模图案。
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