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公开(公告)号：KR1020170130277A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020170027958
申请日：2017-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 김성복
Abstract: 고출력반도체장치는고출력반도체구조체, 고출력반도체구조체의바닥면상에제공되는제1 방열기판, 및고출력반도체구조체의상면상에제공되는제2 방열기판을포함하되, 제1 및제2 방열기판들사이의최소거리는 5 내지 20 마이크로미터(㎛)이다.
Abstract translation: 高功率半导体器件，包括：其中被提供给第1散热板的第二散热板，和设置在高输出半导体结构中，高功率的半导体结构，所述散热基板之间的第一mitje第二最小距离的底部表面上的区域的高输出的半导体结构的服装 5至20微米（占）。
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公开(公告)号：KR1020170043985A
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020160025207
申请日：2016-03-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 발광다이오드를제조하는방법이제공된다. 상기발광다이오드의제조방법은성장기판상에버퍼층, 초격자층, n형반도체층, 활성층, 및 p형반도체층을차례로형성하되, 상기초격자층은교대로그리고반복적으로적층된제1 및제2 서브층들을포함하는것, 상기성장기판의하면으로부터상기초격자층까지연장되는비아홀을형성하는것, 및상기비아홀 내에 n형전극을형성하는것을포함한다. 나아가, 상기비아홀을형성하는것은유도플라즈마분광법을이용하여상기비아홀의바닥면의위치를파악하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种制造发光二极管的方法。 用于制造发光二极管的方法是生长衬底的缓冲层，所述超晶格层，所述n型半导体层，有源层和p型，但半导体层，然后，将基础网格层交替和重复的层叠体在第一mitje第二子 形成从生长衬底的表面延伸到栅格层下面的相的通孔以及在通孔中形成n型电极。 此外，形成通孔包括使用感应等离子体光谱来定位通孔的底面。
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公开(公告)号：KR101695306B1
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020130152420
申请日：2013-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: 본발명은질화물반도체의제조방법에관한것으로, 반응기내에기판을준비하는것 및상기기판상에에피층을형성하는것을포함하고, 상기에피층을형성하는것은펄스플로우성장법을수행하는것을포함하되, 상기펄스플로우성장법은상기기판상에 5족소스물질을공급하는것 및상기기판상에 3족소스물질을공급하는것을포함하고, 상기 5족및 3족소스물질들은상기반응기내에교대로공급되되, 상기 5족소스물질은히드라진(hydrazine) 계열의물질을포함하는질화물반도체의제조방법에제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的方法，包括在反应器中制备衬底并在衬底上形成外延层的步骤。 形成外延层时进行脉冲流生长方法; 脉冲流生长方法包括在基板上提供3-5组源材料; 将组3-5材料交替地供应到反应器的内部; 5组源材料包括肼类材料。
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公开(公告)号：KR1020150066853A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020130152420
申请日：2013-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/28
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/0228 , H01L21/02293 , H01L21/2056 , H01L21/28194 , H01L33/0062 , H01L33/32
Abstract: 본발명은질화물반도체의제조방법에관한것으로, 반응기내에기판을준비하는것 및상기기판상에에피층을형성하는것을포함하고, 상기에피층을형성하는것은펄스플로우성장법을수행하는것을포함하되, 상기펄스플로우성장법은상기기판상에 5족소스물질을공급하는것 및상기기판상에 3족소스물질을공급하는것을포함하고, 상기 5족및 3족소스물질들은상기반응기내에교대로공급되되, 상기 5족소스물질은히드라진(hydrazine) 계열의물질을포함하는질화물반도체의제조방법에제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的方法，包括在反应器中制备衬底并在衬底上形成外延层的步骤。 形成外延层时进行脉冲流生长方法; 脉冲流生长方法包括在基板上提供3-5组源材料; 将组3-5材料交替地供应到反应器的内部; 5组源材料包括肼类材料。
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公开(公告)号：KR1020140032251A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120098921
申请日：2012-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: A63B23/03
CPC classification number: A63B23/03
Abstract: An eyeball exercise device according to an embodiment of the present invention comprises: a plurality of LEDs formed around a display at a certain interval; and an input part setting a program to make the LEDs operate according to a certain operating pattern, and the input part saves the program storing the operating pattern by a pattern number, operates the LEDs responding to the selected pattern number, sets the time when the program operates, and processes the eyeball movement at every setting time.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的眼球训练装置包括：以一定间隔在显示器周围形成的多个LED; 以及输入部，设定程序以使得LED根据某一操作模式进行操作，并且输入部分将存储操作模式的程序保存为模式号，根据所选择的模式编号操作LED，设置时间 程序运行，并在每个设定时刻处理眼球运动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100900320B1
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020080086907
申请日：2008-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 각 영역에 회절격자를 포함하는 두 개의 DFB 영역과 위상 변조 영역으로 구성된 다중 영역 DFB 레이저 소자를 이용하는 테라헤르츠파 발생 방법에 관한 것이다.
기판 상에 하부 도파로, 상기 하부 도파로 상부에 활성층 및 상기 활성층 상부에 상부 도파로를 포함하는 제1 DFB 영역에 제1 회절 격자를 형성하는 단계, 상기 기판 상에 형성된 상기 하부 도파로, 상기 활성층 및 상기 상부 도파로를 포함하며 상기 제1 DFB영역과 이격 거리에 위치된 제2 DFB 영역에 제2 회절 격자를 형성하는 단계, 상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB영역과 상기 제2 회절 격자가 형성된 제2 DFB영역 사이에 위상 변조 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB 영역에 제1 전류를 공급하고, 상기 제2 회절 결자가 형성된 제2 DFB 영역에 제2 전류를 공급하여 상기 제1 DFB 영역 및 상기 제2 DFB 영역에서 제1 발진파 및 제2 발진파를 발생시키는 단계, 상기 위상 변조 영역에 위상 조정 전류를 공급하여 상기 제1 발진파 및 제2 발진파의 위상을 조정하는 단계 및 상기 위상이 조정된 제1 발진파 및 제2 발진파를 포토믹싱하는 단계를 포함하되, 상기 제1 발진파 및 제2 발진파의 브래그 파장 차이에 비례하여 상기 제1 발진파의 발진파장은 감소하고 상기 제2 발진파의 발진파장은 증가하는 것을 특징으로 하는 테라 헤르츠파를 발생하는 방법을 제공할 수 있다.
전술한 바와 같은 방법으로 생성되는 테라헤르츠파는 , 각각 회절격자의 주 기 차이를 변화시킴으로써 다중 영역 DFB 레이저에서 방출하는 두 모드의 주파수 차이를 매우 낮은 주파수에서 THz 영역까지 변화시킬 수 있다.
다중 영역 DFB LD, 테라헤르츠파 생성, 회절격자-
公开(公告)号：KR1020080042661A
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：KR1020070059228
申请日：2007-06-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A wavelength converter having a phase controller is provided to improve a manufacturing yield of an optical element by enhancing a destructive interference performance of the optical element. A wavelength converter includes a light splitter(103), first and second SOAs(105A,105B), phase controllers(107A,107B), and a photocoupler(111). The light splitter splits an input optical signal. The first and second SOAs magnify and shift the phase of respective optical signals from the light splitter, and output the optical signals. The phase controllers shift the phase of the optical signal from the first and second SOAs(Semiconductor Optical Amplifiers) according to an applied current and includes a pair of metal pads and a micro heater. The metal pad receives the applied current. The micro heater changes a refractive index of the wavelength converter according to the current applied through the metal pad. The photocoupler couples the phase-shifted optical signals with each other and outputs the coupled optical signal.
Abstract translation: 提供具有相位控制器的波长转换器，以通过增强光学元件的相消干涉性能来提高光学元件的制造成品率。 波长转换器包括分光器（103），第一和第二SOA（105A，105B），相位控制器（107A，107B）和光电耦合器（111）。 光分路器分离输入光信号。 第一和第二SOAs放大并移动来自光分路器的相应光信号的相位，并输出光信号。 相位控制器根据施加的电流移动来自第一和第二SOA（半导体光放大器）的光信号的相位，并且包括一对金属焊盘和微加热器。 金属垫接收所施加的电流。 微加热器根据通过金属垫施加的电流来改变波长转换器的折射率。 光电耦合器将相移的光信号彼此耦合，并输出耦合的光信号。
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48.发明授权수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 有权垂直谐振面发光激光二极管的DBR结构及其制造方法和垂直谐振面发光激光二极管
公开(公告)号：KR100794673B1
公开(公告)日：2008-01-14
申请号：KR1020060049246
申请日：2006-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: 본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드에 관한 것으로, 본 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물은, InP 기판과, 상기 InP기판 상에 적층되며, InAlGaAs층 및 상기 InAlGaAs층보다 낮은 굴절률을 갖는 InAlAs층으로 이루어진 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층과, 상기 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층 사이에 주기적으로 형성된 상기 InAlGaAs층 및 InP층으로 이루어진 InAlGaAs/InP DBR층을 포함한다. 이에 따라, DBR 구조물의 표면 상태를 개선하여 결함이 없는 양질의 박막을 유지하고, 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한, 표면 상태가 개선된 양질의 DBR 구조물을 사용하여 DBR의 반사율을 향상시킴으로써, 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 자체의 특성을 향상시킬 수 있다.
분산 브래그 반사경(DBR: distributed Bragg reflector), 장파장 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드Abstract translation: 本发明中，所述二极管垂直腔表面根据垂直腔表面发射激光器（VCSEL）DBR结构和二极管的制造方法以及垂直腔表面发射激光器（VCSEL）二极管发射激光器（VCSEL），InP衬底的DBR结构 和，被沉积在InP衬底，InAlGaAs层和InAlGaAs层InAlGaAs层比由铟铝砷层的具有低的折射率，并周期性所述多个InAlGaAs / InAlAs的DBR层之间形成在该多个InAlGaAs / InAlAs的DBR层上 以及由InP层制成的InAlGaAs / InP DBR层。 因此，能够提高DBR结构保持无缺陷的薄膜的质量的表面状态并提高反射率。 此外，它是通过改善DBR的反射率与表面条件改善的质量DBR结构可能，提高了垂直腔表面发射激光二极管本身的特性。
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49.发明授权수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 有权分布式布拉格反射器DBR在垂直腔表面发射激光器VCSEL二极管及其制造方法和VCSEL二极管
公开(公告)号：KR100794667B1
公开(公告)日：2008-01-14
申请号：KR1020060049238
申请日：2006-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: 본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드에 관한 것이다.
본 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물은 InP 기판 상부에 형성되는 제 1 굴절률을 갖는 InAlGaAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제1 InAlAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 제1 InAlAs층 상에 형성되는 InP층; 및 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제2 InAlAs층을 포함한다. 이에 따라, InAlGaAs층과 InP층의 접합부분에서 발생하는 타입-Ⅱ 밴드 라인업에 의해 발생하는 광학적 손실을 줄이므로, 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
DBR(distributed Bragg reflector), InAlGaAs, InP, InAlAs, 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드-
公开(公告)号：KR100753814B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020050064178
申请日：2005-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 단일집적 반도체 광대역 광원 제작에 관한 것이다. 제작된 반도체 레이저는 전자흡수(Electro Absorption; EA) 변조기(Modulator)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier;SOA)와 발광다이오드(Light Emitting Diode;LED)의 세 구성요소가 InP 기판위에 단일집적되어 있다. 변조기와 SOA와 LED 사이는 이온주입으로 전기적 절연되었으며, 각 전극에서 변조기와 SOA와 LED에 독립적으로 전류를 주입하게 되어 있다. 특히, 이온주입에 의한 전류차단층 형성과 전극간의 전기적 절연이지만 광학적으로 연결된 구조를 만드는 것이 소자성능에 중요하다. 본 발명은 동일한 활성층의 SOA와 LED를 단일집적으로 제작하여, LED 영역에서 생성된 광대역광이 SOA에서 증폭되고 변조기에서 변조되어 단일집적된 광대역 광원소자를 만드는 것이다.
반도체 레이저 다이오드, 광증폭기, SOA, 변조기, LED
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