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公开(公告)号:KR1020070105437A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:KR1020060037537
申请日:2006-04-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , Y10S977/742
Abstract: A system and a method for combining multi-scale simulations are provided to combine/apply QM and MM according to the applied system by developing a general QM/MM combining algorithm irrespective of predetermined QM/MM methodology. An input device receives QM/MM method selection, a molecular structure of whole system, and the molecular structure of a cluster. An operator calculates based on input data of the input device. An output device outputs a position of a molecule in the whole system, and the molecular and electric structure in a cluster area as a calculation result of the operator. The operator comprises a cluster area selector(101), a link molecule generator(103) joining the QM and the MM, a QM/MM energy and power calculator(104), a molecular energy and power calculator(105), and a structure optimizing module(106) finding the molecular structure minimizing whole energy.
Abstract translation: 提供了一种用于组合多尺度模拟的系统和方法,通过开发一般的QM / MM组合算法,与预定的QM / MM方法无关,根据所应用的系统组合/应用QM和MM。 输入设备接收QM / MM方法选择,整个系统的分子结构和簇的分子结构。 操作者根据输入设备的输入数据进行计算。 输出装置输出整个系统中的分子的位置,以及在区域中的分子和电结构作为操作者的计算结果。 运营商包括:集群区域选择器(101),连接QM和MM的链路分子发生器(103),QM / MM能量和功率计算器(104),分子能量和功率计算器(105) 优化模块(106)找到最小化整个能量的分子结构。
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42.
公开(公告)号:KR1020060019907A
公开(公告)日:2006-03-06
申请号:KR1020040068606
申请日:2004-08-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양이온 고분자 전해질 또는 비이온성 계면활성제를 사용한 적층기법(layer-by-layer)에 의하여 소수성 기판을 개질하여 친수화 시킴으로써 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제 처리하여 제조한 100 ㎚ 이하 크기의 고농도 수계 금속나노 졸을 이용하여 직접 잉크젯 기법으로 기판상에 미세라인을 형성할 수 있도록 한 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것이다.
고분자 전해질, 금속 나노 졸, 표면개질제, 소수성 기판-
公开(公告)号:KR1020050102303A
公开(公告)日:2005-10-26
申请号:KR1020040027593
申请日:2004-04-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08J3/16
Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 중합개시제와 계면활성제를 포함하는 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 기존과는 달리 수계 슬러리가 아닌 오일상에 중합개시제와 계면활성제를 주입한 후 수계 슬러리를 분산시킴으로써, 오일상에 분산시키기 전 수계 슬러리의 저장시간이 길어져서 제조공정 중 불안요인이 제거되며, 상기 수계 슬러리의 겔화 방지를 위한 저온 제어장치가 필요없어 공정설비의 단순화를 달성할 수 있고, 전체적인 공정의 제어가 용이하면서, 제조된 구가 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 단시간에 성형할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号:KR1020050102302A
公开(公告)日:2005-10-26
申请号:KR1020040027592
申请日:2004-04-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08J3/12
Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 구의 직경의 조절이 용이하여 직경이 1 ㎜ 이하인 구상 성형체를 제조할 수 있고, 오일상에 분산 후 겔화에 의하여 고화시키므로 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 성형할 수 있으며, 상기 겔화에 의하여 강도가 부여된 구를 하소 및 소결을 거쳐 밀도 및 강도가 높은 구상 성형체를 용이하게 대량으로 제조할 수 있다.-
公开(公告)号:KR1020050087021A
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:KR1020040012210
申请日:2004-02-24
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C01G23/047 , B82Y30/00 , C01G23/053
Abstract: 본 발명은 티타니아 나노튜브의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 티타니아를 알칼리 처리하여 용해시키고, 수차례의 수세 공정으로 알칼리 성분이 남아 있지 않은 상태에서 특정반응 조건으로 무기산 처리하여 숙성시키는 2단계 공정으로, 종래의 용해 및 숙성이 연속적으로 수행되는 알칼리 공정에 의한 나노튜브 제조법에 비해 산 숙성 공정을 도입하여 비표면적, 직경 및 길이의 제어가 가능하고, 큰 이방성(aspect ratio), 재현성, 균일성 및 강도 등에서 우수한 티타니아 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号:KR1020020003887A
公开(公告)日:2002-01-16
申请号:KR1020000034032
申请日:2000-06-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G23/047
CPC classification number: C01G23/047 , C01P2002/52 , C01P2006/40
Abstract: PURPOSE: A method for preparing titanium suboxides powder with high thermal oxidation resistance is provided. The invented titanium suboxides is capable of keeping superior electrochemical property even in the temperature range higher than 400deg.C without reoxidation. CONSTITUTION: In the fabrication method of titanium suboxides powder where titanium dioxide ceramic slurry is granulated by spray dryer, and then it is reduced under hydrogen atmosphere, the present invention is characterized in that Mn 1-5wt.% is incorporated, based on the weight of titanium dioxide, in the titanium dioxide ceramic slurry.
Abstract translation: 目的:提供一种制备具有高耐热氧化性的低氧化钛粉末的方法。 本发明的低金属氧化物即使在高于400℃的温度范围内也能够保持优异的电化学性能,而无需再氧化。 构成:在二氧化钛陶瓷浆料通过喷雾干燥器造粒,然后在氢气氛下还原的低氧化钛粉末的制造方法中,本发明的特征在于,以重量计,加入锰1-5重量% 的二氧化钛,在二氧化钛陶瓷浆料中。
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公开(公告)号:KR101905646B1
公开(公告)日:2018-10-10
申请号:KR1020160133143
申请日:2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.
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公开(公告)号:KR1020170114620A
公开(公告)日:2017-10-16
申请号:KR1020160041870
申请日:2016-04-05
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G30/00 , H01L31/0216 , H01L31/04 , H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은납을함유하지않는무연페로브스카이트계화합물이며, 본발명에따른페로브스카이트계화합물은직접천이밴드갭(direct band gap)을가지며, 화학식 1을만족한다. (화학식 1) A(MM)X화학식 1에서, A는 1가의양이온으로, A는알칼리이온, 유기암모늄이온및 아미디니움계(amidinium group) 이온에서하나이상선택되며, M은 1가의금속이온이고, M는 3가의금속이온이며, X는할로겐이온이다.
Abstract translation: 本发明是不含铅的无铅钙钛矿化合物,本发明的钙钛矿化合物具有直接的带隙,满足下式(1)。 其中A是一价阳离子,A是选自碱金属离子,有机铵离子和脒鎓离子中的至少一种,M是一价金属离子, M是三价金属离子,X是卤素离子。
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公开(公告)号:KR100991011B1
公开(公告)日:2010-10-29
申请号:KR1020080054358
申请日:2008-06-10
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자가 탄소와 탄소 사이의 공유결합을 파괴하지 않으면서 결합되어 있고, 전기전도도의 변화를 측정하여 목표 바이오 분자를 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서에 관한 것이고, 또한 탄소나노튜브 트랜지스터를 금속 이온이 녹아있는 용액에 넣고 금속을 환원시켜 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자를 점재시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서의 제조방법에 관한 것이며, 또한 상기 바이오 센서를 이용한 목표 바이오 분자의 검출방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브, 탄소나노튜브 트랜지스터, 금속 나노입자, 전기전도도, 바이오 센서, 바이오 분자-
公开(公告)号:KR1020100002842A
公开(公告)日:2010-01-07
申请号:KR1020080062886
申请日:2008-06-30
Applicant: 한국화학연구원 , 전북대학교산학협력단 , 단국대학교 산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/45 , H01L51/0048
Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof are provided to maintain the characteristics of an n-type semiconductor in air for long time by using a gadolinium as a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: In a carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof, a source electrode(12) is formed on a substrate. A drain electrode(14) is formed on the substrate, and the carbon nanotube channel(18) interlinks the source electrode and the drain electrode. A part or greater of the drain electrode and source electrode is formed with a gadolinium metal. The carbon nanotube channel has the characteristics of n-type semiconductor chip.
Abstract translation: 目的:提供一种碳纳米管晶体管及其制造方法,其通过使用钆作为源电极和漏电极,将n型半导体的特性长时间地维持在空气中。 构成:在碳纳米管晶体管及其制造方法中,在基板上形成源电极(12)。 在基板上形成漏电极(14),碳纳米管通道(18)将源电极和漏电极互连。 漏电极和源电极的一部分或更多部分由钆金属形成。 碳纳米管通道具有n型半导体芯片的特性。
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