公开(公告)号：DE102018111213A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111213

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  HELLMUND OLIVER ,  NEIDHART THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT GERHARD ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Vorsehen eines Halbleitersubstrats (102) mit einer ersten Hauptoberfläche (104) und einer der ersten Hauptoberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (106), wobei das Halbleitersubstrat (102) einen ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierstoff aufweist und ein kovalenter Atomradius eines Materials des Halbleitersubstrats (102) i) größer als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und kleiner als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes oder ii) kleiner als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und größer als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes ist. Eine vertikale Ausdehnung des ersten Dotierstoffes in das Halbleitersubstrat (102) von der ersten Hauptoberfläche (104) aus endet bei einem Boden (109) eines ersten Halbleitersubstratbereichs (108) in einer ersten vertikalen Distanz (t1) zur ersten Hauptoberfläche (104). Danach umfasst das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Halbleiterschicht (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104) und ein Ausbilden von Halbleitervorrichtungselementen (1121, 1122) in der Halbleiterschicht (110). Weiter umfasst das Verfahren ein Reduzieren einer Dicke (t) des Halbleitersubstrats (102) durch Entfernen eines Materials des Halbleitersubstrats (102) von der zweiten Hauptoberfläche (106) aus zumindest bis zum ersten Halbleitersubstratbereich (108).

公开(公告)号：DE102009031316B4

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102009031316

申请日：2009-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement aufweisend: einen Halbleiterkörper (11), einen Zellbereich (12) mit einer Halbleiterbauelementstruktur, aufweisend: • eine erste Elektrode (13), • eine zweite Elektrode (14), • eine Gateelektrode (15), wobei die Gateelektrode (15) zum Ausbilden eines leitenden Kanalbereichs (16) ausgebildet ist, • eine Isolationsschicht (17), wobei die Isolationsschicht (17) die Gateelektrode (15) zumindest teilweise umgibt, • eine semiisolierende Schicht (18) zwischen der Gateelektrode (15) und zumindest einer der ersten Elektrode (13) und der zweiten Elektrode (14), wobei die semiisolierende Schicht (18) außerhalb des leitenden Kanalbereichs (16) und zumindest teilweise direkt auf einer ersten Oberfläche (34) des Halbleiterkörpers (11) angeordnet ist und eine Grenzflächenzustandsdichte aufweist, die größer als der Quotient aus Durchbruchsladung und Bandlücke des Materials des Halbleiterkörpers (11) ist.

公开(公告)号：DE102013113939A1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：DE102013113939

申请日：2013-12-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterkörper (110) weist eine erste Seite (111), eine zweite Seite (112), einen lateralen Rand (113), ein aktives Gebiet (101), einen Randabschluss (103) zwischen dem aktiven Gebiet (101) und dem lateralen Rand (113) und ein Driftgebiet (122) von einem ersten Leitungstyp auf. Der Randabschluss (103) beinhaltet eine Stufe (130), die im Halbleiterkörper (110) zwischen der ersten Seite (111) und dem lateralen Rand (113) gebildet wird. Die Stufe (130) beinhaltet eine laterale Oberfläche (135), die sich bis zur ersten Seite (111) erstreckt, und eine Bodenoberfläche (136), die sich bis zum lateralen Rand (113) erstreckt. Eine erste Dotierungszone (131) von einem zweiten Leitungstyp wird im Halbleiterkörper (110) entlang der lateralen Oberfläche (135) der Stufe (130) gebildet und bildet einen pn-Übergang mit dem Driftgebiet (122). Eine zweite Dotierungszone (132) vom ersten Leitungstyp wird im Halbleiterkörper (110) mindestens entlang einem Teil der Bodenoberfläche (136) der Stufe (130) gebildet und erstreckt sich bis zum lateralen Rand (113), wobei die zweite Dotierungszone (132) in Kontakt mit dem Driftgebiet (122) steht.

公开(公告)号：DE102009041192A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102009041192

申请日：2009-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/70 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterbauelement beinhaltet einen Halbleiterkörper mit einer vorderseitigen Oberfläche. In dem Halbleiterkörper sind ein aktiver Zellbereich mit einer Halbleiterbauelementstruktur und ein den aktiven Zellbereich umgebender Randbereich angeordnet. Die vorderseitige Oberfläche des Halbleiterkörpers weist über dem Randbereich und über dem Zellbereich eine Passivierungsschicht auf. Die Passivierungsschicht beinhaltet eine halbleitende Isolationsschicht eines halbleitenden Materials, dessen Bandlücke größer ist als die Bandlücke des Materials des Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102009031316A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：DE102009031316

申请日：2009-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: The semiconductor device has a semiconductor body with a semiconductor device structure. The semiconductor device structure has a first electrode, a second electrode and a gate electrode. The gate electrode is designed to form a conductive channel region. An insulating layer at least partially surrounds the gate electrode. A semi-insulating layer is provided between the gate electrode and at least one of the first electrode and the second electrode. The semi-insulating layer is located outside the conductive channel region and has an interface state density which is greater than the quotient of the breakdown charge and the band gap of the material of the semiconductor body.

公开(公告)号：DE102006038158A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：DE102006038158

申请日：2006-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H02M3/10 ,  G05F1/56

Abstract: The device has a switch regulator (3) with an input (31), which is coupled with a voltage input (1), where the switch regulator has a clock input (34). A voltage regulator (4) is coupled with an output (32) of the switch regulator at an input-side, and is coupled with a voltage output (2) at an output side, where the voltage regulator is a linear regulator. The voltage regulator is coupled with the voltage input at the input-side independent of the control signal, which is generated by a control circuit (5) independent of supply voltage at the voltage input. An independent claim is also included for a method for supplying voltage in a mobile communication device.

公开(公告)号：DE102005004355A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：DE102005004355

申请日：2005-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/328 ,  H01L29/73 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: The device has a semiconductor material region and a transition region which is arranged between the edge region and the active region of the material region. A p-type transition doping region (40,VLD) is provided in the transition region. The doping in the transient doping region of the device or a part of the device, is compensated while doping in the compensation doping region near the surface of the device. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor device.

公开(公告)号：DE50107925D1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：DE50107925

申请日：2001-08-24

Applicant: EUPEC GMBH & CO KG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTHELMESS REINER ,  PFIRSCH FRANK ,  MAUDER ANTON ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L21/304

公开(公告)号：DE102004013932A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：DE102004013932

申请日：2004-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTT THOMAS ,  LASKA THOMAS ,  RUPP THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HOLGER

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: A first main surface/front side (9) has a metal coating (5). A second main surface/rear side (10) has first (3) and second (4) areas doped with a power-type doping agent. Doped areas on a semiconductor substrate's rear (1) side are treated at a temperature above a melting temperature for the metal coating on the front side. An independent claim is also included for a method for producing semiconductor components with a vertical structure so as to handle heat in a semiconductor substrate.

公开(公告)号：DE102004002908A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：DE102004002908

申请日：2004-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  ZELSACHER RUDOLF ,  BAER MICHAEL ,  WERNER WOLFGANG ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/58 ,  H01L29/84

Abstract: A semiconductor component ( 1 ) includes a substrate, an active area ( 2 ), formed in/on the substrate, and a passivation layer ( 5 ) which is provided at least above part of the active area ( 2 ). The passivation layer ( 5 ) at least partially comprises amorphous, hydrogen-doped carbon. The provision of a passivation layer of this type allows the semiconductor component ( 1 ) to be effectively protected against environmental influences.