公开(公告)号：TW200701301A

公开(公告)日：2007-01-01

申请号：TW095101879

申请日：2006-01-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬伊夫 維基 VERGHESE, MOHITH ,  雪洛 艾立克 SHERO, ERIC ,  貝比克 達寇 BABIC, DARKO ,  特后司特 赫伯特 TERHORST, HERBERT ,  沛薩 瑪寇 PEUSSA, MARKO ,  洋 敏 YAN, MIN

IPC: H01L ,  C23C ,  C30B

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4586 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68742

Abstract: 一種原子沈積薄膜沈積設備包含一沈積室,此沈積室被配置用於在固定於其內部所界定之一空間內之一晶圓上沈積一薄膜。沈積室包括一與空間連通之進氣口。一氣體系統被配置用於將氣體傳輸至沈積室之進氣口。氣體系統之至少一部分被定位於沈積室的上方。氣體系統包含一被配置用於混合多種氣體流之混合器。一傳輸部件與混合器及進氣口流體連通。傳輸部件包括一對被配置用於在進入進氣口之前在水平方向散播氣體之水平擴散壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种原子沉积薄膜沉积设备包含一沉积室,此沉积室被配置用于在固定于其内部所界定之一空间内之一晶圆上沉积一薄膜。沉积室包括一与空间连通之进气口。一气体系统被配置用于将气体传输至沉积室之进气口。气体系统之至少一部分被定位于沉积室的上方。气体系统包含一被配置用于混合多种气体流之混合器。一传输部件与混合器及进气口流体连通。传输部件包括一对被配置用于在进入进气口之前在水平方向散播气体之水平扩散壁。

公开(公告)号：TW200636827A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW095109402

申请日：2006-03-20

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  懷特 海蒂 迪 WITTE, HILDE DE ,  波馬瑞德 克里斯多夫 POMAREDE, CHRISTOPHE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 一種可在半導體基底上成形積體電路結構之方法。該方法包括使用原子層沈積處理，在半導體基底上沈積高k閘介電材料層。接下來，用快速熱化學氣相沈積處理，在閘介電材料層層上沈積氧化矽頂蓋層。最後在氧化矽頂蓋層上成形閘電極。

Abstract in simplified Chinese: 一种可在半导体基底上成形集成电路结构之方法。该方法包括使用原子层沉积处理，在半导体基底上沉积高k闸介电材料层。接下来，用快速热化学气相沉积处理，在闸介电材料层层上沉积氧化硅顶盖层。最后在氧化硅顶盖层上成形闸电极。

公开(公告)号：TW527700B

公开(公告)日：2003-04-11

申请号：TW090129481

申请日：2001-11-29

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 朱荷 胡貞尼恩 ,  艾維瑞傑馬克斯

IPC: H01L

CPC classification number: H01F10/3231 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/22 ,  H01F41/307 ,  H01L43/12

Abstract: 一種在磁性元件中形成均勻薄膜層的方法，用原子層沈積法製作具有均勻厚度原子級的結構層，比如可以形成四層原子層或更少的厚度之均勻磁性隧穿接合區的介電層。此外，包括磁性層12、16以及非磁性層14等導電層也可以用 ALD法形成，而不會有尖峰現象與其他不均勻的問題發生，揭露的方法包括形成利用多次循環的ALD層形成金屬氧化層，按著將氧化層還原成金屬，在形成期間氧化層會傾向維持更穩定的介面。

Abstract in simplified Chinese: 一种在磁性组件中形成均匀薄膜层的方法，用原子层沉积法制作具有均匀厚度原子级的结构层，比如可以形成四层原子层或更少的厚度之均匀磁性隧穿接合区的介电层。此外，包括磁性层12、16以及非磁性层14等导电层也可以用 ALD法形成，而不会有尖峰现象与其他不均匀的问题发生，揭露的方法包括形成利用多次循环的ALD层形成金属氧化层，按着将氧化层还原成金属，在形成期间氧化层会倾向维持更稳定的界面。

公开(公告)号：TW478045B

公开(公告)日：2002-03-01

申请号：TW089117141

申请日：2000-10-16

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 亞力山卓薩塔 ,  凱倫麥斯 ,  凱艾略克埃樂斯 ,  維利安特山尼拉 ,  培卡裘梭尼恩 ,  蘇維P 賀加

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/08 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明方法係在期望的材料上有選擇之沉積，尤指和導電表面相比，絕緣表面上有選擇的形成阻障材料。在連接構造和溝槽填充物之關係中，尤其鑲嵌及雙鑲嵌金屬化方法，此方法有利地將一種阻障材料(26)加於絕緣表面(12，13)上。此有選擇的構成允許沉積是"無底的"，這樣就是在導孔底部(10)留下導電材料(20)暴露於直接金屬對金屬接觸當較遠的導電性材料(18)沉積在在絕緣表面(12，13)之阻障構成通道(22)。選擇性沉積係由原子層沉積(ALD)完成的，導致了在通道的絕緣側壁(12，13)更高的均勻覆蓋。

Abstract in simplified Chinese: 本发明方法系在期望的材料上有选择之沉积，尤指和导电表面相比，绝缘表面上有选择的形成阻障材料。在连接构造和沟槽填充物之关系中，尤其镶嵌及双镶嵌金属化方法，此方法有利地将一种阻障材料(26)加于绝缘表面(12，13)上。此有选择的构成允许沉积是"无底的"，这样就是在导孔底部(10)留下导电材料(20)暴露于直接金属对金属接触当较远的导电性材料(18)沉积在在绝缘表面(12，13)之阻障构成信道(22)。选择性沉积系由原子层沉积(ALD)完成的，导致了在信道的绝缘侧壁(12，13)更高的均匀覆盖。

公开(公告)号：TW477075B

公开(公告)日：2002-02-21

申请号：TW089125936

申请日：2001-02-12

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 馬吉M 曼蘇

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/2807

Abstract: 一種沉積包含矽鍺層之閘極疊層的方法。本發明提供一種於閘極介電質上形成矽鍺閘極的方法與結構。一多晶矽潤濕薄層不但可作為氧化矽介電層的連續覆蓋也可降低矽鍺層的形成時間。連續性的潤濕層將獲致均勻平坦地厚閘極結構。同時，此多晶矽潤濕層可達到夠薄以使分離鍺至電極與氧化層的界面所需之熱需降至最低，以及提供晶界擴散以幫助鍺擴散。而且多晶矽潤濕層、矽鍺層與一之後形成的矽頂蓋層均可在大氣壓力下臨場形成。

Abstract in simplified Chinese: 一种沉积包含硅锗层之闸极叠层的方法。本发明提供一种于闸极介电质上形成硅锗闸极的方法与结构。一多晶硅润湿薄层不但可作为氧化硅介电层的连续覆盖也可降低硅锗层的形成时间。连续性的润湿层将获致均匀平坦地厚闸极结构。同时，此多晶硅润湿层可达到够薄以使分离锗至电极与氧化层的界面所需之热需降至最低，以及提供晶界扩散以帮助锗扩散。而且多晶硅润湿层、硅锗层与一之后形成的硅顶盖层均可在大气压力下临场形成。

公开(公告)号：TWI524392B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW097108686

申请日：2008-03-12

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬高特森 弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN, VLADIMIR ,  葛藍尼門 恩斯特 H.A. ,  GRANNEMAN, ERNST H. A.

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/28518

公开(公告)号：TWI493071B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW096124005

申请日：2007-07-02

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 ,  WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克J. ,  SHERO, ERIC J. ,  威爾克 格蘭 ,  WILK, GLEN ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645

公开(公告)号：TWI490919B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW098137301

申请日：2009-11-03

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 吉文斯 麥克 ,  GIVENS, MICHAEL ,  古德曼 馬修G ,  GOODMAN, MATTHEW G. ,  霍金斯 馬克 ,  HAWKINS, MARK ,  哈勒克 布拉德 ,  HALLECK, BRAD ,  特后司特 赫伯特 ,  TERHORST, HERBERT

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/45591

公开(公告)号：TWI426155B

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：TW096137980

申请日：2007-10-11

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 樊都魯黎亞 凱爾 ,  FONDURULIA, KYLE ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC ,  莫西斯 維埃茲E. ,  VERGHESE, MOHITH E. ,  懷特 卡爾L. ,  WHITE, CARL L.

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4402

公开(公告)号：TWI336102B

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：TW093106618

申请日：2004-03-12

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 保羅D. 布蘭特 ,  喬瑟分P. 義特理諾 ,  權特爾J. 艾倫奈 ,  佩瑞爾 湯米希尼 ,  艾翁 拉吉馬克斯 ,  馬提阿斯 布爾

IPC: H01L

CPC classification number: C30B29/08 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 沈積磊晶層，像是磊晶鍺與矽鍺的方法。在將含鍺的結構層由高溫製程冷卻到較低的沈積溫度期間，矽或鍺的化合物會被提供到基底，會產生平順、薄、無缺陷的鍺或矽鍺層，在鬆散的高鍺含量晶種層與一層覆蓋的緊密層之間也可以有一層漸層鬆散的矽鍺層。

Abstract in simplified Chinese: 沉积磊晶层，像是磊晶锗与硅锗的方法。在将含锗的结构层由高温制程冷却到较低的沉积温度期间，硅或锗的化合物会被提供到基底，会产生平顺、薄、无缺陷的锗或硅锗层，在松散的高锗含量晶种层与一层覆盖的紧密层之间也可以有一层渐层松散的硅锗层。