公开(公告)号：KR100817748B1

公开(公告)日：2008-03-31

申请号：KR1020010021116

申请日：2001-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이이노다다시

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 사전의 사고방지를 도모하여, 장치의 순간 정지나 처리물질의 누설에 대하여 안전을 도모할 수 있는 기판 처리장치 및 기판 처리방법을 제공한다.
처리용기(2)내에 수납된 웨이퍼(W)에 오존가스(5)를 공급하는 한편, 처리용기(2)의 내부 분위기를 배기하여 오존 킬러(10)에 통하면서 웨이퍼(W)를 처리하는 방법에 있어서, 처리용기(2)내가 밀폐되고, 또한 오존 킬러(10)가 정상인 것을 조건으로, 오존가스(5)를 공급한다. 처리가 중단된 경우, 처리용기(2)의 내부 분위기를 강제적으로 배기하고, 가스누설이 일어난 경우, 처리용기(2)의 내부·주위 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 오존가스(5)의 공급을 정지한다.

Abstract translation: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，其能够预先防止事故并确保装置的瞬间停止和处理材料的泄漏。

公开(公告)号：KR1020070058017A

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：KR1020077010946

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: Substrate processing equipment (1) is provided with a treatment tank (3) for treating a substrate with a treatment liquid, a dry process part (6) arranged at an upper part of the treatment tank (3), and a transfer mechanism (8) for transferring the substrate (W) between the treatment tank (3) and the dry process part (6). A process gas supplying line (21) for supplying a process gas and inert gas supplying lines (24, 25) for supplying the dry process part (6) with an inert gas are connected to the dry process part (6). A first exhaust line (26) for exhausting an atmosphere pushed out from the dry process part (6) and a second exhaust line (27) for forcibly exhausting the dry process part (6) are connected to the dry process part (6).

Abstract translation: 基板处理设备（1）设置有用处理液处理基板的处理槽（3），设置在处理槽（3）的上部的干法处理部（6）和传送机构（8） ），用于将处理槽（3）和干法处理部（6）之间的基板（W）传送。 用于供给处理气体的工艺气体供给管线（21）和用于向干法处理部件（6）供给惰性气体的惰性气体供给管线（24,25）连接到干法部件（6）。 用于排出从干燥处理部分（6）推出的气氛的第一排气管线（26）和用于强制排出干燥处理部分（6）的第二排出管线（27）连接到干燥处理部分（6）。

公开(公告)号：KR100273809B1

公开(公告)日：2002-10-18

申请号：KR1019940011018

申请日：1994-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  아오야마도오루

IPC: H01L21/00027

Abstract: 스핀코팅에 의하여 기판상에 도포한 레지스트 도포막을 처리하는 도포막 처리방법에 있어서,
기판상에 용제를 포함한 레지스트를 도포하여 도포막을 형성하는 공정과, 이 도포막에 포함된 용제가 없어지기전에 기판을 재치대 상에 재치하는 공정과, 상기 재치대에 커버를 덮는 것에 의해 상기 재치대 상의 기판의 주위에 기밀한 소용량 공간을 규정함과 함께, 상기 재치대의 상면 둘레가장자리부에 형성된 구(溝)에 용제를 공급하는 공정과, 상기 재치대상의 기판을 가열하여 도포막의 점성을 변화함과 함께, 상기 구에 수용된 용제를 가열하여 상기 기밀한 소용량 공간 내를 용제의 증기로 채우고, 기판의 주위를 용제의 포화증기 또는 과포화증기 분위기로 하는 제 1 가열공정과, 상기 커버를 재치대까지 이탈시켜서 상기 기밀한 소용량 공간을 해제하는 공정과, 도포막에 포함되는 용제를 휘발시키기 위하여 상기 제 1 가열공정 보다도 높은 온도� ��역에서 기판을 가열하는 제 2 가열공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020010029808A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000033205

申请日：2000-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  고니시노부오 ,  미즈타니요지

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: A film forming method and film forming system is provided to simplify the process of forming two-layer structure of insulation film and hard mask layer without using a CVD device. CONSTITUTION: A film forming method comprises the steps of forming a first coating film by providing a first coating liquid onto a substrate; and a second step of forming a second coating film by providing a second coating liquid onto the first coating film, wherein at least one of first and second coating films is an inorganic film. A film forming system comprises a cassette station for delivering/supplying wafers in cassette units from/to the film forming system; a first treatment station having a plurality of treatment units for performing predetermined treatments during an insulation film forming process; an interface unit arranged to be adjacent to the first treatment station, and which conveys wafers; and a second treatment station having a heat treatment furnace performing a heat treatment in a batch manner.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜系统，以简化在不使用CVD装置的情况下形成绝缘膜和硬掩模层的两层结构的工艺。 构成：成膜方法包括以下步骤：通过在基材上提供第一涂布液形成第一涂膜; 以及通过在第一涂膜上设置第二涂布液形成第二涂膜的第二步骤，其中第一涂膜和第二涂膜中的至少一个是无机膜。 成膜系统包括用于从成膜系统/从成膜系统向盒单元输送/供应晶片的盒式台架; 第一处理站具有多个处理单元，用于在绝缘膜形成过程中执行预定处理; 布置成与第一处理站相邻并且传送晶片的接口单元; 以及第二处理台，具有以分批方式进行热处理的热处理炉。

公开(公告)号：KR1020010020788A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1020000022443

申请日：2000-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고하마교지 ,  심보에이지 ,  가미카와유지 ,  도시마다카유키 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  B08B3/02 ,  B08B3/102 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: Disclosed is a treating device and a treating method capable of preventing the generation of cross-contamination even if plural kinds of treating liquid are supplied to the same device. CONSTITUTION: The cleaning device(1) for applying cleaning processes to the wafer W in the order of SPM cleaning, rinse cleaning, SCI cleaning, rinse cleaning and drying treatment is provided with an outside cleaning chamber(2), an inside cleaning chamber(4) and an elevator structure(6) for taking in and out the inside cleaning chamber(4) into and from the outside cleaning chamber(2). The elevator structure(6) is switched to a state that the wafer W is housed in the inside cleaning chamber(4) when the SPM cleaning and the subsequent rinse cleaning are executed and is switched to a state that the wafer W is housed in the outside cleaning chamber(2) when the subsequent SCI cleaning and the final drying treatment are executed.

Abstract translation: 目的：公开了一种即使将多种处理液供给到同一装置也能够防止交叉污染的产生的处理装置和处理方法。 构成：以SPM清洗，冲洗清洗，SCI清洗，冲洗清洗和干燥处理的顺序将清洗处理施加到晶片W的清洁装置（1）设置有外部清洁室（2），内部清洁室 4）和用于将内部清洁室（4）进出外部清洗室（2）的入口和出口的升降机结构（6）。 当执行SPM清洁和随后的冲洗清洁时，将电梯结构（6）切换到晶片W容纳在内部清洁室（4）中的状态，并切换到晶片W被容纳在 执行后续SCI清洁和最终干燥处理时的外部清洁室（2）。

公开(公告)号：KR1020010014582A

公开(公告)日：2001-02-26

申请号：KR1020000012720

申请日：2000-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  오모리쓰타에 ,  기무라요시오

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03D5/04 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/38 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A developing device is provided to be capable of uniformizing line width and less liable to cause defects at the application of developing solution. CONSTITUTION: A solution having a photosensitive group is applied to the entire surface of a resist film(51) on a substrate(W) to form a photosensitive film(53). A developing solution is applied to the entire surface of the photosensitive film(53) to form a developing paddle(54). The entire surface of the photosensitive layer(53) on the resist film(51) is exposed. The resist film formed on the substrate and exposed in a prescribed pattern is thus developed.

Abstract translation: 目的：提供一种显影装置，能够使线宽均匀化，并且在应用显影液时不易引起缺陷。 构成：将具有感光性基团的溶液施加到基板（W）上的抗蚀剂膜（51）的整个表面上以形成感光膜（53）。 将显影液施加到感光膜（53）的整个表面上以形成显影板（54）。 抗蚀剂膜（51）上的感光层（53）的整个表面露出。 因此，形成在基板上并以规定图案曝光的抗蚀剂膜显影。

公开(公告)号：KR1019940027047A

公开(公告)日：1994-12-10

申请号：KR1019940011018

申请日：1994-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  아오야마도오루

IPC: H01L21/00027

Abstract: 스핀코팅에 의하여 기판상에 도포한 레지스트 도포막을 처리하는 도포막처리방법은, 기판상에 레지스트를 도포하여 도포막을 형성하고, 도포막에 포함된 용제가 없어지기전에 용제의 과포화 분위기중에 기판을 반입하여 도포막의 점성을 저하시키고, 도포막이 유동하는데 충분한 양의 용제가 도포막중에 계속 존재하는 온도영역에서 기판을 가열하는 제1가열공정과, 기판을 용제의 과포화 분위기로부터 반출하고, 도포막에 포함되는 용제를 휘발시키기 위하여 상기 제1가열공정 보다도 높은 온도영역에서 기판을 가열하는 제2가열공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR102251259B1

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：KR1020150033589

申请日：2015-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 웨이퍼(W) 상의액체를확실하게제거할수 있고, 또한운전비용의저감을도모한다. 분리재생장치(30)는불소함유유기용제에용해되지않으며비중이가벼운액체와, 제1 비점을갖는제1 불소함유유기용제와, 제1 비점보다높은제2 비점을갖는제2 불소함유유기용제를갖는혼합액체를생성하는혼합배액탱크(31)(혼합액생성부)와, 혼합액중 제1 불소함유유기용제와제2 불소함유유기용제를제1 비점과제2 비점사이의온도로가열하여기체형의제1 불소함유유기용제와액체형의제2 불소함유유기용제로분리하는증류탱크(34)와, 증류탱크(34)로부터의제1 불소함유유기용제를액화하여저류하는제1 탱크(35)와, 증류탱크(34)로부터의제2 불소함유유기용제를저류하는제2 탱크(36)를구비하고있다. 제1 탱크(35) 및제2 탱크(36)에, 잉여압을혼합배액탱크(31)측으로유도하는잉여압복귀라인(51, 53, 55)이마련되어있다.

公开(公告)号：KR101583103B1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：KR1020110106751

申请日：2011-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카모리미츠노리 ,  우에무카이히데토모 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 본발명은기판을양호하게발수처리할수 있는기판액처리장치및 기판액처리방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 기판(2)을발수처리액으로발수처리하는기판액처리장치(1) 및기판액처리방법및 기판액처리프로그램을기록한컴퓨터판독가능한기록매체에있어서, 혼합탱크(53)의내부에서발수처리액을가수분해시키지않고희석할수 있는제1 희석액과발수처리액을혼합하여제1 희석발수처리액을생성하고, 제1 희석발수처리액으로기판(2)을발수처리하는것으로하였다. 또한, 혼합탱크(53)로부터제1 희석발수처리액을공급하는제1 공급유로(54)의중도부에발수처리액을희석하는제2 희석액을공급하고, 제1 희석발수처리액을제2 희석액으로희석하여제2 희석발수처리액을생성하며, 제2 희석발수처리액으로기판(2)을발수처리하는것으로하였다.

公开(公告)号：KR101568469B1

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：KR1020130082873

申请日：2013-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시히데카즈 ,  사토요헤이 ,  오쿠치히사히 ,  도미타히로시 ,  미츠오카가즈유키 ,  요우겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 본발명은, 기판을처리용기에반입할때까지의건조방지용불소함유유기용제의휘발및 처리용기내에있어서의불소함유유기용제의분해를억제할수 있는기판처리방법등을제공하는것을목적으로한다. 표면이제1 불소함유유기용제에의해덮인기판(W)을처리용기(31) 내에반입하고, 이처리용기(31)에, 비점이제1 불소함유유기용제보다낮은제2 불소함유유기용제를원료로하는고압유체를공급한다. 그리고처리용기(31) 내에상기제1 불소함유유기용제와제2 불소함유유기용제의혼합물의고압유체분위기를형성하여, 기판의표면을덮는제1 불소함유유기용제를제거하고, 처리용기(31) 내의유체를고압유체또는기체의상태로배출하여건조시킨기판(W)을얻는다.