公开(公告)号：KR1020060058723A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020067005870

申请日：2004-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/67011 ,  H01L27/10852

Abstract: The capacitance of a capacitor is prevented from decreasing without increasing the thickness. A capacitor of a semiconductor device comprises lower and upper electrodes and an insulating film interposed between the lower and upper electrodes. The surface, on the insulating layer side, of the lower electrode is nitrided. When the lower electrode is made of polysilicon, the oxidation resistance at heat treatment in the after-process is improved because the surface is nitrided. Particularly in the case of a DRAM, at the effect is strong since the capacitance of the capacitor is large. Further the leak current in the capacitor is reduced.

Abstract translation: 防止电容器的电容减小而不增加厚度。 半导体器件的电容器包括下电极和上电极以及置于下电极和上电极之间的绝缘膜。 在下电极的绝缘层侧的表面被氮化。 当下电极由多晶硅制成时，由于表面被氮化，后续工艺中热处理的抗氧化性得到改善。 特别是在DRAM的情况下，由于电容器的电容大，所以效果很强。 此外，电容器中的漏电流减小。

公开(公告)号：KR1020050091790A

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：KR1020057014621

申请日：2004-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/31654 ,  H01L29/4941

Abstract: A polysilicon electrode layer (103) (a first electrode layer) is formed by forming a film of polysilicon over a gate oxide film (102) on a silicon wafer (101). A tungsten layer (105) (a second electrode layer) is formed on the polysilicon electrode layer (103). Before the formation of the tungsten layer (105), a conductive barrier layer (104) is formed over the polysilicon layer (103). Etching is then conducted using a silicon nitride layer (106) as an etching mask. On the exposed surface of the polysilicon layer (103), an oxide insulating film (107) is formed through plasma oxidation. Consequently, a selective oxidation of the polysilicon electrode layer (103) can be conducted without oxidizing the tungsten layer (105).

Abstract translation: 通过在硅晶片（101）上的栅极氧化膜（102）上形成多晶硅膜来形成多晶硅电极层（103）（第一电极层）。 在多晶硅电极层（103）上形成钨层（105）（第二电极层）。 在形成钨层（105）之前，在多晶硅层（103）上形成导电阻挡层（104）。 然后使用氮化硅层（106）作为蚀刻掩模进行蚀刻。 在多晶硅层（103）的暴露表面上，通过等离子体氧化形成氧化物绝缘膜（107）。 因此，可以在不氧化钨层（105）的情况下进行多晶硅电极层（103）的选择性氧化。

公开(公告)号：KR101982366B1

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：KR1020147008422

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키네다카유키 ,  사사키마사루 ,  마츠모토나오키 ,  신푸쿠에이이치로우

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR1020130129937A

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020137012435

申请日：2011-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  티안차이종 ,  사사키마사루 ,  미하라나오키 ,  마츠모토나오키 ,  모야마가즈키 ,  요시카와준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기판을 탑재하기 위한 탑재대가 마련되는 처리 용기, 상기 처리 용기 내로 제1 가스를 공급하도록 구성되는 제1 가스 공급 유닛, 상기 제1 가스의 적어도 일부를 제1 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제1 플라즈마 생성 유닛, 상기 처리 용기 내로 제2 가스를 공급하도록 구성되는 제2 가스 공급 유닛, 및 상기 제2 가스의 적어도 일부를 제2 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제2 플라즈마 생성 유닛을 포함한다. 탑재대로부터 제2 가스의 유입구의 높이는, 탑재대로부터 제1 가스의 유입구의 높이보다 낮다.

公开(公告)号：KR101265231B1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 보다정확하게원하는형상으로에칭할수 있는플라즈마에칭처리장치를제공한다. 플라즈마에칭처리장치(11)는, 그내부에서피처리기판에플라즈마처리를행하는처리용기(12)와, 처리용기(12) 내로플라즈마처리용의가스를공급하는가스공급부(13)와, 처리용기(12) 내에배치되고, 그위에피처리기판(W)을지지하는지지대(14)와, 플라즈마여기용의마이크로파를발생시키는마이크로파발생기(15)와, 마이크로파발생기(15)에의해발생시킨마이크로파를이용하여처리용기(12) 내에플라즈마를발생시키는플라즈마발생수단과, 처리용기(12) 내의압력을조정하는압력조정수단과, 지지대(14)로교류의바이어스전력을공급하는바이어스전력공급수단과, 바이어스전력공급수단에서의교류의바이어스전력을정지및 공급을교호로반복하여행하도록제어하는제어수단을구비한다.

公开(公告)号：KR101172997B1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：KR1020117014602

申请日：2006-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

Abstract: 선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 막두께의 비율이, 20% 이하가 되도록 한다.

Abstract translation: 可选地，在等离子体处理装置的处理室具有硅和在表面处理材料的氮化硅层，以用含有氧的等离子体选择性地氧化硅反应的等离子体处理方法中的血液的，形成的氧化硅膜的厚度 氮化硅层中形成的氮氧化硅膜的膜厚比设定为20％以下。

公开(公告)号：KR101147964B1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：KR1020090048949

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 플라즈마 에칭 처리시에 형상 제어를 용이하게 또한 적절하게 행할 수 있는 플라즈마 에칭 처리 방법을 제공한다. 플라즈마 에칭 처리 방법은 처리 용기(12) 내에 설치된 유지대(14) 상에 반도체 기판(W)을 유지시키는 공정과, 플라즈마 여기용 마이크로파를 발생시키는 공정과, 유전판(16)과 유지대(14)의 간격을 100 mm 이상으로 하고, 처리 용기(12) 내의 압력을 50 mTorr 이상으로 하고, 유전판(16)을 통해 처리 용기(12) 내에 마이크로파를 도입하여 처리 용기(12) 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 공정과, 처리 용기(12)내에 플라즈마 에칭 처리용의 반응 가스를 공급하여 발생시킨 플라즈마로 반도체 기판(W)의 플라즈마 에칭 처리를 행하는 처리 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR101088233B1

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020067026465

申请日：2005-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32105

Abstract: 본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 장치(100)에 의해 게이트 전극의 선택 산화 처리를 행할 때에는 게이트 전극이 형성된 웨이퍼(W)를 챔버(1) 내의 서셉터(2) 상에 적재하고, 가스 공급계(16)의 Ar 가스 공급원(17), H
2 가스 공급원(18) 및 O
2 가스 공급원(19)으로부터 가스 도입 부재(15)를 통해 Ar 가스, H
2 가스 및 O
2 가스를, H
2 가스와 O
2 가스와의 유량비 H
2 /O
2 가 1.5 이상 20 이하, 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 8 이상이 되도록 챔버(1) 내에 도입하고, 챔버 내 압력을 3∼700 Pa, 예컨대 6.7 Pa (50 mTorr)로 한다.

公开(公告)号：KR1020110091553A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020117014602

申请日：2006-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

Abstract: 선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 막두께의 비율이, 20% 이하가 되도록 한다.

公开(公告)号：KR1020100102203A

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：KR1020107017481

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  사사키마사루

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 처리 용기(2)의 서셉터(3)와 대향하는 천장면에 유전체판(20)을 설치하고, 유전체판(20)의 상면에는 마이크로파를 투과시키는 복수의 슬롯(33)을 가지는 슬롯 안테나(30)를 설치하고, 유전체판(20)의 하면 주연부에, 유전체판(20)과는 별도의 부재로 구성되어 있고 이상 방전을 방지하는 돌기 부재(21)를 구비한다. 돌기 부재(21)의 원통부의 외주면(22)과 처리 용기(2)의 측벽 내주면(5a)과의 간극 또는 돌기 부재(21)의 원통부의 두께를 조정함으로써 유전체판(20) 주변부에서의 전계 강도를 제어한다.

Abstract translation: 在与处理容器2的基座3相对的天花板面上设置有电介质板20，在电介质板20的上表面设有具有多个微波传输用的缝隙33的缝隙天线30 并且，在电介质板20的下表面的周缘设置有由与电介质板20分体的部件形成并防止异常放电的突起部件21。 突出部件21的圆筒部的外周面22与处理容器2的侧壁的内周面5a或突出部件21的圆筒部的厚度之间的间隙被调整， 控制。