公开(公告)号：KR1019970018293A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031509

申请日：1995-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진호태 ,  강성호 ,  최희국

IPC: H01L21/60

Abstract: 합성수지 용액에 금속분말이 혼합된 접착제를 리드프레임 위의 다이패드 상에만 도포하고 그 다이패드를 다단계로 열처리한 후 반도체 칩을 다이패드상에 접착시킴으로써 칩 패키지에서 리드프레임 위의 금속도금층과 에폭시 수지 접착제층의 기능을 동일하게 수행할 수 있는 하나의 층으로 줄일 수 있고, 반도체 칩에 발생하는 정전기나 잔류 잡음(noise)이 금속분말의 전도성으로 인해 제거되며, 리드프레임에 도금되는 금속과 에폭시 접착제간의 열팽창게수의 차이를 최소화하여 반도체 소자의 신뢰성을 증대시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960009112A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940020721

申请日：1994-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진호태 ,  조정순 ,  강성호 ,  최희국

IPC: H01L21/78

Abstract: 반도체 칩을 접착 테이프로부터 하부에서 밀어올려 분리시키기 위한 이젝터와, 이젝터를 지지하는 지지대와, 반도체 칩을 상부에서 진공으로 떼어내기 위한 픽업 툴로 구성되어 있는 반도체 칩 분리장치에 있어서; 반도체 칩 분리 공정중에 반도체 칩의 하부에 균열이 발생하는 문제점을 해결하기 위하여, 이젝터의 상부에 다수개의 선단이 둥근 이젝터 핀을 부착하고, 상기 지지대의 상부에는 다수개의 관통공을 형성한 반도체 칩 분리장치를 구현하였다. 따라서, 이 반도체 칩 분리장치는 반도체 칩의 균열이 분제되는 모든 반도체 패키지의 다이 본딩시에 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR2019950009737U

公开(公告)日：1995-04-21

申请号：KR2019930020079

申请日：1993-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/08

公开(公告)号：KR102148336B1

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：KR1020130144680

申请日：2013-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재영 ,  강성호 ,  김기철 ,  이선영 ,  이한기 ,  구본영

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020170066081A

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020150172659

申请日：2015-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  김기철 ,  김언기 ,  문평 ,  이선영 ,  이용훈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01J37/32871 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은수소플라스마어닐링처리준비방법, 수소플라스마어닐링처리방법, 및수소플라스마어닐링장치에관한것으로서, 수소플라스마처리의전단계로서반응챔버내부의절연성부품들의표면을패시베이션시키는단계를포함하는방법을제공한다. 이때, 상기패시베이션시키는단계는, 상기반응챔버내부로질소계처리가스를도입하는단계; 및플라스마발생장치를이용하여상기반응챔버내부의상기질소계처리가스를여기시키는단계를포함한다. 본발명은절연성부품들을보호하고기판의파티클오염을현저히줄일수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种方法，包括钝化的为氢等离子体处理的前级涉及氢等离子体退火工艺制备方法，氢等离子体退火处理和氢等离子体退火装置的反应室中的绝缘部分的表面的步骤 。 钝化可以包括将含氮工艺气体引入到反应室中， 以及使用等离子体发生器激发反应室内的气相处理气体的步骤。 本发明具有保护绝缘部件并显着降低基板的颗粒污染的效果。

公开(公告)号：KR101580897B1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：KR1020080097941

申请日：2008-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김년태 ,  정지운 ,  강성호 ,  정순미

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G09G5/04 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/06 ,  G09G2370/08 ,  G09G2370/14

Abstract: 타이밍컨트롤러및 디스플레이드라이버간의신호전송방법과이를이용한드라이버모듈및 디스플레이장치가개시된다. 본발명의실시예에따른타이밍컨트롤러와디스플레이드라이버간의신호전송인터페이스는, 디스플레이드라이버내부에위상동기루프(PLL) 또는지연동기루프(DLL)를내장하고저속도의클록을모든디스플레이드라이버각각이공유할수 있도록멀티드롭방식으로제공한다. 따라서, 클록라인수를최소로하여 PCB 레이어수를줄이고전자파장해를감소시킴으로써전력소모및 소자면적을최소로할 수있다.

公开(公告)号：KR101303178B1

公开(公告)日：2013-09-09

申请号：KR1020070087728

申请日：2007-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  강성호 ,  정정희 ,  이석민 ,  서종범 ,  김영민

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108

Abstract: 쓰루풋을 저하시키지 않으면서도 우수한 전기적 특성 및 누설 전류 특성을 갖는 캐패시터의 유전막 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 제 1 반응 소스를 공급하는 단계, 퍼지하는 단계, 제 2 반응 소스를 공급하는 단계, 및 퍼지하는 단계로 구성되는 단위 사이클을 다수 번 반복하여 유전막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 다수의 사이클들 중 초기 사이클 동안은 상기 제 1 반응 소스 및 제 2 반응 소스 중 적어도 하나를 제 1 시간 동안 공급하고, 상기 초기 사이클 이후부터 최종 사이클까지의 후기 사이클 동안은 제 1 반응 소스 및 제 2 반응 소스를 상기 제 1 시간보다 짧은 제 2 시간동안 공급한다. 이때, 상기 초기 사이클의 회수는 상기 후기 사이클의 회수보다 작다.
사이클, ALD, 반응 소스, 하프늄 산화막, 알루미늄 산화막

公开(公告)号：KR1020130091144A

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：KR1020120012445

申请日：2012-02-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  구봉진 ,  김경환 ,  김기철 ,  김익수 ,  주용규 ,  하상철

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor is provided to minimize a space by using a rectangular transfer chamber. CONSTITUTION: A plurality of processing chambers (50) are arranged in a first direction. A plurality of load lock chambers (30) are separated from the processing chambers. The load lock chambers receive semiconductor substrates which are transferred. A transfer chamber (40) includes a transfer robot and is rectangular.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的装置，以通过使用矩形传送室来最小化空间。 构成：多个处理室（50）沿第一方向布置。 多个加载锁定室（30）与处理室分离。 负载锁定室接收转移的半导体衬底。 传送室（40）包括传送机器人并且是矩形的。

公开(公告)号：KR1020120119781A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：KR1020110037964

申请日：2011-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강곤수 ,  강상범 ,  박재영 ,  강성호 ,  김태곤 ,  엄현섭 ,  강종훈 ,  문강훈 ,  이한기

IPC: H01L21/683

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6875

Abstract: PURPOSE: A support unit and a substrate processing apparatus having the same are provided to minimize damage to the substrate in a thermal process about the substrate. CONSTITUTION: A processing space processing a substrate is supplied inside a chamber(100). A support unit(1000) supports the substrate. A heating member(200) heats the substrate. A plurality of support pins(1040) is upwardly protruded from a plate. At least one sub pin(1060) is projected from the plate to the top. The support pin is located around the sub pin. [Reference numerals] (226) Power supply unit; (248) Power supply unit; (300) Controller

Abstract translation: 目的：提供一种支撑单元和具有该支撑单元的基板处理装置，以便在围绕基板的热过程中对基板的损伤最小化。 构成：处理衬底的处理空间在室（100）内供应。 支撑单元（1000）支撑基板。 加热构件（200）加热基板。 多个支撑销（1040）从板向上突出。 至少一个子销（1060）从板向顶部突出。 支撑销位于子针脚周围。 （附图标记）（226）电源单元; （248）电源单元; （300）控制器

公开(公告)号：KR101171175B1

公开(公告)日：2012-08-06

申请号：KR1020040088809

申请日：2004-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성호 ,  조홍제

IPC: C09K13/06

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 절연 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막 및 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계, 상기 게이트 절연막 및 반도체층 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 소정 간격으로 마주하고 있는 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 데이터선과 상기 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 65 내지 75중량%의 인산, 0.5 내지 15중량%의 질산, 2 내지 15중량%의 아세트산, 0.1 내지 8.0%의 칼륨 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 사진 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공한다.
식각액, 칼륨 화합물, 염기성 질소 화합물, 언더컷, 프로파일