公开(公告)号：KR1020140127687A

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020130046352

申请日：2013-04-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  여소정 ,  정윤장 ,  공기정

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F11/005 ,  C23C16/305

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]

(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)

Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钼前体。钼前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钼薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。

公开(公告)号：KR1020140127684A

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020130046349

申请日：2013-04-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  여소정 ,  정윤장 ,  공기정

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F11/005 ,  C23C16/305

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]

(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)

Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钨前体。钨前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钨薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。

公开(公告)号：KR1020140127679A

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020130046343

申请日：2013-04-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  여소정 ,  정윤장 ,  공기정

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/448

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)

Abstract translation: 本发明涉及由下式1表示的铅前体。所述前体包括硫，具有改善的热稳定性和挥发性，在制备薄膜期间不需要加入单独的硫，从而容易地制造高质量的铅 硫化物薄膜。 [式1]（式1中，R 1和R 2各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基或C1的直链或支链的三氟烷基 -C10，N选自1〜3的整数。）。

公开(公告)号：KR101049798B1

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：KR1020090086501

申请日：2009-09-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  박세린 ,  박소희 ,  소혜미 ,  박동원 ,  이금주 ,  공기정

IPC: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

Abstract: 본 발명은 나노 전자소자 및 화학센서, 바이오센서 기타에 응용될 수 있는 단일겹 탄소 나노튜브 트랜지스터의 대량생산 방법에 관한 것이다.
변형된 퍼니스 및 필오프과정을 이용한 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법은 SiO2층으로 절연된 실리콘 기판 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 형성하여 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴을 제작하는 1단계; 상기 실기콘 기판위의 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴에 Fe/Mo 촉매를 도포하고 건조하는 2단계; Fe/Mo 촉매위에 PDMS를 덮어준다음 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층 위에 형성된 Fe/Mo 촉매를 필오프하는 3단계; 상기 Fe/Mo촉매와 반응한 실리콘 기판을 아세톤 용액에 담가 상기 폴리메틸메타크릴레이트를 리프트오프하여 제거하는 4단계; 퍼니스속에서 단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 5단계; 및 성장된 단일겹 탄소나노튜브에 전극을 형성하는 6단계;를 포함하고, 전 기판면적에 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능한 퍼니스를 사용하고, 상기 Fe/Mo 촉매의 위치 선택적 도포가 가능한 것을 특징으로 한다.
단일겹 탄소나노튜브, 열증착법, 탄소나노튜브트랜지스터, 퍼니스구조, 필오프, 선택적 탄소 나노튜브 성장

Abstract translation: 本发明涉及碳纳米管晶体管的单层大量生产方法可以应用于纳米电子器件和化学传感器，生物传感器等。

公开(公告)号：KR1020110028872A

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：KR1020090086501

申请日：2009-09-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  박세린 ,  박소희 ,  소혜미 ,  박동원 ,  이금주 ,  공기정

IPC: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B32/158 ,  C01B2202/02

Abstract: PURPOSE: A mass production method of single layer carbon nanotube transistor is provided to mass produce the transistor of high performance which can be used as sensor with high sensitivity by enabling the selective growth of the carbon nano tube. CONSTITUTION: The polymethyl methacrylate layer is formed on a silicon substrate. The Fe/Mo catalyst is spread on the polymethyl methacrylate layer. The Fe/Mo catalyst formed on the polymethyl methacrylate layer is peeled off. The polymethyl methacrylate layer is removed by dipping the silicon substrate reacted with the Fe/Mo catalyst in the acetone solution.

Abstract translation: 目的：提供单层碳纳米管晶体管的批量生产方法，大量生产高性能晶体管，可以通过实现碳纳米管的选择性生长，将其用作具有高灵敏度的传感器。 构成：聚甲基丙烯酸甲酯层形成在硅基板上。 Fe / Mo催化剂铺展在聚甲基丙烯酸甲酯层上。 在聚甲基丙烯酸甲酯层上形成的Fe / Mo催化剂被剥离。 通过将与Fe / Mo催化剂反应的硅衬底浸入丙酮溶液中来除去聚甲基丙烯酸甲酯层。

公开(公告)号：KR1020090128276A

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：KR1020080054358

申请日：2008-06-10

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  이금주 ,  김병계 ,  소혜미 ,  공기정 ,  장현주 ,  김용환

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/00 ,  G01N33/48

Abstract: PURPOSE: A bio sensor and a manufacturing method thereof are provided to fix metal nano-particle using a non-covalent binding mode without destroying covalent bond between carbons of the carbon nano-tube. CONSTITUTION: A manufacturing method with a metal immobilized carbon nano-tube comprises following steps. A carbon nano-tube transistor including source electrode, drain electrode, and gate and carbon nano-tube(30) is manufactured. In the carbon nano-tube transistor, all electrodes except for the carbon nano-tube are insulated. The insulated carbon nano-tube transistor is put into solution with metallic ion and fixes the metal nano-particle on the surface of the carbon nano-tube.

Abstract translation: 目的：提供生物传感器及其制造方法，以使用非共价结合模式固定金属纳米颗粒，而不破坏碳纳米管的碳之间的共价键。 构成：具有金属固定碳纳米管的制造方法包括以下步骤。 制造包括源电极，漏电极和栅极和碳纳米管（30）的碳纳米管晶体管。 在碳纳米管晶体管中，除了碳纳米管之外的所有电极是绝缘的。 将绝缘碳纳米管晶体管放入金属离子溶液中，并将金属纳米颗粒固定在碳纳米管表面。

公开(公告)号：KR1020090080653A

公开(公告)日：2009-07-27

申请号：KR1020080006535

申请日：2008-01-22

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 부경호 ,  이정오 ,  장현주 ,  공기정 ,  소혜미 ,  황재호

IPC: H01L29/78 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0545 ,  H01L21/02606 ,  H01L29/0669

Abstract: A method for manufacturing a carbon nano tube transistor and a carbon nano tube transistor by the same are provided to improve a semiconductor property by removing a metallic property inside a carbon nano tube channel inside a carbon nano tube transistor. In a carbon nano tube transistor, a carbon nano tube channel(30) is formed between a source electrode and a drain electrode(20). A gate electrode is formed in one side of the carbon nano tube channel. The carbon nano tube channel is formed on a substrate(10). The source electrode and the drain electrode are electrically connected to both ends of the carbon nano tube channel. A metallic property inside the carbon nano tube channel is removed by applying a stress voltage between the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 提供一种碳纳米管晶体管和碳纳米管晶体管的制造方法，其通过除去碳纳米管晶体管内的碳纳米管通道内的金属特性来提高半导体性能。 在碳纳米管晶体管中，在源电极和漏电极（20）之间形成碳纳米管通道（30）。 栅电极形成在碳纳米管通道的一侧。 碳纳米管通道形成在基板（10）上。 源电极和漏极电连接到碳纳米管通道的两端。 通过在源电极和漏电极之间施加应力电压来去除碳纳米管通道内的金属性质。

公开(公告)号：KR100907474B1

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020070072051

申请日：2007-07-19

Applicant: 한국화학연구원 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 이정오 ,  부경호 ,  장현주 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  박동원 ,  전은경 ,  최헌진

IPC: G01N33/50 ,  G01N27/30 ,  C12Q1/68

Abstract: 본 발명의 바이오 센서는 긴 단일 나노와이어 소자의 표면을 직렬로 구획하여 특정의 목표 바이오 분자와 결합할 수 있도록 기능화하여, 동일 또는 다중의 목표 바이오 분자를 동시에 검출한다.
이를 통해 다양한 바이오 물질을 정성적 및/또는 정량적으로 효과적으로 검출할 수 있다. 따라서, 제조공정의 비용을 줄일 수 있으며 여러 가지 바이오 분자에 대한 검출을 빠른 시간에 달성함과 동시에 정확한 분석을 가능하게 한다.
검지단위, 바이오 센서, 탄소나노튜브, 다중 검출

公开(公告)号：KR1020090008798A

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：KR1020070072051

申请日：2007-07-19

Applicant: 한국화학연구원 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 이정오 ,  부경호 ,  장현주 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  박동원 ,  전은경 ,  최헌진

IPC: G01N33/50 ,  G01N27/30 ,  C12Q1/68

CPC classification number: C12Q1/6825 ,  C01B32/158 ,  C01B2202/34 ,  C12Q2537/143 ,  G01N27/30

Abstract: A biosensor is provided to bind to the specific target biomolecule by segmenting the surface of the long single nanowire device, thereby simultaneously detecting the identical or multiple biomolecules. The biosensor comprises: a source electrode(14), a drain electrode(15) and a transistor consisting of gate and nanowire(10), wherein the nanowire has a plurality of scanning units segmented in the longitudinal direction; the length of transistor is 10mum to 10 cm; and the scanning unit is segmented by the serial manner so as not to overlap the channel region.

Abstract translation: 提供生物传感器以通过分割长单一纳米线装置的表面来结合特异性目标生物分子，从而同时检测相同或多个生物分子。 生物传感器包括：源电极（14），漏电极（15）和由栅极和纳米线（10）组成的晶体管，其中所述纳米线具有沿纵向方向分割的多个扫描单元; 晶体管的长度为10m到10cm; 并且扫描单元被串行方式分段，以便不与信道区域重叠。

公开(公告)号：KR100803948B1

公开(公告)日：2008-02-18

申请号：KR1020070012074

申请日：2007-02-06

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 류병환 ,  김창균 ,  정택모 ,  최영민 ,  공기정 ,  임종선 ,  윤성철 ,  장세진 ,  채원묵

IPC: C01G11/00 ,  B82B3/00 ,  C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: A cadmium selenide complex is provided to produce pure cadmium selenide nanoparticles useful for manufacturing cadmium selenide quantum dots at low temperature. A cadmium selenide complex has a structure represented by the formula 1 of Y-Cd-Se(CH2)mO(CH2)nO-R', wherein Y is a halogen element or C1-7 linear or branched alkyl, R' is a C1-7 linear or branched alkyl, and m and n are, independently of each other, 1-7. A method for preparing a cadmium selenide complex represented by the formula 2 of X-Cd-Se(CH2)mO(CH2)nO-R' includes the step of reacting a cadmium(II) halide compound represented by the formula 3 of CdX2 with a selenide alkali metal salt compound represented by the formula 4 of MSe(CH2)mO(CH2)nOR'. In the formulae 2-4, X is a halogen element, R' is a C1-7 linear or branched alkyl, m and n are, independently of each other, 1-7, and M is Li, Na, or K.

Abstract translation: 提供硒化镉络合物以制备用于在低温下制造硒化镉量子点的纯硒化镉纳米颗粒。 硒化镉配合物具有由Y-Cd-Se（CH 2）m O（CH 2）n O-R'的式1表示的结构，其中Y是卤素元素或C 1-7直链或支链烷基，R'是C1 -7直链或支链烷基，m和n彼此独立地为1-7。 由X-Cd-Se（CH2）mO（CH2）nO-R'的式2表示的制备硒化镉络合物的方法包括使由CdX2的式3表示的卤化镉（II） 由MSe（CH 2）m O（CH 2）nOR'的式4表示的硒化物碱金属盐化合物。 在式2-4中，X是卤素元素，R'是C 1-7直链或支链烷基，m和n彼此独立地是1-7，M是Li，Na或K.