公开(公告)号：DE102012025773B3

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE102012025773

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/074

Abstract: Solarzellenstruktur (60), die Folgendes umfasst:eine p-leitende Gruppe-III/V-Substratschicht (12);eine an die Substratschicht (12) angrenzende n+-leitende Gruppe-III/V-Emitterschicht (62);eine an die Emitterschicht (62) angrenzende epitaxiale n+leitende Schicht (64), wobei die epitaxiale n+-leitende Schicht (64) SixGe1-xumfasst und wobei x zwischen 0 und 1 liegt;eine an die epitaxiale n+-leitende Schicht (64) angrenzende intrinsische amorphe Halbleiterschicht (66), die aus SiyGe1-y:H besteht, wobei y zwischen 0 und 1 liegt, undeine transparente leitende Schicht (20) oberhalb der intrinsischen amorphen Halbleiterschicht (66).

公开(公告)号：DE102012218265B4

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE102012218265

申请日：2012-10-08

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit, aufweisend:wenigstens eine obere Zelle (10), bestehend aus wenigstens einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial;eine untere Germanium-Zelle (16) in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle (10), wobei die untere Zelle (16) eine Germanium-enthaltende Schicht (18) in Kontakt mit der Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle (10), wenigstens eine intrinsische hydrierte Silicium-enthaltende Schicht (20) in Kontakt mit einer Oberfläche der Germanium-enthaltenden Schicht (18) und wenigstens eine dotierte hydrierte Silicium-enthaltende Schicht (22) in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (20) aufweist; undeinen leitfähigen Kontakt (24) in Kontakt mit einer Oberfläche der dotierten hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (22), wobei der leitfähige Kontakt (24) wenigstens ein transparentes leitfähiges Material enthält, wobei ein Übergang zwischen der Germanium-enthaltenden Schicht (18) und einer Rückseitenfeld Struktur aus der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (20) und der dotierten hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (22) ein elektrisches Feld erzeugt, das eine Barriere für den Strom von Minoritätsträgern zu dem leitfähigen Kontakt (24) einführt, wobei die Germanium-enthaltende Schicht (18) und die Rückseitenfeld Struktur den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweisen.

公开(公告)号：GB2490606B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：GB201208994

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：DE102013208429A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013208429

申请日：2013-05-08

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K ,  LI NING ,  SAENGER KATHERINE L ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: Die Erzeugung von Oberflächenstrukturen oder die Reproduktion von Oberflächenstrukturen wird in der vorliegenden Offenbarung ohne die Notwendigkeit erreicht, einen Ätzprozess einzusetzen. Stattdessen wird in der vorliegenden Offenbarung eine besondere, als Abtrennen (spalling) bezeichnete Bruchmethode verwendet, um Oberflächenstrukturen zu erzeugen oder zu reproduzieren. Im Fall einer Oberflächenstrukturerzeugung wird eine Oberflächenstruktur in einer Stressorschicht bereitgestellt, und dann wird das Abtrennen durchgeführt. Im Fall einer Oberflächenstrukturreproduktion wird eine Oberflächenstruktur innerhalb oder auf einer Oberfläche eines Basissubstrats gebildet, und dann wird eine Stressorschicht angebracht. Nach dem Anbringen der Stressorschicht wird das Abtrennen durchgeführt. Die Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen unter Verwendung von Abtrennen stellt ein kostengünstiges Mittel zur Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen bereit.

公开(公告)号：DE102012221294A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102012221294

申请日：2012-11-21

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/02

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aktivmatrix-Leuchtdioden(LED)-Anordnung beinhaltet das Entfernen einer ursprünglich auf ein Basissubstrat aufgewachsenen Schicht eines anorganischen LED-Materials von diesem; und das Verbinden der entfernten Schicht des anorganischen LED-Materials mit einem Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Backplane-Array.

公开(公告)号：DE102012209891A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209891

申请日：2012-06-13

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHENG CHENG-WEI ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING ,  SOSA CORTES NORMA E

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: Ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat wird bereitgestellt, das das Bereitstellen einer Rissausbreitungsschicht auf einer oberen Fläche eines Grundsubstrats beinhaltet. Eine Halbleiterelementschicht mit mindestens einem Halbleiterelement wird auf der Rissausbreitungsschicht gebildet. Als Nächstes werden Endabschnitte der Rissausbreitungsschicht geätzt, um einen Riss in der Rissausbreitungsschicht auszulösen. Die geätzte Rissausbreitungsschicht wird anschließend gespalten, um einer Oberfläche der Halbleiterelementschicht einen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht und der oberen Fläche des Grundsubstrats einen anderen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht bereitzustellen. Der gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der Oberfläche der Halbleiterelementschicht entfernt und der andere gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der oberen Fläche des Grundsubstrats entfernt.

公开(公告)号：DE102012209708A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209708

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/304

Abstract: Es wird ein Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen einer Zugspannungsschicht auf einem Basissubstrat. Die Zugspannungsschicht weist einen Zugspannungsschichtteil, der oberhalb einer oberen Oberfläche des Substrats angeordnet ist, und einen selbsthaftenden Zugspannungsschichtteil auf, der nahe dem Rand jeder Seitenwand des Basissubstrats angeordnet ist. Dann wird oberhalb des Zugspannungsschichtteils des Basissubstrats ein Abspalthemmer aufgebracht und anschließend der selbsthaftende Zugspannungsschichtteil der Zugspannungsschicht von dem Zugspannungsschichtteil getrennt. Dann wird ein Teil des Basissubstrats, der sich unterhalb des Zugspannungsschichtteils befindet, von dem ursprünglichen Basissubstrat abgespalten. Das Abspalten beinhaltet das Verschieben des Abspalthemmers von der Oberseite des Zugspannungsschichtteils. Nach dem Abspalten wird der Zugspannungsschichtteil von der Oberseite eines abgespaltenen Teils des Basissubstrats entfernt.

公开(公告)号：DE102012206482A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：DE102012206482

申请日：2012-04-19

Applicant: IBM

Inventor： KIM JEE HWAN ,  CHENG CHENG-WEI ,  CORTES NORMA EDITH SOSA ,  SHIU KUEN-TING ,  BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/0725 ,  H01L21/58 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/18

Abstract: Eine Photovoltaikeinheit und ein Herstellungsverfahren umfassen Mehrfachübergangszellen, wobei jede Zelle ein Material aufweist, das unabhängig von dem anderen aufgewachsen ist, und wobei die Materialien unterschiedliche Bandlückenenergien aufweisen. Zwischen den Zellen befindet sich eine Grenzfläche, und diese ist dafür konfiguriert, die Zellen durch Wafer-Verbindung zu verbinden, wobei die Zellen dafür konfiguriert sind, ohne Rücksicht auf Gitterfehlanpassung benachbart zu sein.

公开(公告)号：DE112011100105T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112011100105

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH ,  LAURO PAUL A ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

Abstract: Ein Verfahren zum Abspalten einer Schicht von einem Block eines Halbleitersubstrats beinhaltet Ausbilden einer Metallschicht auf dem Block des Halbleitersubstrats, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet ist, dass ein Bruch in dem Block verursacht wird; und Entfernen der Schicht von dem Block an dem Bruch. Ein System zum Abspalten einer Schicht von einem Block eines Halbleitersubstrats beinhaltet eine Metallschicht, die auf dem Block des Halbleitersubstrats ausgebildet ist, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet ist, dass ein Bruch in dem Block verursacht wird, und wobei die Schicht so eingerichtet ist, dass sie an dem Bruch von dem Block entfernt wird.

公开(公告)号：CA2783626A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：CA2783626

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.