公开(公告)号：DE112018005625T5

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE112018005625

申请日：2018-11-16

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  LEE YUN SEOG ,  DE SOUZA JOEL ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L21/822

Abstract: Es wird eine Halbleiterstruktur bereitgestellt, welche eine nichtflüchtige Batterie enthält, die eine Gate-Vorspannung steuert und einen erhöhten Erhalt der Ausgabespannung und eine erhöhte Spannungsauflösung aufweist. Die Halbleiterstruktur kann ein Halbleitersubstrat umfassen, welches mindestens eine Kanalzone umfasst, die zwischen Source/Drain-Zonen positioniert ist. Auf der Kanalzone des Halbleitersubstrats ist ein Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet. Auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial ist ein Batteriestapel angeordnet. Der Batteriestapel umfasst einen Kathodenstromkollektor, der auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet ist, ein Kathodenmaterial, das auf dem Kathodenstromkollektor angeordnet ist, ein erstes lonendiffusionsbarrieren-Material, das auf dem Kathodenmaterial angeordnet ist, einen Elektrolyten, der auf dem ersten Ionendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, ein zweites lonendiffusionsbarrieren-Material, das auf dem Elektrolyten angeordnet ist, eine Anodenzone, die auf dem zweiten lonendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, und einen Anodenstromkollektor, der auf der Anodenzone angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112018005416T5

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE112018005416

申请日：2018-11-02

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  LI NING ,  LEE KO-TAO ,  SADANA DEVENDRA ,  YU ROY

IPC: A61B5/00

Abstract: Es werden technische Lösungen zum Realisieren einer Optogenetikbehandlung unter Verwendung einer Sonde und einer Sondensteuerung beschrieben. Eine Sondensteuerung steuert eine Sonde, das Verfahren durchzuführen, welches Emittieren einer Lichtwelle durch eine Lichtquelle der Sonde umfasst, wobei die Sonde in ein Gewebe einbettbar ist, um mit einer entsprechenden Chemikalie in einer oder mehreren Zellen in dem Gewebe zu interagieren. Das Verfahren umfasst ferner Aufnehmen einer Spektroskopie der Lichtwelle, die mit der entsprechenden Chemikalie interagiert, durch einen Sensor der Sonde. Das Verfahren umfasst ferner Senden der Spektroskopie an ein Analysesystem durch die Sonde. Das Verfahren umfasst ferner Empfangen angepasster Parameter für die Lichtquelle von dem Analysesystem durch die Sonde und Anpassen von Einstellungen der Lichtquelle gemäß den empfangenen angepassten Parametern durch eine Steuerung der Sonde, um eine andere Lichtwelle zum Interagieren mit der entsprechenden Chemikalie zu emittieren.

公开(公告)号：DE112018004549T5

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：DE112018004549

申请日：2018-09-21

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL PEREIRA ,  LI NING ,  YAO YAO ,  SADANA DEVENDRA ,  LEE YUN SEOG

IPC: H01L31/109 ,  H01L33/00

Abstract: Eine Halbleitereinheit wird gebildet unter Verwendung einer n-Schicht von Zinkoxid, einer p-Schicht, die aus einem Material mit schmaler Bandlücke gebildet wird. Für das Material mit schmaler Bandlücke werden ein Element der Gruppe 3A und ein Element der Gruppe 5A verwendet. Zwischen der n-Schicht und der p-Schicht wird ein Übergang gebildet, wobei der Übergang als eine Heteroübergangsdiode zu betreiben ist, die eine Gleichrichtereigenschaft in einem Temperaturbereich aufweist, wobei der Temperaturbereich eine Obergrenze bei Raumtemperatur aufweist.

公开(公告)号：DE112018003652T5

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE112018003652

申请日：2018-09-11

Applicant: IBM

Inventor： LEE YUN SEOG ,  BEDELL STEPHEN ,  DE SOUZA JOEL PEREIRA ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01M4/139

Abstract: Es werden Verfahren zur Bildung von wiederaufladbaren Batterien mit einer hohen Kapazität und einem hohen Leistungsvermögen bereitgestellt, indem ein wiederaufladbarer Batteriestapel gebildet wird, der eine Struktur aus einem abgeblätterten Material aufweist, die ein abgeblättertes Kathodenmaterial umfasst, das an einem Stressormaterial angebracht ist. Das abgeblätterte Kathodenmaterial kann ein einkristallines oder ein polykristallines Kathodenmaterial umfassen, das frei von polymeren Bindemitteln ist. Das Stressormaterial dient als ein Kathodenstromkollektor des wiederaufladbaren Batteriestapels.

公开(公告)号：DE102016205000A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016205000

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  CHENG CHENG-WEI ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA ,  SAENGER KATHERINE

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Durchführen von Spalling eines Halbleitersubstrats, bei dem eine Ablöse-Schicht zwischen einem Handhabungssubstrat und einer Stressor-Schicht verwendet wird. Die Ablöse-Schicht wird unter Verwendung einer Flüssigkeit entfernt, die das durch ein Spalling erhaltene Halbleitersubstrat nicht schädigt.

公开(公告)号：CA2871871A1

公开(公告)日：2015-06-19

申请号：CA2871871

申请日：2014-11-19

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN W ,  OTT JOHN A ,  FOGEL KEITH E

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L33/32

Abstract: A spall releasing plane is formed embedded within a Group III nitride material layer. The spall releasing plane includes a material that has a different strain, a different structure and a different composition compared with the Group III nitride material portions that provide the Group III nitride material layer and embed the spall releasing plane. The spall releasing plane provides a weakened material plane region within the Group III nitride material layer which during a subsequently performed spalling process can be used to release one of the portions of Group III nitride material from the original Group III nitride material layer. In particular, during the spalling process crack initiation and propagation occurs within the spall releasing plane embedded within the original Group III nitride material layer.

公开(公告)号：GB2505351A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：GB201320040

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS ,  SHIU KUEN-TING ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: A method for fabricating a photovoltaic device includes applying (206) a diblock copolymer layer on a substrate and removing a first polymer material from the diblock copolymer layer to form a plurality of distributed pores. A pattern forming layer is deposited (212) on a remaining surface of the diblock copolymer layer and in the pores in contact with the substrate. The diblock copolymer layer is lifted off (214) and portions of the pattern forming layer are left in contact with the substrate. The substrate is etched (216) using the pattern forming layer to protect portions of the substrate to form pillars in the substrate such that the pillars provide a radiation absorbing structure in the photovoltaic device.

公开(公告)号：GB2492439B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：GB201206930

申请日：2012-04-20

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/762

Abstract: A method cleaving a semiconductor material that includes providing a germanium substrate having a germanium and tin alloy layer is present therein. A stressor layer is deposited on a surface of the germanium substrate. A stress from the stressor layer is applied to the germanium substrate, in which the stress cleaves the germanium substrate to provide a cleaved surface. The cleaved surface of the germanium substrate is then selective to the germanium and tin alloy layer of the germanium substrate. In another embodiment, the germanium and tin alloy layer may function as a fracture plane during a spalling method.

公开(公告)号：GB2495828A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：GB201218439

申请日：2012-10-15

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18

Abstract: A multi-junction III-V photovoltaic device includes a top cell 10 comprised of at least one III-V compound semiconductor material and a bottom cell 16 in contact with a surface of the top cell. The bottom cell includes a germanium-containing layer 18 in contact with the top cell, an intrinsic hydrogenated silicon-containing layer 20 in contact with a surface of the germanium-containing layer, and a doped hydrogenated silicon-containing layer 22 in contact with a surface of the intrinsic hydrogenated silicon-containing layer. The silicon-containing layers, which may be multilayers and can include one or both of germanium and carbon in different proportions, can be amorphous, nano/micro-crystalline, poly-crystalline or single-crystalline. They provide a back surface field (BSF) structure to the germanium bottom cell to enhance the open circuit voltage of the device. A metallic grid including a plurality of metal fingers 14 and patterned antireflective coatings 12 is located on an upper surface of the top cell 10 and a transparent conductive contact 24 is located on the bottom surface of the bottom cell 16.

公开(公告)号：GB2495166A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：GB201209218

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  CORTES NORMA SOSA ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.