51.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE10334576B4

    公开(公告)日:2007-04-05

    申请号:DE10334576

    申请日:2003-07-28

    Abstract: A semiconductor structure includes: a carrier plate; a thermosensitive adhesive coupled to a top surface of the carrier plate, which is removable from the carrier plate at a predetermined, defined temperature at which the thermosensitive adhesive loses its adhesive action; semiconductor chips having active top surfaces and back surfaces, where the active top surfaces include contact surfaces disposed on the thermosensitive adhesive; and a plastic embedding compound on the carrier plate, in which the semiconductor chips are embedded.

    53.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102005023949A1

    公开(公告)日:2006-11-30

    申请号:DE102005023949

    申请日:2005-05-20

    Abstract: The invention relates to a panel and a semiconductor device including a composite plate with semiconductor chips and a plastic packaging compound, and to processes for producing them. For this purpose, the panel having a composite plate has semiconductor chips arranged in rows and columns on a top side of a wiring substrate. The wiring substrate is covered by a plastic packaging compound in a plurality of semiconductor device positions, the rear sides of the semiconductor chips being fixed on the wiring substrate. A plastic packaging compound in the region of the boundary surfaces with the semiconductor chips has a coefficient of thermal expansion which is matched to that of silicon, while the remaining plastic packaging compound has a coefficient of thermal expansion which is matched to that of the wiring substrate and is therefore correspondingly higher.

    55.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102004010956A1

    公开(公告)日:2005-09-22

    申请号:DE102004010956

    申请日:2004-03-03

    Abstract: A semiconductor component includes a thin semiconductor chip and a wiring substrate that carries the semiconductor chip on its upper side and includes external contacts on its underside and/or its edge sides. The semiconductor chip is preferably produced from monocrystalline silicon having a thickness d

    Verfahren zum Überprüfen von Halbleiterchips und Einrichtung zum Überprüfen

    公开(公告)号:DE102013113770B4

    公开(公告)日:2022-01-20

    申请号:DE102013113770

    申请日:2013-12-10

    Abstract: Verfahren zum Überprüfen von Halbleiterchips (310), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines Halbleiterchipnutzen (300), der mehrere, in einem Einkapselungsmaterial (320) eingebettete Halbleiterchips umfasst, wobei zumindest manche der Halbleiterchips jeweils ein erstes elektrisches Kontaktelement (311.1) auf einer ersten Hauptfläche (311) und ein zweites elektrisches Kontaktelement auf einer zweiten, der ersten Hauptfläche entgegengesetzten Hauptfläche umfassen;Positionieren des Halbleiterchipnutzens (300) mit Abstand von einer elektrisch leitenden Halterung (200); undÜberprüfen von einem der mehreren Halbleiterchips (310), indem ein elektrischer Kontakt zwischen einer Testkontaktvorrichtung (100) und dem ersten elektrischen Kontaktelement hergestellt wird, und indem durch ein Drücken des Halbleiterchips (310) auf die elektrisch leitende Halterung (200) mittels der Testkontaktvorrichtung (100) oder durch ein Ansaugen des Halbleiterchips (310) an die elektrisch leitende Halterung (200) ein elektrischer Kontakt zwischen der elektrisch leitenden Halterung und dem zweiten Kontaktelement hergestellt wird.

    Vorrichtung mit einer eingebetteten MEMS-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer eingebetteten MEMS-Vorrichtung

    公开(公告)号:DE102013108353B4

    公开(公告)日:2021-08-05

    申请号:DE102013108353

    申请日:2013-08-02

    Abstract: Vorrichtung (1), welche aufweist:eine elektrische Komponente (18),einen Wandler (5), der angrenzend an die elektrische Komponente (18) angeordnet ist, wobei es sich bei dem Wandler (5) um ein Mikrofon handelt,ein rückseitiges Volumen (12) neben dem Wandler (5), wobei es sich bei dem rückseitigen Volumen (12) um ein rückseitiges Volumen des Mikrofons handelt,ein Verkapselungsmaterial (10), welches die elektrische Komponente (18), den Wandler (5) und einen Teil des rückseitigen Volumens (12) einkapselt, undeinen Deckel (16), der auf dem Verkapselungsmaterial (10) angeordnet ist, wodurch das rückseitige Volumen (12) gedichtet ist,wobei das Verkapselungsmaterial Ätzlöcher (15) aufweist, die durch den Deckel (16) gedichtet sind.

    Anordnung mehrerer Leistungshalbleiterchips und Verfahren zur Herstellung derselben

    公开(公告)号:DE102015108909B4

    公开(公告)日:2021-02-18

    申请号:DE102015108909

    申请日:2015-06-05

    Abstract: Halbleiterleistungsanordnung, die aufweist:einen Chipträger (110) mit einer ersten Oberfläche (110a) und einer zweiten Oberfläche (110b) gegenüber der ersten Oberfläche (110a); undeine am Chipträger (110) befestigte Vielzahl von Leistungshalbleiterchips (120), wobei die Leistungshalbleiterchips (120) zur ersten (110a) und/oder zur zweiten Oberfläche (110b) des Chipträgers (110) geneigt sind,wobei der Chipträger (110) eine Vielzahl von Durchgangslöchern oder Spalte aufweist unddie Leistungshalbleiterchips (120) durch die Durchgangslöcher oder Spalte verlaufen und Elektroden (121a_1, 121a_2, 121b) zu beiden Seiten des Chipträgers (110) aufweisen.

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