公开(公告)号：DE102024202924A1

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE102024202924

申请日：2024-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TILKE ARMIN ,  KRAUSE SANDRA ,  AICHINGER THOMAS ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung beschrieben, die einen SiC-Körper mit einer Gatestruktur umfasst, die ein Gatedielektrikum mit einer spezifischen mehrschichtigen Laminatstruktur umfasst, die abwechselnde Schichten eines ersten dielektrischen Materials und eines zweiten dielektrischen Materials mit einer Dielektrizitätskonstante von 4 oder höher beinhaltet. Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung beschrieben, die einen SiC-Körper wie zuvor erwähnt beinhaltet.

公开(公告)号：DE112022005092T5

公开(公告)日：2024-08-08

申请号：DE112022005092

申请日：2022-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  BINTER ALEXANDER CHRISTIAN ,  HUBER MARTIN ,  HÖCHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  MODER IRIS ,  PICCIN MATTEO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers umfasst: Bilden einer oder mehrerer epitaktischer Schichten über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers; Bilden einer oder mehrerer poröser Schichten in dem Halbleiterwafer oder in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten, wobei der Halbleiterwafer, die eine oder die mehreren epitaktischen Schichten und die eine oder die mehreren porösen Schichten zusammen ein Substrat bilden; Bilden dotierter Bereiche einer Halbleitervorrichtung in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten; und nach dem Bilden der dotierten Bereiche der Halbleitervorrichtung, Trennen eines nicht porösen Teils des Halbleiterwafers von einem Rest des Substrats entlang der einen oder der mehreren porösen Schichten.

公开(公告)号：DE102013102135B4

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE102013102135

申请日：2013-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L21/316 ,  C03B5/235 ,  H01L21/762 ,  H01L29/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:Bilden eines Hohlraums (302) in einer Arbeitsoberfläche (301) eines Substrats (300), in welchem ein Halbleiterelement (305) ausgebildet ist, wobei der Hohlraum (302) ein Gitter bildet, das sich längs Kerbbereichen des Substrats (300) erstreckt, und der Hohlraum (302) weiter als der Kerbbereich ist,Verbinden eines aus einem Glasmaterial (200a) gebildeten Glasstücks (200) mit dem Substrat (300) durch Glaspressen, wobei der Hohlraum (302) wenigstens teilweise mit dem Glasmaterial (200a) gefüllt wird,Dünnen des mit dem Glasstück verbundenen Substrats (300) von einer Rückseite, die einer durch die Arbeitsoberfläche (301) definierten Vorderseite gegenüber liegt, undTrennen des Substrats (300) längs der Kerbbereiche, um eine Vielzahl von Halbleiterplättchen oder Halbleiterchips aus dem Substrat (300) zu erhalten, wobei jedes Halbleiterplättchen einen Glasrahmen oder eine Glaskappe, die aus dem Glasstück hervorgehen, umfasst.

公开(公告)号：DE102019114140B4

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102019114140

申请日：2019-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/027 ,  H01L21/762 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:ein Ausbilden einer Kohlenstoffstruktur (102) auf einem Handhabungssubstrat (104) an einer ersten Oberfläche (106) des Handhabungssubstrats (104);ein Anbringen einer ersten Oberfläche (110) eines Halbleitersubstrats (112) an der ersten Oberfläche (106) des Handhabungssubstrats (104);ein Bearbeiten des Halbleitersubstrats (112);ein Unterziehen des Handhabungssubstrats (104) einem Trennprozess, der dafür geeignet ist, das Handhabungssubstrat (104) vom Halbleitersubstrat (112) zu trennen, wobei der Trennprozess ein Modifizieren der Kohlenstoffstruktur (102) aufweist, und wobei ein Ausbilden der Kohlenstoffstruktur (102) aufweist:ein Ausbilden von Gräben (128) im Handhabungssubstrat (104) an der ersten Oberfläche (106); undein zumindest teilweises Füllen der Gräben (128) mit Kohlenstoff (130).

公开(公告)号：DE102015112648B4

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102015112648

申请日：2015-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/673

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend:- Befestigen eines Donor-Wafers (10), der Siliciumcarbid aufweist, an einem Trägerwafer (20), der Graphit aufweist;- Spalten des Donor-Wafers (10) entlang einer inneren Delaminierungsschicht (13), sodass eine abgespaltene Schicht (1), die Siliciumcarbid aufweist und an dem Trägerwafer (20) befestigt ist, gebildet wird;- Bilden eines teilweise gestützten Wafers (100, 200), umfassend das Entfernen des Trägerwafers (20) über einem inneren Abschnitt der abgespaltenen Schicht (1), während ein Restabschnitt (20') des Trägerwafers (20) an der abgespaltenen Schicht (1) befestigt bleibt; und- Weiterbearbeiten des teilweise gestützten Wafers (100, 200).

公开(公告)号：DE102013111772B4

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE102013111772

申请日：2013-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  DIELACHER FRANZ ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L23/08 ,  H01L21/58 ,  H01L25/04

Abstract: Bauelement, umfassend:ein Halbleitermaterial (1), das eine erste Hauptoberfläche (2), eine gegenüberliegende Oberfläche (3), die der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt, und eine seitliche Oberfläche (4), die sich von der ersten Hauptoberfläche zur gegenüberliegenden Oberfläche erstreckt, umfasst, wobei das Halbleitermaterial eine Funktionsfläche umfasst, die in einem Hochfrequenzbereich betrieben wird;ein erstes elektrisches Kontaktelement (5), das auf der ersten Hauptoberfläche (2) des Halbleitermaterials angeordnet ist;ein Glasmaterial (6), das eine zweite Hauptoberfläche (7) umfasst, wobei das Glasmaterial die seitliche Oberfläche (4) des Halbleitermaterials kontaktiert und wobei die erste Hauptoberfläche (2) des Halbleitermaterials und die zweite Hauptoberfläche des Glasmaterials in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind; undeine Metallschicht (11), die über der ersten Hauptoberfläche (2) des Halbleitermaterials und über dem Glasmaterial angeordnet ist, wobei eine passive elektronische Komponente (42) aus der Metallschicht gebildet wird, wobei die passive elektronische Komponente über der zweiten Hauptoberfläche (7) des Glasmaterials und vollständig außerhalb eines Grundrisses des Halbleitermaterials angeordnet ist, wobei das Glasmaterial (6) eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik umfasst.

公开(公告)号：DE102019103899A1

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：DE102019103899

申请日：2019-02-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDT PHILIP CHRISTOPH ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHMIDT STEFFEN ,  UMBACH FRANK ,  PFIRSCH FRANK DIETER

IPC: H01L29/10 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/71 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10) und weist ein aktives Gebiet (16) und ein Randabschlussgebiet (17) auf, wobei der Halbleiterkörper (10) innerhalb des aktiven Gebiets (16) ein Driftgebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp umfasst, und wobei das Randabschlussgebiet (17) Folgendes umfasst: ein Schutzgebiet (107) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei das Schutzgebiet (107) an einer Vorderseite (10-1) des Halbleiterkörpers (10) in dem Halbleiterkörper (10) enthalten ist und das aktive Gebiet (16) umgibt; und eine Feldplattengrabenstruktur (172), die sich von der Vorderseite (10-1) vertikal in den Halbleiterkörper (10) erstreckt und zumindest teilweise mit einem leitenden Material (173) gefüllt ist, wobei das leitende Material (173) mit dem Schutzgebiet (107) elektrisch verbunden ist und außerhalb des Schutzgebiets (107) durch eine Feldplattenisolationsstruktur (1725) von dem Halbleiterkörper (10) isoliert ist, wobei sich ein erster Teil (1721) der Feldplattengrabenstruktur (172) zumindest teilweise in das Schutzgebiet (107) erstreckt und zumindest teilweise unter einer Metallschicht (174), die an der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, angeordnet ist; und sich ein zweiter Teil (1722) der Feldplattengrabenstruktur (172) außerhalb des Schutzgebiets (107) erstreckt und den aktiven Bereich (16) vollständig umgibt, wobei sich die Metallschicht (174) nicht über dem zweiten Teil (1722) der Feldplattengrabenstruktur (172) erstreckt.

公开(公告)号：DE102019119289A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102019119289

申请日：2019-07-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BROCKMEIER ANDRE ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  PICCIN MATTEO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Träger (100), der dafür konfiguriert ist, über eine erste Oberfläche (104) an einem Halbleitersubstrat angebracht zu werden, weist eine eine erste Oberfläche (104) des Trägers (100) definierende zusammenhängende Kohlenstoffstruktur (102) und ein Verstärkungsmaterial (106), das zumindest 2 Vol.-% des Trägers (100) ausmacht, auf.

公开(公告)号：DE102019106124A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102019106124

申请日：2019-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Verfahren beinhaltet Bereitstellen einer ersten Schicht (101) aus epitaktischem Siliciumcarbid, die durch ein Siliciumcarbidsubstrat (130) gestützt wird; und Bereitstellen einer zweiten Schicht (102) aus epitaktischem Siliciumcarbid auf der ersten Schicht (101); und Bilden mehrerer Halbleitervorrichtungen (105, 105-1, 105-2, 105-3) in der zweiten Schicht (102); und Separieren des Substrats (130) von der zweiten Schicht (102) bei der ersten Schicht (101). Die erste Schicht (101) umfasst mehrere Lücken (150).

公开(公告)号：DE102017124872A1

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE102017124872

申请日：2017-10-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINA MARKUS ,  DAINESE MATTEO ,  JÄGER CHRISTIAN ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VELLEI ANTONIO

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/266 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren (2) zur Bearbeitung einer Leistungshalbleiter-Vorrichtung (1) umfasst: Vorsehen eines Halbleiterkörpers (10) mit einem Drift-Gebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp; Erzeugen (20) einer Vielzahl von Gräben (14, 15, 16), wobei sich die Gräben (14, 15, 16) in den Halbleiterkörper (10) entlang einer vertikalen Richtung (Z) erstrecken und einander benachbart entlang einer ersten lateralen Richtung (X) angeordnet sind; Vorsehen (22) einer Maskenanordnung (30) auf dem Halbleiterkörper (10), wobei die Maskenanordnung (30) eine laterale Struktur (301) aufweist, gemäß der einige der Gräben (14, 15, 16) freigelegt sind und mindestens einer der Gräben (14, 15, 16) von der Maskenanordnung (30) bedeckt ist; Aussetzen (24) des Halbleiterkörpers (10) und der Maskenanordnung (30) einem Schritt zum Bereitstellen eines Dotierungsmaterials, wodurch, unter Böden der freiliegenden Gräben (14, 15, 16), eine Vielzahl von Dotierungsgebieten (1059) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der zu dem ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist, erzeugt wird; Entfernen (26) der Maskenanordnung (30); Aussetzen (28) des Halbleiterkörpers (10) einem Temperaturausheilschritt, wodurch bewirkt wird, dass sich die Vielzahl von Dotierungsgebieten (1059) parallel zu der ersten lateralen Richtung (X) derart erstreckt, dass ein Barrierengebiet (105) von dem zweiten Leitfähigkeitstyp benachbart den Böden der freiliegenden Gräben (14, 15, 16) überlappt und gebildet wird.