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    Integrierte Schaltungstechnologie mit verschiedenen Bauelementepitaxialschichten
    51.
    发明专利
    Integrierte Schaltungstechnologie mit verschiedenen Bauelementepitaxialschichten 未知

    公开(公告)号：DE102011054784A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：DE102011054784

    申请日：2011-10-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  MEYER THORSTEN ,  WERNER WOLFGANG

    IPC: H01L27/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Halbleiterdie enthält ein Substrat (12), ein erstes Bauelementgebiet (18) und ein zweites Bauelementgebiet (20). Das erste Bauelementgebiet (18) enthält eine Epitaxialschicht (14) auf dem Substrat (12) und ein oder mehrere, in der Epitaxialschicht (14) des ersten Bauelementgebiets (18) ausgebildete Halbleiterbauelemente von einem ersten Typ. Das zweite Bauelementgebiet (20) ist von dem ersten Bauelementgebiet (18) beabstandet und enthält eine Epitaxialschicht (14, 16) auf dem Substrat (12) und ein oder mehrere, in der Epitaxialschicht (14, 16) des zweiten Bauelementgebiets (20) ausgebildete Halbleiterbauelemente von einem zweiten Typ. Die Epitaxialschicht (14) des ersten Bauelementgebiets (18) ist von der Epitaxialschicht (14, 16) des zweiten Bauelementgebiets (20) verschieden, so dass das eine oder die mehreren Halbleiterbauelemente vom ersten Typ in einer anderen Epitaxialschicht als das eine oder die mehreren Halbleiterbauelemente von dem zweiten Typ ausgebildet werden.

    Vertikales Halbleiterbauelement mit vertikalem Randabschluss
    52.
    发明专利
    Vertikales Halbleiterbauelement mit vertikalem Randabschluss 未知

    公开(公告)号：DE10057612B4

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：DE10057612

    申请日：2000-11-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WERNER WOLFGANG

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

    Abstract: Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (100), der ein Substrat (34) und eine auf das Substrat aufgebrachte Epitaxieschicht aufweist und der eine erste Zone (20) eines ersten Leitungstyps (p) und eine sich in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) an die erste Zone (20) anschließende zweite Zone (30) eines zweiten Leitungstyps (n) aufweist, wobei die zweite Zone (30) eine stark dotierte Anschlusszone (34), die durch das Substrat gebildet ist, und eine in der Epitaxieschicht ausgebildete und sich an die erste Zone (20) anschließende schwächer dotierte Zone (32) aufweist, wobei die erste Zone (20) sich in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) bis an eine Seitenwand (101) erstreckt, die wenigstens annäherungsweise in vertikaler Richtung verläuft und die durch einen stufenförmigen Ausschnitt (102) am Rand des Halbleiterkörpers (100) gebildet ist, der sich in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) bis an das Substrat erstreckt, und wobei der Halbleiterkörper im Bereich der Seitenwand...

    56.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10026742B4

    公开(公告)日：2007-11-22

    申请号：DE10026742

    申请日：2000-05-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WERNER WOLFGANG

    IPC: H01L27/07 ,  H01L29/08 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78

    Abstract: The semiconductor switching element blocks in both directions between a first and a second load terminal. The switching element has a field effect transistor and a bipolar transistor. The field effect transistor has a controlled gate, a source connected to the first load terminal, a drain connected to the second load terminal and a body connection. The bipolar transistor has a base, an emitter, and a collector. The emitter is connected to the body connection of the field effect transistor.

    57.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10129348B4

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：DE10129348

    申请日：2001-06-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WERNER WOLFGANG ,  HIRLER FRANZ

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

    Abstract: A semiconductor component includes a first connection zone of a first conductivity type for providing a contact at a first side of a semiconductor body and a second connection zone of the first conductivity type for providing a contact at the second side of the semiconductor body. A drift zone adjoins the first connection zone and extends in a vertical direction of the semiconductor body as far as the second side of the semiconductor body. A body zone of a second conductivity type is disposed between the second connection zone and the first connection zone or the drift zone. A control electrode is insulated from the semiconductor body and disposed above the body zone such that the control electrode substantially does not overlap with the drift zone and the second connection zone in a lateral direction. A method for manufacturing a semiconductor component is also provided.

    58.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10232642B4

    公开(公告)日：2006-11-23

    申请号：DE10232642

    申请日：2002-07-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD ,  KAHLMANN FRANK ,  WERNER WOLFGANG

    IPC: H01L27/08 ,  H01F17/00 ,  H01F19/04

    Abstract: An integrated transformer for signal transmission comprises a long coil of rectangular cross-section which is electrically isolated from, but adjacent to, a second coil. The ratio between the height and width of the rectangular coil is greater than unity and preferably. more than three.

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