公开(公告)号：TWI524392B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW097108686

申请日：2008-03-12

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬高特森 弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN, VLADIMIR ,  葛藍尼門 恩斯特 H.A. ,  GRANNEMAN, ERNST H. A.

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/28518

公开(公告)号：TWI493071B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW096124005

申请日：2007-07-02

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 ,  WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克J. ,  SHERO, ERIC J. ,  威爾克 格蘭 ,  WILK, GLEN ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645

公开(公告)号：TWI490919B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW098137301

申请日：2009-11-03

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 吉文斯 麥克 ,  GIVENS, MICHAEL ,  古德曼 馬修G ,  GOODMAN, MATTHEW G. ,  霍金斯 馬克 ,  HAWKINS, MARK ,  哈勒克 布拉德 ,  HALLECK, BRAD ,  特后司特 赫伯特 ,  TERHORST, HERBERT

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/45591

公开(公告)号：TWI480527B

公开(公告)日：2015-04-11

申请号：TW099114329

申请日：2010-05-05

Applicant: ASM美洲公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 康納 藍得 ,  CONNER, RAND ,  阿嘉瓦 拉凡德K ,  AGGARWAL, RAVINDER K.

IPC: G01K7/04 ,  H01L21/67 ,  G05D23/22

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  G01K1/14 ,  G01K7/02

公开(公告)号：TWI426155B

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：TW096137980

申请日：2007-10-11

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 樊都魯黎亞 凱爾 ,  FONDURULIA, KYLE ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC ,  莫西斯 維埃茲E. ,  VERGHESE, MOHITH E. ,  懷特 卡爾L. ,  WHITE, CARL L.

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4402

公开(公告)号：TW200929419A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW097143524

申请日：2008-11-11

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B33/12 ,  C30B35/00

Abstract: 一種用於選擇性磊晶膜形成之方法及裝置將反應性物種(10、20)分離地注入化學氣相沈積腔室(300)。所述方法尤其可用於使用前軀體(10)與蝕刻劑(20)之揮發性組合進行選擇性沈積。形成製程包含同時供應前軀體(10)及蝕刻劑(20)用於選擇性沈積,或依序供應以用於循環毯覆沈積及選擇性蝕刻。在任一情況下,沿在相對開放之反應空間(340)中而非較受限制之上游位置中相交的分離流動路徑提供前軀體(10)及蝕刻劑(20)。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于选择性磊晶膜形成之方法及设备将反应性物种(10、20)分离地注入化学气相沉积腔室(300)。所述方法尤其可用于使用前躯体(10)与蚀刻剂(20)之挥发性组合进行选择性沉积。形成制程包含同时供应前躯体(10)及蚀刻剂(20)用于选择性沉积,或依序供应以用于循环毯覆沉积及选择性蚀刻。在任一情况下,沿在相对开放之反应空间(340)中而非较受限制之上游位置中相交的分离流动路径提供前躯体(10)及蚀刻剂(20)。

公开(公告)号：TW200917377A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：TW097133445

申请日：2008-09-01

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 湯瑪斯 蕭恩 THOMAS, SHAWN ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  Y10T428/2462

Abstract: 一種半導體基板,其具有填充有異質磊晶含矽材料之凹區,其中不同部分具有不同之雜質濃度。應變層可以分級、由下而上方式填充凹入源極/汲極區域。層亦可以一種濃度之應變誘發雜質來內襯凹區側壁,而用較低濃度之所述雜質填充凹區之剩餘部分。在後者情況下,側壁襯墊可為漸縮的。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体基板,其具有填充有异质磊晶含硅材料之凹区,其中不同部分具有不同之杂质浓度。应变层可以分级、由下而上方式填充凹入源极/汲极区域。层亦可以一种浓度之应变诱发杂质来内衬凹区侧壁,而用较低浓度之所述杂质填充凹区之剩余部分。在后者情况下,侧壁衬垫可为渐缩的。

公开(公告)号：TW200828487A

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW096141029

申请日：2007-10-31

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 哈維 艾里斯G HARVEY, ELLIS G.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/6838

Abstract: 一種用於傳輸半導體晶圓之白努利桿(50)。白努利桿(50)具有頭部部分(54),頭部部分(54)具有經組態以沿晶圓之上表面產生氣流從而在晶圓之上表面與晶圓之下表面之間產生壓力差的多個氣體出口(74、75)。利用白努利原理,壓力差產生以實質上不接觸之方式來支撐位於白努利桿之頭部部分(54)下方之晶圓的提昇力。白努利桿(50)具有可獨立控制之氣體通道(70、80),其經組態以向氣體出口孔(74、75)之不同集合提供氣流。氣體出口孔(74、75)以及氣體通道(70、80)經組態以使用白努利原理來支撐晶圓。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于传输半导体晶圆之白努利杆(50)。白努利杆(50)具有头部部分(54),头部部分(54)具有经组态以沿晶圆之上表面产生气流从而在晶圆之上表面与晶圆之下表面之间产生压力差的多个气体出口(74、75)。利用白努利原理,压力差产生以实质上不接触之方式来支撑位于白努利杆之头部部分(54)下方之晶圆的提升力。白努利杆(50)具有可独立控制之气体信道(70、80),其经组态以向气体出口孔(74、75)之不同集合提供气流。气体出口孔(74、75)以及气体信道(70、80)经组态以使用白努利原理来支撑晶圆。

公开(公告)号：TW200811308A

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW096124005

申请日：2007-07-02

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克J SHERO, ERIC J. ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645

Abstract: 本發明提供形成金屬矽酸鹽膜之方法。所述方法包括使基板與金屬源化學品、矽源化學品以及氧化劑之交替且依序的氣相脈衝接觸。在較佳實施例中,使用烷基醯胺金屬化合物以及鹵化矽化合物。根據較佳實施例之方法可用於形成矽酸鉿以及矽酸鋯膜,其在包括高縱橫比特徵(例如,通孔及/或溝渠)之基板表面上具有實質上均一的薄膜覆蓋率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成金属硅酸盐膜之方法。所述方法包括使基板与金属源化学品、硅源化学品以及氧化剂之交替且依序的气相脉冲接触。在较佳实施例中,使用烷基酰胺金属化合物以及卤化硅化合物。根据较佳实施例之方法可用于形成硅酸铪以及硅酸锆膜,其在包括高纵横比特征(例如,通孔及/或沟渠)之基板表面上具有实质上均一的薄膜覆盖率。

公开(公告)号：TW200805460A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：TW096118850

申请日：2007-05-25

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02636 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

Abstract: 磊晶層(125)是透過重複地循環全面沈積與選擇性蝕刻而選擇性地形成在半導體窗(114)中。全面性沈漬會留下非磊晶材料(120)在例如場氧化物的絕緣區域(112)上,且選擇性蝕刻傾向移除非磊晶材料(120)而且所沈積磊晶材料(124)會一次一次的建立起。磊晶材料(125)的品質會改善相對的在絕緣物(112)上不會產生沈積的選擇製程。在上述製程的蝕刻過程中,使用鍺催化劑可以促進蝕刻率並且能夠使等溫及/或等壓的條件在循環中較容易維持。另外,使用三矽烷、在絕緣區域(112)上形成非晶材料(120)以及在蝕刻沈積時最小化非晶對磊晶材料的厚度比例可以改善產率與品質。

Abstract in simplified Chinese: 磊晶层(125)是透过重复地循环全面沉积与选择性蚀刻而选择性地形成在半导体窗(114)中。全面性沈渍会留下非磊晶材料(120)在例如场氧化物的绝缘区域(112)上,且选择性蚀刻倾向移除非磊晶材料(120)而且所沉积磊晶材料(124)会一次一次的创建起。磊晶材料(125)的品质会改善相对的在绝缘物(112)上不会产生沉积的选择制程。在上述制程的蚀刻过程中,使用锗催化剂可以促进蚀刻率并且能够使等温及/或等压的条件在循环中较容易维持。另外,使用三硅烷、在绝缘区域(112)上形成非晶材料(120)以及在蚀刻沉积时最小化非晶对磊晶材料的厚度比例可以改善产率与品质。