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公开(公告)号：KR1020110097193A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016899
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 본 발명은 플라즈마의 포텐셜을 조절하여 원자층 식각을 수행할 수 있는 중성빔을 이용한 원자층 식각 장치에 관한 것으로, 본 발명의 원자층 식각 장치는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 외부를 감싸며 전기장을 발생시켜 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 유도하는 유도 코일; 상기 유도 코일의 외곽에서 상기 플라즈마 챔버 내부에 자기장을 인가하는 자장 인가 수단; 상기 플라즈마 챔버 하부에서 이온빔을 추출하도록 하는 그리드 어셈블리; 및 상기 그리드 어셈블리 하부에서 이온빔에 전자를 공급하여 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110092485A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100011929
申请日：2010-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for etching an atomic layer are provided to etch the atomic layer with various material films by simultaneously removing reactive radical and surface materials of an etched layer using neutral beams. CONSTITUTION: A stage(50) which receives an etched substrate(51) is formed in a reactive chamber(80). A purge gas supply tube(70) is installed on one side of the reactive chamber to supply purge gas. A plasma generator(10) generates neutral beams and reactive radical. A shutter(20) controls the supply of the neutral beam and radical to the reactive chamber. A controller(40) controls the supply of the source gas and purge gas.
Abstract translation: 目的：提供用于蚀刻原子层的装置和方法，以通过使用中性光束同时去除蚀刻层的反应性基团和表面材料来蚀刻具有各种材料膜的原子层。 构成：在反应室（80）中形成接受蚀刻的基板（51）的台（50）。 吹扫气体供给管（70）安装在反应室的一侧以供应净化气体。 等离子体发生器（10）产生中性束和反应基。 快门（20）控制向反应室供应中性束和自由基。 控制器（40）控制源气体和净化气体的供应。
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公开(公告)号：KR1020090086841A
公开(公告)日：2009-08-14
申请号：KR1020080012330
申请日：2008-02-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/3141 , C23C16/44 , C23C16/45536 , H01J2237/0041 , H01J2237/08 , H01J2237/3142 , H01L21/31604
Abstract: A neutral beam-assisted ALCVD(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition) system and a substrate processing method using the same are provided to improve the density of a planarized film and to prevent non-uniform deposition in the process of filling in a gap of shallow trench with an oxide film. A neutral beam-assisted ALCVD system comprises an ALCVD apparatus and a neutral beam generating unit. The ALCVD apparatus deposits an oxide film in order to form a planarized film or pattern in a semiconductor substrate. The neutral beam generating unit changes ion beam to neutral beam and irradiates the neutral beam onto the oxide film in order to increase the density of the planarized film remove seam or void of the oxide film deposited between the patterns. The deposition of the oxide film and the irradiation of the neutral beam are performed at the same time.
Abstract translation: 提供中性束辅助的ALCVD（原子层化学气相沉积）系统和使用其的衬底处理方法以改善平坦化膜的密度并防止在填充浅沟槽的间隙的过程中的不均匀沉积 与氧化膜。 中性束辅助ALCVD系统包括ALCVD装置和中性束发生单元。 ALCVD装置沉积氧化物膜以在半导体衬底中形成平坦化的膜或图案。 中性光束产生单元将离子束改变为中性光束并将中性光束照射到氧化膜上，以便增加平坦化膜的密度去除接缝或沉积在图案之间的氧化膜的空隙。 氧化膜的沉积和中性光束的照射同时进行。
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公开(公告)号：KR1020090086704A
公开(公告)日：2009-08-14
申请号：KR1020080012135
申请日：2008-02-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01J37/30 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/31155 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/28282
Abstract: A compositions incorporation apparatus of substrate using neutral beam and method thereof are provided to perform the implantation process of the neutralized ions and twice the formation process of the oxide film at least two times. The compositions incorporation apparatus(10) comprises the generating ion beam gas injector, the ion source portion(11), the grid assembly(14), the reflector and the stage. The gas injection hole for generating ion beam injects the gas in order to create the ion beam. The ion beam(11a) is produced from the beam gas injector having the ion source portion. The grid assembly is arranged in one side of the ion source portion. The reflector converts the ion beam into the neutral beam(11b). The stage has the substrate(16) on the route of the neutral beam. The formation process of the oxide film and implantation process of the neutralized ions are repetitively performed on the substrate.
Abstract translation: 提供了使用中性光束的基板的组合物结合装置及其方法，以进行中和离子的注入过程和氧化膜的形成过程的两次至少两次。 组合物结合装置（10）包括产生离子束气体注入器，离子源部分（11），栅格组件（14），反射器和平台。 用于产生离子束的气体注入孔注入气体以产生离子束。 离子束（11a）由具有离子源部分的束气体注入器产生。 格栅组件布置在离子源部分的一侧。 反射器将离子束转换成中性光束（11b）。 舞台具有在中性梁的路线上的衬底（16）。 氧化膜的形成过程和中和离子的注入过程在衬底上重复进行。
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公开(公告)号：KR1020090059884A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020070126968
申请日：2007-12-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01J37/32669 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: A plasma source and a plasma generating apparatus using the same are provided to concentrate a field of a radial shape to a substrate to be treated by mounting a ferrite structure on a linear type antenna. One linear antenna(21) forms a loop type by connecting one side of a first antenna of a linear type to one side of a second antenna of a linear type. A ferrite structure(23a) is positioned in each top part of the first antenna and the second antenna of the linear antenna. The ferrite structure concentrates a field formed into a radial type from the antenna to a specific direction. The ferrite structure is formed into an arch type.
Abstract translation: 提供了一种等离子体源和使用该等离子体源的等离子体产生装置，通过将铁氧体结构安装在线性天线上将径向形状的场域集中到待处理的基板上。 一个线性天线（21）通过将线性类型的第一天线的一侧连接到线性类型的第二天线的一侧来形成环路类型。 铁氧体结构（23a）位于第一天线的每个顶部和线性天线的第二天线中。 铁氧体结构将从天线形成的径向类型的场集中到特定方向。 铁氧体结构形成拱型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100735668B1
公开(公告)日：2007-07-06
申请号：KR1020040101683
申请日：2004-12-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203
Abstract: 본 발명은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 상기 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 상기 플라즈마 발생챔버에 단속적으로 고주파의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060102755A
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：KR1020050024673
申请日：2005-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J2237/0041
Abstract: 본 발명은 이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키는 단계; 상기 가속된 이온빔을 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하여 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각하는 단계를 구비하여 이루어지고, 상기 이온빔 추출 및 가속 단계에서, 식각 가스로 CF계열의 가스를 사용하여 이온빔을 추출하는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법을 제공한다. 여기서, 상기 식각 가스는 CF
4 이고, 상기 첨가가스는 H
2 인 것이 바람직하다. 이에 의해, PR과 실리콘 및 실리콘옥사이드의 선택비를 크게할 수 있다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 식각,-
公开(公告)号：KR1020050076108A
公开(公告)日：2005-07-26
申请号：KR1020040003917
申请日：2004-01-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01J37/32
Abstract: 본 발명은 TFT-LCD와 같은 평판 표시 소자 제조에 사용되는 기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 장치이다. 본 발명에 의하면, 식각 공정이 다른 공정과 인라인으로 진행될 수 있도록 기판이송부가 제공되며, 상압에서 플라즈마가 안정하고 균일하게 발생될 수 있도록 글로우 방전을 유도하기 위해 상부전극의 아래에 절연판이 제공되고, 공정진행시 가스의 온도를 낮추기 위해 비반응성 가스가 공급된다.
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公开(公告)号：KR1020040040906A
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：KR1020020069254
申请日：2002-11-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning an MgO layer and a method for manufacturing a plasma display panel are provided to achieve improved characteristics of PDP by reducing the impurity attached on the MgO layer through an atmospheric plasma cleaning and/or heat treatment cleaning process. CONSTITUTION: A method for cleaning an MgO layer comprises a step of loading a substrate with an MgO layer into a plasma reaction chamber; and a step of performing a plasma cleaning process at an atmospheric pressure so as to remove impurities from the MgO layer. A method for manufacturing a plasma display panel comprises a step(S10) of producing an upper panel by forming an MgO layer on the inner surface of the upper panel of a plasma display panel; a step(S20) of producing a lower panel of the plasma display panel; a step(S30) of performing a plasma cleaning process at an atmospheric pressure so as to remove impurities from the MgO layer of the upper panel; a step(S40) of sealing the upper panel and the lower panel and evacuating gases from the space formed between the upper panel and the lower panel; a step(S50) of injecting a discharge gas into the space formed between the upper panel and the lower panel; and a step(S60) of producing a module of the plasma display panel from the assembly of the upper and lower panels.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洗MgO层的方法和等离子体显示面板的制造方法，以通过通过大气等离子体清洗和/或热处理清洗工艺减少附着在MgO层上的杂质来实现PDP的改进的特性。 构成：用于清洗MgO层的方法包括将具有MgO层的衬底加载到等离子体反应室中的步骤; 以及在大气压下进行等离子体清洗处理以从MgO层除去杂质的步骤。 一种等离子体显示面板的制造方法，其特征在于，包括通过在等离子体显示面板的上板的内表面形成MgO层来制造上板的工序（S10） 制造等离子体显示面板的下面板的步骤（S20）; 在大气压下进行等离子体清洗处理以从上层的MgO层除去杂质的工序（S30） 密封上板和下板并从形成在上板和下板之间的空间排出气体的步骤（S40）; 将放电气体注入到形成在上板和下板之间的空间中的步骤（S50） 以及从上板和下板的组装制造等离子体显示面板的模块的步骤（S60）。
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