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公开(公告)号：KR100959134B1
公开(公告)日：2010-05-25
申请号：KR1020070132335
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 반도체 가스 센서에 관한 것으로, 기저와, 상기 기저 상에 배치된 전극과, 상기 기저 상에 배치되어 상기 전극과 전기적으로 연결된 하부 감지막과, 그리고 상기 하부 감지막을 감싸며, 미세 기둥들 사이에 틈들을 포함하는 박막으로 구성된 상부 감지막을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 미세 기둥 구조를 갖는 상부 감지막을 하부 감지막 위에 형성하여 가스 군의 입자 크기에 따라 가스 감지 신호를 얻을 수 있어서 선택적인 가스 검출을 할 수 있게 된다.
반도체 가스 센서, 선택적 가스 감지, 금속산화물, 경사 증착-
公开(公告)号：KR100937593B1
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：KR1020070128848
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 반도체 가스 센서 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 소이(SOI) 실리콘 기판의 단결정 실리콘을 불순물로 도핑하여 가스 센서의 히터로 이용하고 또한 단결정 실리콘을 센서 멤브레인으로 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 도핑된 단결정 실리콘을 히터 및 센서 멤브레인으로 활용하므로써 300℃ 이상의 고온 동작시 열에 의한 스트레스에 대한 내구성을 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 또한 소이 기판을 채택하므로써 히터의 열이 하부 실리콘 벌크로 손실되는 것을 최대한 줄일 수 있는 효과가 있다.
반도체 가스 센서, 미세기전집적시스템(MEMS), 실리콘 마이크로 히터-
公开(公告)号：KR100701151B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050116591
申请日：2005-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A method of fabricating an air-gap structure for MEMSs(MicroElectroMechanical Systems) is provided to selectively etch a thick oxide layer by forming a micro channel with a rapid etching speed of a high concentration impurity thin film. A method of fabricating an air-gap structure for MEMSs includes the steps of forming a first conductive layer on a top of a first surface(100a) of a substrate(100), forming a plurality of stoppers on the first conductive layer, forming an etching hole on a predetermined region of the first conductive layer, forming a sacrificial layer including a high concentration impurity material thin film on the first conductive layer and the stopper, forming a second conductive layer on the sacrificial layer, and forming a cavity on the first conductive layer by removing the sacrificial layer including the high concentration impurity thin film with a wet etching method through an etching hole of the first conductive layer.
Abstract translation: 提供一种制造用于MEMS的气隙结构（MicroElectroMechanical Systems）的方法，以通过以高浓度杂质薄膜的快速蚀刻速度形成微通道来选择性地蚀刻厚氧化物层。 一种制造用于MEMS的气隙结构的方法包括以下步骤：在基板（100）的第一表面（100a）的顶部上形成第一导电层，在第一导电层上形成多个塞子，形成 在所述第一导电层的预定区域上蚀刻孔，在所述第一导电层和所述阻挡层上形成包括高浓度杂质材料薄膜的牺牲层，在所述牺牲层上形成第二导电层，以及在所述第一导电层上形成空腔 通过通过第一导电层的蚀刻孔通过湿蚀刻方法去除包括高浓度杂质薄膜的牺牲层。
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公开(公告)号：KR100446092B1
公开(公告)日：2004-08-30
申请号：KR1020010081907
申请日：2001-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: F28D15/02
Abstract: PURPOSE: A cooling system with a wick manufactured by a photo-etching process is provided to obtain greater capillary force and improve heat transfer efficiency by minimizing the width of fine channels. CONSTITUTION: A cooling system with a wick(3) manufactured by a photo-etching process comprises a frame(1) forming an uneven part in the middle and the wick forming plural fine channels(4). The wick is inserted in the uneven part. Flow of fluids is performed through the fine channels and a space part(5) formed to the uneven part. The fine channels are formed through the photo-etching process. Thus, the width of the fine channels is minimized and great capillary force is obtained. The simplified manufacturing process improves productivity.
Abstract translation: 目的：提供一种带光刻制造芯的冷却系统，通过减少细通道的宽度来获得更大的毛细力并提高传热效率。 一种具有通过光刻工艺制造的吸芯（3）的冷却系统，包括在中间形成不平坦部分的框架（1）和形成多个微细通道（4）的吸芯。 灯芯插入不平坦部分。 流体的流动通过精细通道和形成于不平坦部分的空间部分（5）来执行。 精细通道通过光刻工艺形成。 因此，细通道的宽度被最小化并且获得了很大的毛细作用力。 简化的制造过程提高了生产力。
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公开(公告)号：KR1020030052091A
公开(公告)日：2003-06-26
申请号：KR1020010081907
申请日：2001-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: F28D15/02
Abstract: PURPOSE: A cooling system with a wick manufactured by a photo-etching process is provided to obtain greater capillary force and improve heat transfer efficiency by minimizing the width of fine channels. CONSTITUTION: A cooling system with a wick(3) manufactured by a photo-etching process comprises a frame(1) forming an uneven part in the middle and the wick forming plural fine channels(4). The wick is inserted in the uneven part. Flow of fluids is performed through the fine channels and a space part(5) formed to the uneven part. The fine channels are formed through the photo-etching process. Thus, the width of the fine channels is minimized and great capillary force is obtained. The simplified manufacturing process improves productivity.
Abstract translation: 目的：通过光蚀刻工艺制造出具有灯芯的冷却系统，以通过最小化精细通道的宽度来获得更大的毛细管力并提高传热效率。 构成：具有通过光蚀刻工艺制造的芯（3）的冷却系统包括在中间形成不平坦部分的框架（1）和形成多个细通道（4）的芯。 灯芯插入不平坦部分。 流体通过精细通道和形成于不平坦部分的空间部分（5）进行。 精细通道是通过光刻工艺形成的。 因此，精细通道的宽度被最小化并且获得了很大的毛细管力。 简化的制造过程提高了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102265460B1
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：KR1020160003289
申请日：2016-01-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/082 , H03K17/687 , H03K17/10
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公开(公告)号：KR102219482B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020150029809
申请日：2015-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/02 , H01L27/20 , H01L21/31 , H01L21/28 , H01L23/467
Abstract: 본발명은반도체소자를제공한다. 반도체소자는동적인움직임으로냉각매체의흐름을발생시키는외팔보를갖는기판, 상기기판상에제공된활성영역, 상기기판상에상기활성영역과이격되어배치되는절연막, 상기절연막상에배치되는하부전극, 상기하부전극상에배치되는압전막및 상기압전막상에배치되는상부전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR101880533B1
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：KR1020150071205
申请日：2015-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05K7/20
Abstract: 본발명은외부핀을포함하는소결평판방열소자를제공한다. 외부핀을포함하는소결평판방열소자는표면에복수개의히트싱크핀들이제공되고, 내부에작동유체가유동하는공간을제공하는복수개의유로들이제공되는평판형상의몸체부를포함하고, 상기유로들의각각은, 상기유로들의상면과하면중 어느일면에제공되는소결윅및 상기유로들의상면과하면중 상기일면과대향하는타면에제공되는요철형태의그루브를포함한다.
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公开(公告)号：KR101878931B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020150088941
申请日：2015-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L23/291 , H01L23/3178 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66212 , H01L29/872
Abstract: 반도체소자의제1 질화물반도체층은기판상에제공되고, 제2 질화물반도체층은제1 질화물반도체층상에제공되고, 제1 오믹메탈및 제2 오믹메탈은제2 질화물반도체층상에제공되고, 리세스영역은제1 오믹메탈과제2 오믹메탈사이의제2 질화물반도체층내에제공되고, 패시베이션층은제1 오믹메탈의측면및 리세스영역의하부면과측면을덮고, 쇼트키전극은제1 오믹메탈상에제공되고, 리세스영역의내부로연장된다.
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公开(公告)号：KR101695306B1
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020130152420
申请日：2013-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: 본발명은질화물반도체의제조방법에관한것으로, 반응기내에기판을준비하는것 및상기기판상에에피층을형성하는것을포함하고, 상기에피층을형성하는것은펄스플로우성장법을수행하는것을포함하되, 상기펄스플로우성장법은상기기판상에 5족소스물질을공급하는것 및상기기판상에 3족소스물질을공급하는것을포함하고, 상기 5족및 3족소스물질들은상기반응기내에교대로공급되되, 상기 5족소스물질은히드라진(hydrazine) 계열의물질을포함하는질화물반도체의제조방법에제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的方法，包括在反应器中制备衬底并在衬底上形成外延层的步骤。 形成外延层时进行脉冲流生长方法; 脉冲流生长方法包括在基板上提供3-5组源材料; 将组3-5材料交替地供应到反应器的内部; 5组源材料包括肼类材料。
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