公开(公告)号：KR101976611B1

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：KR1020160157216

申请日：2016-11-24

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  임이랑 ,  지슬기 ,  이수진

IPC: C01B31/04 ,  C04B41/88

公开(公告)号：KR101926169B1

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：KR1020170035968

申请日：2017-03-22

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  김성구 ,  장종산 ,  황영규 ,  조경호

IPC: C08B5/14 ,  H01M8/1027 ,  H01M8/103 ,  H01M8/1032 ,  H01M8/1041 ,  H01M8/1004 ,  C08L1/16 ,  H01M8/1018

Abstract: 본 발명은 술폰화 셀룰로오스, 이를 이용한 수소이온 전도성 고분자 전해질 막 및 이를 구비하는 연료전지에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 기계적 특성과 화학적 안정성이 우수한 셀룰로오스 백본에 화학적 기능화를 통해 술폰기를 말단에 도입함으로서 상용 고분자 전해질 막에 비해 향상된 이온전도도를 가지는 술폰화 셀룰로오스, 이를 이용한 수소이온 전도성 고분자 전해질 막 및 이를 포함하는 연료전지에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101573241B1

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：KR1020140054793

申请日：2014-05-08

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정선호 ,  최성호 ,  이선숙 ,  최영민 ,  안기석 ,  김수진 ,  채창주 ,  김기웅

IPC: C01B31/04

Abstract: 본발명은 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한리튬이차전지용전극에관한것으로, 보다상세하게는그래핀소재와나노금속소재를복합화하여복합나노소재를제조하고, 추가적으로복합나노소재의표면에그래핀을형성시켜 3차원그래핀구조체를제조함으로써, 그래핀간의네트워킹을형성시켜전기전도성이향상된 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한전극제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150128056A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：KR1020140054793

申请日：2014-05-08

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정선호 ,  최성호 ,  이선숙 ,  최영민 ,  안기석 ,  김수진 ,  채창주 ,  김기웅

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B32/182 ,  C01B32/184 ,  C01B2204/00

Abstract: 본발명은 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한리튬이차전지용전극에관한것으로, 보다상세하게는그래핀소재와나노금속소재를복합화하여복합나노소재를제조하고, 추가적으로복합나노소재의표면에그래핀을형성시켜 3차원그래핀구조체를제조함으로써, 그래핀간의네트워킹을형성시켜전기전도성이향상된 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한전극제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种三维石墨烯结构体及其制造方法以及使用该锂二次电池的电极，更具体地，涉及三维石墨烯结构体及其制造方法和制造方法 通过使用它们的电极的方法，用于通过石墨烯材料和纳米金属材料的络合来制造复合纳米材料，并且另外通过在复合纳米材料的表面上形成石墨烯来另外制造三维结构，从而通过形成 石墨烯之间的网络。

公开(公告)号：KR1020150105021A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：KR1020140027158

申请日：2014-03-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  한정환 ,  김다혜 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/448

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 4족 전이금속 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 4족 전이금속 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R
1 은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R
2 , R
3 은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R
4 및 R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)

Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1表示的IV族过渡金属前体。第IV族过渡金属前体是热稳定的并且具有优异的挥发性以形成具有良好质量的IV族过渡金属前体。 在化学式1中，M是Ti，Zr或Hf，R1是C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C10的直链氟代烷基或支链氟代烷基或C6的芳族烃 -C12，R2和R3分别表示H或C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C19的直链氟代烷基或支链氟代烷基，R4和R5分别表示直链烷基或 C1-C10的支链烷基。

公开(公告)号：KR101526856B1

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：KR1020130111949

申请日：2013-09-17

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최성호 ,  김수진 ,  이선숙 ,  정선호

IPC: B82B3/00 ,  H01B1/18 ,  H01B1/16

Abstract: 본발명은전도성물질을이용한표면처리된나노금속산화물의제조방법, 이에따라제조된표면처리된나노금속산화물및 이를포함하는전극, 에너지저장장치및 복합체를제공한다.

公开(公告)号：KR101508480B1

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：KR1020140018881

申请日：2014-02-19

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정선호 ,  최성호 ,  이선숙 ,  채창주 ,  김수진 ,  김기웅 ,  윤영준

IPC: H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/583 ,  H01M4/13

Abstract: 본발명은리튬이차전지용전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는 1차원형태의전도성금속소재와구형또는활성소재의혼성화를통해, 고용량을가지면서반복충방전특성이우수한리튬전지용전극및 이의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 锂二次电池用电极及其制造方法技术领域本发明涉及锂二次电池用电极及其制造方法，特别涉及具有与重复充放电相关的高容量，超强特性的锂二次电池用电极， 一样。

公开(公告)号：KR101306007B1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：KR1020120013515

申请日：2012-02-10

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  심장보 ,  박보근 ,  이창완

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

Abstract: 본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 기판 상부에 Sb 증착막을 형성하는 단계; 및 Te 증착막을 형성하는 단계;를 교번하여 수행하는 Sb-Te계 열전박막을 증착 방법이며, Sb 증착 및 Te 증착 단계에서 플라즈마를 발생하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130007509A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120135577

申请日：2012-11-27

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  정석종 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  강성구

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/14

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01B1/14 ,  H01L31/0224

Abstract: PURPOSE: A contact formation of silicon solar cells using conductive ink with nano-sized glass frit is provided to minimize the loss of electrode material and to reduce production costs. CONSTITUTION: An emitter layer(202) is formed on the upper part of a substrate. A reflection barrier layer is formed on the emitter layer. A first conductive layer(204) is patterned in the reflection barrier layer. A second conductive layer(205) is formed in the upper surface of the first conductive layer. A conductive ink composite is used in the process for forming the second conductive layer.

Abstract translation: 目的：提供使用具有纳米尺寸玻璃料的导电油墨的硅太阳能电池的接触形成，以最小化电极材料的损失并降低生产成本。 构成：在衬底的上部形成发射极层（202）。 在发射极层上形成反射阻挡层。 在反射阻挡层中图案化第一导电层（204）。 第二导电层（205）形成在第一导电层的上表面中。 在形成第二导电层的工艺中使用导电油墨复合材料。

公开(公告)号：KR1020120127070A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020110045303

申请日：2011-05-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정민욱 ,  박보근 ,  정석종 ,  이영국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  신용숙 ,  정대성

IPC: C01B31/02 ,  H01B1/04 ,  H01L21/20 ,  C23C16/26

CPC classification number: C01B32/194 ,  C01B2204/22 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/2026

Abstract: PURPOSE: Graphene and a manufacturing method of the same, a semiconductor device using the same, and a manufacturing method of the semiconductor are provided to control the electric characteristic of the graphene by generating the structural change of the graphene. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene controls the electric characteristic of graphene(104) by generating the structural change of the graphene. The structural change of the graphene is generated by doping nitrogen into the graphene based on nitrogen plasma treatment. The structural change of the graphene controls the electric characteristic of the graphene based on conductivity. The conductivity is controlled by the power of nitrogen plasma, the flux of nitrogen, the generating pressure of the nitrogen plasma, and the contact time of the nitrogen plasma and the graphene.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯及其制造方法，使用该方法的半导体装置和半导体的制造方法，以通过产生石墨烯的结构变化来控制石墨烯的电特性。 构成：石墨烯的制造方法通过产生石墨烯的结构变化来控制石墨烯（104）的电特性。 石墨烯的结构变化是通过基于氮等离子体处理将氮掺杂到石墨烯中而产生的。 石墨烯的结构变化基于导电性控制石墨烯的电特性。 电导率由氮等离子体的功率，氮通量，氮等离子体的产生压力以及氮等离子体和石墨烯的接触时间来控制。