公开(公告)号：DE102018129945A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：DE102018129945

申请日：2018-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RUEGHEIMER TILMAN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/3225

Abstract: Eine optoelektronische Anzeigevorrichtung (10) umfasst eine Vielzahl von Pixeln (12), wobei jedes Pixel (12) zumindest ein erstes optoelektronisches Halbleiterbauelement (13) zur Erzeugung von Licht einer ersten Farbe und ein zweites optoelektronisches Halbleiterbauelement (14) zur Erzeugung von Licht einer zweiten Farbe umfasst, und eine Steuereinheit (16), die ausgebildet ist, das erste optoelektronische Halbleiterbauelement (13) zumindest eines der Pixel (12) mit einem ersten pulsweitenmodulierten Signal zu beaufschlagen und das zweite optoelektronische Halbleiterbauelement (14) des zumindest einen Pixels (12) mit einem zweiten pulsweitenmodulierten Signal zu beaufschlagen, wobei die Pulse (20) zumindest eines des ersten und des zweiten pulsweitenmodulierten Signals jeweils einen ersten Pulsteil (21) und einen zweiten Pulsteil (22) aufweisen und der erste Pulsteil (21) eine größere Pulshöhe als der zweite Pulsteil (22) aufweist, oder wobei die Pulse (31) des ersten pulsweitenmodulierten Signals und die Pulse (32) des zweiten pulsweitenmodulierten Signals unterschiedliche Pulslängen aufweisen.

公开(公告)号：DE102018123171A1

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE102018123171

申请日：2018-09-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  BRICK PETER

IPC: F21K9/00 ,  H05B44/00 ,  F21Y105/00 ,  F21Y105/10 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/15 ,  G06K7/10 ,  G06K19/00 ,  H01L25/075 ,  H01L31/12

Abstract: Eine Leuchtvorrichtung (10) zur optischen Wiedergabe einer codierten Information umfasst eine Mehrzahl von optischen Bauelementen (11), wobei jedes der Bauelemente (11) dazu ausgebildet ist, Licht zu emittieren, und die Kombination des von den optischen Bauelementen (11) emittierten Lichts eine codierte Information ergibt.

公开(公告)号：DE102018120508A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018120508

申请日：2018-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  HALBRITTER HUBERT ,  HAIBERGER LUCA

IPC: H01S5/022

Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung (10) umfasstein optoelektronisches Bauelement (12) zur Erzeugung von Laserstrahlung,ein Gehäuse (11), in welchem das optoelektronische Bauelement (12) untergebracht ist,ein an dem Gehäuse (11) anbringbaren Träger (13), der ein optisches Element (19) und eine elektrisch leitfähige Leitung (16) aufweist, undeinen Stromkreis (15), der teilweise in dem Gehäuse (11) verläuft,wobei die elektrisch leitfähige Leitung (16) des Trägers (13) ein Teil des Stromkreises (15) ist,wobei der Träger (13) zum Schließen des Stromkreises (15) notwendigerweise derart an dem Gehäuse (11) angebracht ist, dass das optische Element (19) im Strahlengang der Laserstrahlung angeordnet ist, undwobei die Erzeugung von Laserstrahlung durch das optoelektronische Bauelement (12) unterbunden ist, wenn der Stromkreis (15) nicht geschlossen ist.

公开(公告)号：DE112018002080A5

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：DE112018002080

申请日：2018-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH ,  WOJCIK ANDREAS ,  HALBRITTER HUBERT ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  MARIC JOSIP ,  JAMA MARIEL GRACE ,  HAHN BERTHOLD ,  MÜLLER CHRISTIAN ,  OTTO ISABEL

IPC: H01S5/042

公开(公告)号：DE112017006473A5

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE112017006473

申请日：2017-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER MARTIN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/022

公开(公告)号：DE102018101569A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018101569

申请日：2018-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RÜGHEIMER TILMAN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/187

Abstract: Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip (1) mit einem Träger (20), einem auf dem Träger (20) angeordneten Schichtenstapel (10) mit einer senkrecht zur Stapelrichtung (R) verlaufenden Schichtenebene (L), einem Vorderseitenkontakt (310) und einem Rückseitenkontakt (320), bei demim Betrieb vermittels Stromeinschnürung im Schichtenstapel (10) eine vorgegebene Verteilung einer Stromdichte (I) erzielt wird, wobeiim Träger (20) eine elektrische Durchkontaktierung (200) vorgesehen ist, welche sich von einer von dem Schichtenstapel (10) abgewandten Bodenfläche (20a) des Trägers (20) bis zu einer dem Schichtenstapel (10) zugewandten Fläche des Trägers (20) erstreckt, unddie Verteilung der Stromdichte (I) durch Form und Größe des Querschnitts der Durchkontaktierung (200) parallel zur Schichtenebene (L) an der dem Schichtenstapel zugewandten Fläche maßgeblich beeinflusst ist.

公开(公告)号：DE102017129790A1

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：DE102017129790

申请日：2017-12-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH ,  HALBRITTER HUBERT ,  KLEIN MICHAEL

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/042

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zum Betreiben einer Laservorrichtung (100) mit mehreren unabhängig voneinander ansteuerbarer Laserdioden (1), wobei angesteuerte Laserdioden jeweils mit einem Betriebsstrom (I) betrieben werden, und wobei jede Laserdiode für einen bestimmungsgemäßen Betrieb in einem Sollstrombereich (ΔI) betreibbar ist, wird ein Schritt A) ausgeführt, in dem ein Eingangsstrom (I_0) oder eine Eingangsspannung (U_0) an die Laservorrichtung angelegt wird. Ferner wird ein Schritt B) ausgeführt, in dem ein Kennwert ermittelt wird, der repräsentativ für eine Anzahl N an Laserdioden ist, die mit dem im Schritt A) angelegten Eingangsstrom oder mit der im Schritt A) angelegten Eingangsspannung im jeweiligen Sollstrombereich betrieben werden kann. Falls der Kennwert repräsentativ für N ≥ 1 ist, werden in einem Schritt C) M Laserdioden derart angesteuert, dass die M Laserdioden jeweils im Sollstrombereich betrieben werden, wobei 1 ≤ M ≤ N gewählt wird.

公开(公告)号：DE102017129623A1

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：DE102017129623

申请日：2017-12-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) angegeben, das einen Licht emittierende Halbleiterchip (1) mit einer Hauptoberfläche (10), die Strahlungsauskoppelfläche aufweist, über die im Betrieb ein erstes Licht (91) in einem ersten Wellenlängenbereich abgestrahlt wird, aufweist. Auf einem ersten Teilbereich (11) der Hauptoberfläche ist eine Wellenlängenkonversionsschicht (2) zur Konversion zumindest eines Teils des ersten Lichts in zweites Licht (92) in einem zweiten, vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich aufgebracht. Ein optisches Rückkoppelelement (3) ist unmittelbar auf einem zum ersten Teilbereich benachbarten zweiten Teilbereich (12) der Hauptoberfläche aufgebracht, wobei das optische Rückkoppelement erstes Licht, das vom zweiten Teilbereich abgestrahlt wird, in Richtung der Strahlungsauskoppelfläche und/oder in Richtung der Wellenlängenkonversionsschicht umlenkt.

公开(公告)号：DE102017122325A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102017122325

申请日：2017-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH ,  HALBRITTER HUBERT ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF

IPC: H01S5/02 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) angegeben, umfassend einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einen Träger (3), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist und ein optisches Element (4), wobei das optische Element mit einer direkten Bondverbindung an dem Halbleiterkörper befestigt ist.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen angegeben.

公开(公告)号：DE102017121679A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE102017121679

申请日：2017-09-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH ,  ZINI LORENZO ,  MICHAELIS BENJAMIN ,  HUPPMANN SOPHIA ,  HOLLAND BRENDAN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/263 ,  H01L23/492 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (25) angegeben mit den Schritten:- Bereitstellen eines Trägers (11) mit einer Haupterstreckungsebene,- Aufbringen von mindestens zwei Halbleiterchips (10) auf den Träger (11),- Erzeugen von Bruchkeimen (12) im Träger (11), die entlang mindestens einer Trennachse (13) angeordnet sind, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) verläuft,- Aufbringen des Trägers (11) auf eine Folie, wobei die Folie an der den Halbleiterchips (10) abgewandten Seite des Trägers (11) angeordnet ist,- Vereinzeln der mindestens zwei Halbleiterchips (10) und des Trägers (11) durch Expandieren der Folie in lateralen Richtungen (x), welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) sind, wobei- der Träger (11) entlang mindestens einer Trennebene (14) zertrennt wird, welche von einer vertikalen Richtung (z) und der Trennachse (13) aufgespannt wird, wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) ist, und- in den Träger (11) mindestens eine elektrisch isolierende Isolationsschicht (15) eingebracht ist, welche sich parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) erstreckt. Außerdem wird ein Halbleiterbauelement (25) angegeben.