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公开(公告)号：DE102013103760A1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：DE102013103760
申请日：2013-04-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Gehäuses mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, wobei ein elektrisch leitender Chipträger in das Gehäuse eingebettet und an der ersten Oberfläche und an der zweiten Oberfläche zugänglich ist, und zum Anlegen einer Isolationsschicht an der zweiten Oberfläche des Gehäuses mittels Aerosolabscheidung.
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公开(公告)号：DE102013205179A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：DE102013205179
申请日：2013-03-25
Applicant: OSRAM GMBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN , KALTENBACHER AXEL , WOLF MATTHIAS , DIRSCHERL GEORG
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , H01L51/52
Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe bereitgestellt. Dabei wird ein Bauelementverbund (10) bereitgestellt, der elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelemente (12) aufweist, die im Bauelementverbund (10) körperlich miteinander gekoppelt sind. Zu den Bauelementen (12) wird jeweils mindestens eine bauelement-individuelle Eigenschaft ermittelt. Abhängig von den ermittelten Eigenschaften der Bauelemente (12) wird eine Strukturmaske (22) zum Bedecken der Bauelemente (12) im Bauelementverbund (10) ausgebildet, wobei die Strukturmaske (22) korrespondierend zu den Bauelementen (12) Strukturmaskenausnehmungen (24) aufweist, die abhängig von den Eigenschaften der entsprechenden Bauelemente (12) bauelement-individuell ausgebildet sind. Die Strukturmaskenausnehmungen (24) geben Leuchtstoffbereiche (26), die in den Strukturmaskenausnehmungen (24) freigelegt sind, auf den Bauelementen (12) vor. Auf die Leuchtstoffbereiche (26) der Bauelemente (12) werden Leuchtstoffschichten (28) ausgebildet. Die Strukturmaske (22) wird von dem Bauelementverbund (10) entfernt. Die Bauelemente (12) werden aus dem Bauelementverbund (10) vereinzelt, wobei eine Baugruppe von mindestens einem der vereinzelten Bauelemente (12) mit der entsprechenden darauf ausgebildeten Leuchtstoffschicht (28) gebildet ist.
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公开(公告)号：DE102013101532A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：DE102013101532
申请日：2013-02-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN , GÖÖTZ BRITTA , DIRSCHERL GEORG , MÖNCH WOLFGANG , LINKOV ALEXANDER
IPC: F21V11/00 , H01L25/075 , H01L33/58
Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen oder mehrere Leuchtdiodenchips (2). Der Leuschtdiodenchip (2) weist eine Strahlungshauptseite (20) auf. Eine Blende (3) weist zumindest eine relativ zu dem Leuchtdiodenchip (2) bewegliche Komponente auf. Die Blende (3) ist entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) der Strahlungshauptseite (20) nachgeordnet. Die Blende (3) ist an oder in einem Bauteilgehäuse (4) angebracht. Es weist die Strahlungshauptseite (20) eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm auf. Durch ein Bewegen der zumindest einen Komponente lässt sich die Blende (3) von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig schalten. Es umfasst die Blende (3) genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission. Das Halbleiterbauteil (1) ist ferner ein Blitzlicht für ein mobiles Bildaufzeichnungsgerät.
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公开(公告)号：DE112014001966B4
公开(公告)日：2025-05-15
申请号：DE112014001966
申请日：2014-04-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN
IPC: H10H20/84 , H10H20/857
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Gehäuses (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102), wobei ein elektrisch leitender Chipträger (110) und ein Kontakt (120) in das Gehäuse (100) eingebettet und an der ersten Oberfläche (101) und an der zweiten Oberfläche (102) zumindest stellenweise zugänglich sind;- Anlegen einer Isolationsschicht (130) an der zweiten Oberfläche (102) des Gehäuses (100) mittels Aerosolabscheidung, wobei- die Isolationsschicht (130) eine erste Öffnung (131) und eine zweite Öffnung (132) aufweist,- durch die erste Öffnung (131) eine Unterseite (112) des Chipträgers (110) zugänglich ist, und- durch die zweite Öffnung (132) eine Unterseite (122) des Kontakts (120) zugänglich ist; und- Anlegen einer Metallisierung (140) auf Abschnitten der Isolationsschicht (130) und der zweiten Oberfläche (102).
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公开(公告)号：DE102014100772B4
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：DE102014100772
申请日：2014-01-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ , MOOSBURGER JÜRGEN , PLÖSSL ANDREAS , RODE PATRICK , NAGEL PETER , SCHOLZ DOMINIK
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) mit den Schritten:a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (16);b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder der Halbleiterchips (10) einen Trägerkörper (12) und einen auf einer Oberseite (22) des Trägerkörpers (12) angeordneten Halbleiterkörper (4) aufweist;c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips (10) auf dem Hilfsträger (16), wobei die Halbleiterchips (10) in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper (4) vom Trägerkörper (12) aus gesehen dem Hilfsträger (16) zugewandt sind;d) Ausbilden einer Streuschicht (18) zumindest in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern (4) benachbarter Halbleiterchips (10);e) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (20), der zumindest bereichsweise zwischen den Trägerkörpern (12) benachbarter Halbleiterchips (10) angeordnet ist, wobei die Oberseiten (22) der Trägerkörper (12) einen geringeren Abstand vom Hilfsträger (16) aufweisen als der Gehäusekörperverbund (20);f) Entfernen des Hilfsträgers (16); undg) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (20) in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Halbleiterchip (10), einen Teil der Streuschicht (18) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds (20) als Gehäusekörper (34) aufweist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112014004422B4
公开(公告)日：2022-09-08
申请号：DE112014004422
申请日：2014-08-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHWARZ THOMAS , SINGER FRANK , MOOSBURGER JÜRGEN
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip, einem Formkörper, der zweilagig ausgebildet ist, und einer ersten, zweiten und dritten Kontaktschicht angegeben, wobei die dritte Kontaktschicht zwischen einer ersten und einer zweiten Lage des Formkörpers angeordnet ist, und die erste Kontaktschicht und eine rückseitige Oberfläche des Halbleiterchips mittels der dritten Kontaktschicht miteinander verbunden werden. Insbesondere handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterbauelement um ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement, das als Seitenemitter ausgebildet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE112017003316A5
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：DE112017003316
申请日：2017-06-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHWARZ THOMAS , SINGER FRANK , MOOSBURGER JÜRGEN , ENGL KARL , MARTIN ALEXANDER
IPC: G09G3/32
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公开(公告)号：DE102017101966A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：DE102017101966
申请日：2017-02-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PLÖSSL ANDREAS , MOOSBURGER JÜRGEN , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , HERRMANN SIEGFRIED , SINGER FRANK
IPC: H01L21/58 , H01L21/66 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: Es wird ein Verfahren zum Transfer zumindest eines Halbleiterchips (2) auf einen Zielträger (5) angegeben mit den Schritten:- Bereitstellen eines Zwischenträgers (1) mit einer Vielzahl von Halbleiterchips, wobei jeder Halbleiterchip (2) eine ferromagnetische Schicht (22) aufweist und in Bezug auf zumindest einen optischen und/oder elektronischen Parameter charakterisiert ist,- Bereitstellen eines magnetisierbaren Transferträgers (4),- Durchführung eines ersten oder zweiten selektiven Magnetisierungsverfahrens, so dass nur Halbleiterchips (2) mit einer gewünschten Charakterisierung vom Transferträger magnetisch angezogen werden,- Übertragen von Halbleiterchips (2) auf den Transferträger (4), wobei nur die Halbleiterchips (2) mit der gewünschten Charakterisierung magnetisch am Transferträger (4) haften bleiben,- Übertragen zumindest eines der am Transferträger (4) magnetisch haftenden Halbleiterchips (2) auf den Zielträger(5) .
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公开(公告)号：DE102016124525A1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：DE102016124525
申请日：2016-12-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN , SCHWARZ THOMAS , KOSTELNIK JAN
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/62 , H05K1/11 , H05K3/42
Abstract: Es wird ein Modul mit Leuchtdiodenchips vorgeschlagen, wobei die Leuchtdiodenchips an gegenüberliegenden Seiten jeweils eine erste und eine zweite Kontaktelektrode aufweisen, wobei auf einer Oberseite einer Trägerschicht eine erste Metallisierungsebene mit Reihenleitungen und ersten Umverdrahtungsleitungen angeordnet ist, wobei die Leuchtdiodenchips mit den ersten Kontaktelektroden auf den Reihenleitungen angeordnet, wobei die Trägerschicht erste Durchkontaktierungen aufweist, die von einer Oberseite der Trägerschicht zu einer Unterseite der Trägerschicht geführt sind, wobei auf der Unterseite der Trägerschicht eine zweite Metallisierungsebene mit ersten und weiteren ersten Kontaktflächen angeordnet ist, wobei die Reihenleitungen über die ersten Durchkontaktierungen mit den ersten Kontaktflächen der zweiten Metallisierungsebene verbunden sind, wobei auf der Trägerschicht eine erste Deckschicht angeordnet ist, wobei die erste Deckschicht die Leuchtdiodenchips umgibt und wenigstens teilweise bedeckt, wobei auf der ersten Deckschicht eine dritte Metallisierungsebene mit Spaltenleitungen angeordnet ist, wobei die zweiten Durchkontaktierungen mit den Spaltenleitungen elektrisch leitend verbunden sind, wobei dritte Durchkontaktierungen von der Oberseite der ersten Deckschicht bis zu den ersten Umverdrahtungsleitungen geführt sind, wobei in der Trägerschicht vierte Durchkontaktierungen vorgesehen sind, die die ersten Umverdrahtungsleitungen mit zweiten Kontaktflächen der zweiten Metallisierungsebene verbinden.
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公开(公告)号：DE102016221264A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：DE102016221264
申请日：2016-10-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHWARZ THOMAS , SINGER FRANK , MOOSBURGER JÜRGEN
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aussortieren von ausgewählten Bauelementen mit wenigstens einem vorgegebenen Merkmal aus einer Vielzahl von Bauelementen, wobei Bauelemente auf mehreren Quellträgern in vorgegebenen Rasteranordnungen angeordnet sind, wobei wenigstens ein Zielträger vorgesehen ist, wobei Rasterplätze, auf denen ausgewählte Bauelemente auf einem Quellträger angeordnet sind, in einem Datenspeicher abgelegt sind, wobei mithilfe eines Transporthalters ausgewählte Bauelemente mit wenigen Arbeitsschritten auf wenigstens einen Zielträger übertragen werden.
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