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公开(公告)号：KR1020120097223A
公开(公告)日：2012-09-03
申请号：KR1020110016665
申请日：2011-02-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A device for measuring a particle having a light guide unit is provided to extending an area where a particle to be measured can be measured by extending the length of an optical path of inspecting lights and to improve the efficiency for measurement. CONSTITUTION: A device for measuring a particle having a light guide unit comprises an inspecting area(120), a light source unit(130), a measuring unit(150), and a light guide unit(160). A particle to be measured is incident to the inspecting area. The measuring unit measures information of the particle to be measured by using inspecting lights penetrated through the inspecting area. The light guide unit reflects the inspecting lights headed to an outer side of the inspecting area to an inner side of the inspecting area, thereby inducing an optical path of the inspecting lights to the measurement unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量具有导光单元的颗粒的装置，通过延长检查光的光路的长度来扩展可测量待测颗粒的区域，并提高测量的效率。 构成：用于测量具有导光单元的颗粒的装置包括检查区域（120），光源单元（130），测量单元（150）和导光单元（160）。 要测量的颗粒入射到检查区域。 测量单元使用穿过检查区域的检查灯来测量要测量的颗粒的信息。 导光单元将检查区域的外侧的检查光反射到检查区域的内侧，从而将检查光的光路引导到测量单元。
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公开(公告)号：KR1020110115800A
公开(公告)日：2011-10-24
申请号：KR1020100035330
申请日：2010-04-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 분무장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 분무장치는 케이스; 상기 케이스의 내부로 유체를 유입하는 유입구; 상기 유입된 유체를 에어로졸(aerosol) 상태로 분사하는 분사부; 상기 에어로졸을 상기 케이스의 외부로 유출시키는 유출구; 상기 유체의 일부를 상기 케이스의 외부로 배출함으로써 상기 케이스 내부의 유체량을 조절하는 드레인부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 유동하는 유체를 연속적으로 채취하여 에어로졸 분사시킬 수 있는 분무장치가 제공된다.-
公开(公告)号：KR101013434B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020080029203
申请日：2008-03-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전자파 차폐필터의 제조방법은, 절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 일정깊이 및 일정폭으로 메쉬(mesh) 구조의 리세스(recess)가 형성된 베이스 기판을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판의 상부면에 제1도전물질을 증착하여 제1도전막을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판을 일정각도로 기울인 상태에서 회전상태로 드라이 에칭공정을 실시하여, 상기 리세스의 바닥면과 측면 일부, 또는 상기 리세스의 바닥면을 제외한 나머지 부분의 상기 제1도전막을 제거하는 단계와; 상기 리세스의 바닥면에 남아있는 상기 제1도전막을 시드층(seed layer)으로 하여, 제2도전물질이 상기 리세스의 내부를 채우도록 전기도금공정을 수행하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 별도의 포토공정이 없이 베이스 기판을 기울여서 에칭공정을 수행하고 전기도금 공정을 수행함에 의해 간단하면서도 질적으로 우수한 전자파 차폐필터를 제조할 수 있는 효과가 있다.
전자파, 차폐, 필터, 임프린트, 전기도금, 이온에칭-
公开(公告)号：KR101012421B1
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020080111206
申请日：2008-11-10
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 에어로졸 분사장치 및 그것을 이용한 필름형성방법이 개시된다. 기판의 표면에 필름을 형성하기 위한 에어로졸 분사장치로서, 액화가스를 기화시켜 수송가스를 형성하고, 수송가스의 압력을 높이는 수송가스주입부; 수송가스와 분말을 혼합하여 에어로졸을 형성하는 에어로졸 형성부; 및 기판의 표면에 필름이 형성되도록, 에어로졸을 상압에서 분사하는 필름형성부를 포함하는 에어로졸 분사장치는, 분말의 종류 및 크기의 제한이 없는 코팅공정을 수행할 수 있으며, 상온, 상압에서 필름을 형성하기 때문에 공정을 간소화할 수 있고, 짧은 시간에 다양한 범위의 필름 두께를 조절할 수 있다. 또한, 유전층/전기저항층/전기전도층을 동일한 방법으로 제조할 수 있어, 공정비용 저감 효과가 높다.
상압, 에어로졸, 분사, 필름, 액화가스-
公开(公告)号：KR1020100135469A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020090053852
申请日：2009-06-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A high resistance cermet resistor and a forming method thereof are provided to prevent hypoxia by selectively performing anodizing process after a deposition process. CONSTITUTION: A first photoresist pattern is formed on a substrate(10). A metal electrode(30) is deposited on the front of a substrate. A first photo resistor pattern is removed from the substrate. A second photo resist pattern is formed on the substrate without a resistor formation position. A mixture is deposited on the front of the substrate and is made of active material and stable metal. A cermet resistor(60) is formed by anodizing the mixture. A second photoresist pattern is removed from the substrate.
Abstract translation: 目的：提供高电阻金属陶瓷电阻器及其形成方法，以在沉积工艺之后选择性地进行阳极氧化处理来防止缺氧。 构成：在衬底（10）上形成第一光致抗蚀剂图案。 金属电极（30）沉积在基板的前面。 从衬底去除第一光电阻图案。 在基板上形成第二光刻胶图案，而不形成电阻器形成位置。 混合物沉积在基材的前面，并由活性材料和稳定的金属制成。 通过阳极氧化混合物形成金属陶瓷电阻（60）。 从衬底去除第二光致抗蚀剂图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100956000B1
公开(公告)日：2010-05-04
申请号：KR1020080018776
申请日：2008-02-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45188 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0043 , H03F1/3211 , H03F3/45183 , H03F2203/45318 , H03F2203/45386 , H03F2203/45544 , H03F2203/45608
Abstract: 본 발명은 선형성이 개선된 차동증폭회로 및 주파수 혼합기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 차동증폭회로는 제1 부하 및 제2 부하와; 상기 제1 부하에 대한 제1 출력단과; 상기 제2 부하에 대한 제2 출력단과; 제1 입력단 및 제2 입력단 간의 전압차를 증폭하는 차동단과, 상기 차동단을 바이어싱하는 바이어싱 전류 소스가 마련된 차동증폭부와; 상기 제1 출력단과 상기 제2 출력단을 연결하는 제1 트랜지스터를 갖는 제1 크로스 회로부와, 상기 제1 출력단과 상기 제2 출력단을 연결하는 제2 트랜지스터를 갖는 제2 크로스 회로부가 마련되어 상기 차동증폭부에서 발생하는 비선형성 신호를 제거하는 비선형성 제거회로부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 차동증폭회로의 능동소자에서 발생하는 비선형 전류성분을 부하 측에서 상쇄하여 선형 전류 성분만을 출력하여 기존의 선형성 개선을 위한 차동증폭회로에 비해 선형성이 개선될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090098538A
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：KR1020080023992
申请日：2008-03-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C25D3/38
CPC classification number: C25D3/38
Abstract: A method for releasing deposit stress in Cu electroplating and a Cu plating bath using the same are provided to remove electroplating stress generated on a Cu deposition layer by applying an additive to the Cu plating bath for electroplating. A method for releasing deposit stress in Cu electroplating comprises the steps of preparing a cathode and an anode and a Cu plating bath, applying an additive for releasing electroplating stress to the Cu plating bath, dipping the cathode and the anode in the Cu plating bath, applying direct current density of 20mA/cm^2 between the anode and the cathode at the room temperature, and performing Cu electroplating until the thickness of the deposited copper has reached about 5~6mum. The additive includes thiourea of 0.0002~0.0006M. The Cu plating bath is mainly composed of copper sulfate and copper.
Abstract translation: 提供了一种用于释放Cu电镀中的沉积应力的方法和使用其的Cu电镀浴，以通过向用于电镀的Cu电镀浴中施加添加剂来除去在Cu沉积层上产生的电镀应力。 一种用于在Cu电镀中释放沉积应力的方法包括以下步骤：制备阴极和阳极以及镀铜浴，向Cu镀浴施加用于释放电镀应力的添加剂，将阴极和阳极浸入Cu镀浴中， 在室温下在阳极和阴极之间施加20mA / cm 2的直流电流密度，并执行Cu电镀，直到沉积的铜的厚度达到约5〜6μm。 添加剂包括0.0002〜0.0006M的硫脲。 镀铜浴主要由硫酸铜和铜组成。
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公开(公告)号：KR102254103B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020150002170
申请日：2015-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 기판상에그라파이트층을형성하고, 상기그라파이트층 상에지지층을형성하고, 상기기판을제거하고, 상기그라파이트층 및상기지지층의스택을프레임상에전사하고, 및상기지지층을제거하는것을포함하는펠리클제조하는방법이설명된다.
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公开(公告)号：KR102251999B1
公开(公告)日：2021-05-17
申请号：KR1020150003112
申请日：2015-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G03F1/64
Abstract: 펠리클의제조방법에있어서, 기판의일 면상에, 상기기판을촉매로사용하는화학반응을이용하여막을형성한다. 상기기판의다른일 면상에, 보호막패턴을형성한다. 상기기판을식각액에침지시켜, 상기보호막패턴으로부터노출된기판부분을제거하여프레임을형성한다. 상기식각액을제1 용매로교환한다.
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