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公开(公告)号：KR1020170122910A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160051747
申请日：2016-04-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67115
Abstract: 본발명은원자층식각방법에관한것으로서, 본발명에따른원자층식각방법은원자층제거시램프의광원을이용한가열을통해피식각물질층의상면및 측면을동시에제거가능하여수 나노미터스케일의패턴이더라도쉽게평면적크기를줄일수 있는원자층식각방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及原子层蚀刻方法，在根据本发明的原子层蚀刻方法中，可以通过使用灯的光源的加热同时去除层状材料的上表面和侧表面， 提供了即使使用图案也能够容易地减小平面尺寸的原子层蚀刻方法。
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公开(公告)号：KR1020170055617A
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020150158376
申请日：2015-11-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은염소프리-도핑된단층그래핀상에추가의그래핀을이동시킴으로써도핑된염소를트랩핑하는것을포함하는간단하고효율적인공정으로인하여, 높은투과도, 낮은면저항, 높은열 안정성및 높은유연성을갖는그래핀을용이하게제조할수 있고, 또한, 그래핀의두께및 전기적특성등의제어가용이한프리-도핑을이용한그래핀의제조방법, 및이로부터제조된다층그래핀을제공한다.
Abstract translation: 本发明基于以下发现：一种简单而有效的方法，包括通过在氯预先预掺杂的单层石墨烯上移动额外的石墨烯来俘获掺杂的氯，具有高渗透性，低薄层电阻，高热稳定性和高柔性 本发明提供一种石墨烯的制造方法及石墨烯层的制造方法，该石墨烯的制造方法使用能够容易地制造石墨烯且容易控制石墨烯的厚度和电特性的预掺杂。
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公开(公告)号：KR1020170024632A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150119461
申请日：2015-08-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은접촉저항을이용한나노용접방법에관한것으로, 나노와이어에전기에너지를직간접적으로인가하여, 나노와이어들간의접촉부위가접촉저항에의하여서로용접되도록함으로써, 나노와이어들간의전기전도도와거칠기(roughness)를개선할수 있고, 기판등의다른부분에악영향을미치지않으므로, 플렉서블기판이나대면적기판에적용가능한장점이있다.
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公开(公告)号：KR1020150116982A
公开(公告)日：2015-10-19
申请号：KR1020140041941
申请日：2014-04-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L43/08 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161 , H01L21/02057 , G11C11/16 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: MRAM 물질의손상을최소화하면서제거할수 있는 MRAM 물질식각부산물제거방법이개시된다. 본발명에따른 MRAM 물질식각부산물제거방법은반응챔버내부에흡착가스를주입하여재증착층에흡착시키는제1 단계, 상기흡착가스중 상기재증착층에흡착되지않고남은가스를상기반응챔버외부로배출하는제2 단계, 상기흡착가스가흡착된재증착층에반응성이온빔을조사하여상기재증착층을탈착시키는제3 단계및 탈착된혼합물을상기반응챔버외부로배출하는제4 단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于去除蚀刻磁性随机存取存储器（MRAM）材料的副产物的方法，其可以通过最小化对MRAM材料的损坏来去除MRAM材料。 根据本发明的用于除去MRAM材料蚀刻副产物的方法包括：将吸附气体注入反应室内部并将其吸附到再沉积层上的第一步骤; 将未吸附到再沉积层上的剩余气体从吸附气体排出到反应室外部的第二步骤; 将反应性离子束照射到已经吸附有吸附气体的再沉积层的第三步骤，并且分离再沉积层; 以及将分离的混合物排出到反应室外部的第四步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101529821B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020140041935
申请日：2014-04-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , G11C11/15 , H01L43/08
CPC classification number: G11C11/16 , H01L21/32136
Abstract: 반응성이온빔펄스를이용하는 MRAM 물질식각방법이개시된다. 본발명에따른 MRAM 물질식각방법은, 플라즈마를발생시키는상부챔버, 상기상부챔버하부에구비되며제1 내지제3 그리드를포함하는그리드부및 상기그리드부하부에구비되며기판이놓여지는하부챔버를포함하는식각장치를이용하며, 상기상부챔버에서발생된플라즈마에포함된반응성가스를 MRAM 기판표면에흡착시키는흡착단계및 상기반응성가스가흡착된피식각층과제1 서브층과의결합에너지보다크고상기제1 서브층과제2 서브층과의결합에너지보다작은에너지를갖도록가속된반응성이온빔을상기피식각층표면에조사하여상기피식각층을탈착시키는탈착단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了使用反应离子束脉冲来蚀刻MRAM材料的方法。 根据本发明的用于蚀刻MRAM材料的方法包括通过使用包括用于产生等离子体的上室的蚀刻装置将包括在上室中产生的等离子体的反应气体吸附到MRAM基板的表面的吸附步骤， 包括的栅格部分形成在上部室的下部，并且包括第一至第三栅极，以及形成在栅格部分的下部并允许衬底放置的下室，并且分离 通过将加速的反应离子束照射到目标蚀刻层的表面来分离目标蚀刻层的步骤，以获得比第一子层和被反应性气体吸附的目标蚀刻层的组合能量高的能量，并且更低 比第一子层和第二子层的组合能量。
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公开(公告)号：KR101467116B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130113622
申请日：2013-09-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G02F1/1303 , H01L21/3065 , H01L21/677
Abstract: 표면 처리 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 표면 처리 방법은 기판 표면에 그래핀 플레이크를 분사하여 마스크를 형성하는 마스크 형성 단계 및 그래핀 플레이크가 분사된 상기 기판 표면에 에너지원을 조사하는 에너지 조사 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 에너지 조사 단계에서 상기 기판 표면에 분사된 그래핀 플레이크가 모두 식각될 때까지 에너지를 조사하고, 상기 에너지원은 대기압 플라즈마인 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种表面处理方法。 根据本发明的表面处理方法包括通过在基板的表面上喷涂石墨烯薄片形成掩模的掩模形成步骤以及在基板的表面上散射能量源的能量辐射方法，在该表面上，石墨烯 薄片喷雾。 在能量辐射步骤中，辐射能量，直到喷涂在基板表面上的石墨烯薄片被完全蚀刻。 能源是大气等离子体。
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公开(公告)号：KR101467092B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130042872
申请日：2013-04-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 플라즈마의생성영역조절이가능한대면적플라즈마발생장치가개시된다. 상기플라즈마발생장치는플라즈마가생성되는진공챔버, 기판이안착되는서셉터가상기진공챔버내부에구비되고, 플라즈마의생성영역을제한하기위한플라즈마생성영역제한부재를포함한다. 상기플라즈마생성영역제한부재는외부에서위치및 가스여기량이제어된다.
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公开(公告)号：KR101465338B1
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130065515
申请日：2013-06-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32136
Abstract: 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )에 대한 원자층 식각 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 산화 알루미늄 원자층 식각 방법은, 반응챔버 내부에 식각가스를 주입하여 상기 피식각층에 흡착시키는 제1 단계; 상기 식각가스 중 상기 피식각층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계; 상기 식각가스가 흡착된 피식각층과 제1 서브 Al-O 층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브 Al-O 층과 제2 서브 Al-O 층과의 결합 에너지보다 작은 에너지를 식각가스가 흡착된 피식각층 표면에 조사하여 상기 식각가스가 흡착된 피식각층을 탈착시키는 제3 단계; 및 탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계; 를 포함한다.Abstract translation: 公开了对Al2O3的原子层蚀刻方法。 根据本发明的原子层蚀刻方法包括：将蚀刻气体注入反应室并将蚀刻气体吸附到蚀刻层的第一步骤; 将未被吸附到蚀刻层的蚀刻气体排出到反应气体外部的第二步骤; 通过照射蚀刻气体被吸附的蚀刻层的表面的能量大于蚀刻层和第一副Al-O层之间的键合能量，允许蚀刻气体剥离吸附蚀刻层的第三步骤 并且小于第一子Al-O层和第二子Al-O层之间的结合能; 以及将分离的混合物排出到反应室外部的第四步骤。
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公开(公告)号：KR1020140125118A
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020130042872
申请日：2013-04-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32825 , H05H1/24
Abstract: 플라즈마의 생성영역 조절이 가능한 대면적 플라즈마 발생장치가 개시된다. 상기 플라즈마 발생장치는 플라즈마가 생성되는 진공 챔버, 기판이 안착되는 서셉터가 상기 진공 챔버 내부에 구비되고, 플라즈마의 생성영역을 제한하기 위한 플라즈마 생성영역 제한부재를 포함한다. 상기 플라즈마 생성영역 제한부재는 외부에서 위치 및 가스 여기량이 제어된다.
Abstract translation: 公开了能够调整等离子体产生区域的大规模等离子体发生装置。 等离子体发生装置包括产生等离子体的真空室; 基座，其安装在基板上并包括在真空室中; 以及用于限制等离子体产生区域的等离子体产生限制构件。 等离子体产生限制部件控制位置和排气量在外部。
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