公开(公告)号：KR1020120009512A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031569

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度

公开(公告)号：KR1020110105360A

公开(公告)日：2011-09-26

申请号：KR1020110024078

申请日：2011-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/32136 ,  H05H1/46

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 적어도 일부가 유전체의 창으로 이루어지는 진공배기 가능한 처리용기와, 상기 처리용기내에서 피처리 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 처리용기내에 원하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부와, 병렬 연장하는 제 1 및 제 2 코일 세그먼트를 포함 한다. 또한, 상기 플라즈마 처리 장치는 상기 유전체 창의 밖에 마련되는 RF 안테나와, 고주파 전력을 상기 RF 안테나에 공급하는 고주파 급전부와, 상기 RF 안테나내에서, 병렬 모드와, 체배형 직렬 모드와, 상쇄형 직렬 모드의 사이에서 전환 가능한 스위치 회로망을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110046349A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020100105133

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준 ,  사이토마사시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/46 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32458 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to minutely and freely control the plasma density. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes: a processing chamber(10) including a dielectric window(52); a coil-shaped RF antenna(54); a substrate supporting unit, provided in the chamber for mounting thereon a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the chamber; and an RF power supply unit for supplying an RF power to the RF antenna to generate a plasma of the processing gas by an inductive coupling in the chamber.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以便能够精确地和自由地控制等离子体密度。 构成：等离子体处理装置包括：包括电介质窗（52）的处理室（10）; 线圈形RF天线（54）; 基板支撑单元，设置在所述室中，用于在其上安装目标基板; 处理气体供应单元，用于将处理气体供应到所述室; 以及RF电源单元，用于向RF天线提供RF功率，以通过腔室中的感应耦合产生处理气体的等离子体。

公开(公告)号：KR100966391B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020010003816

申请日：2001-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오오카와요시히토

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: 피처리체의 에칭 깊이를 검출하는 방법은, 에칭 섹션에서 에칭되는 피처리체의 에칭층을 파장이 서로 다른 다수의 성분을 갖는 광으로 조사하는 단계와, 파장이 서로 다른 성분으로 이루어지며, 에칭층의 상부면 및 에칭 섹션의 표면으로부터 반사된 광 성분에 의해 주기적으로 변하는 강도를 갖는 다수의 간섭 광 성분을 검출하는 단계와, 이들 간섭 광 성분에 주파수 해석을 적용하여 강도가 진폭을 형성하는 이들 간섭 파형들 각각의 주파수를 획득하는 단계와, 간섭 파형의 주파수를 이용하여 각각의 간섭 파형에 대응하는 에칭 속도를 계산하는 단계와, 상기 에칭 속도로부터 에칭 깊이를 획득하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020070020329A

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020077001691

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020010078097A

公开(公告)日：2001-08-20

申请号：KR1020010003816

申请日：2001-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오오카와요시히토

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: PURPOSE: To solve the problem, where in the conventional method etching depth used to be detected by means of frequency analysis, etc., by obtaining an interference waveform using monochromatic light such as a laser beam, in the case of this interference waveform, a cyclic distortion at a specific phase cannot be avoided and the etching speed at the distorted part cyclically deviates to a great extent, so that etching depth cannot be measured or monitored accurately. CONSTITUTION: In the method of detecting etching depth based on the present invention, three kinds of interference lights L1, L2 and L3, having different waveforms reflected from the upper surface of surface E to be etched and surface E' to be etched on a semiconductor wafer W, are detected, and then frequency analysis of each frequency is performed to obtain frequencies ω1 (t), ω2 (t) and ω3 of respective interference waveforms. Then, etching speed suitable for each interference frequency is calculated based on these frequencies, and the calculated etching speed is obtained as E1 (t), E2 (t) and E3. Subsequently, deviation of the etching speed calculated, based on the distortion of any of the interference waveforms, is averaged by the calculated etching speed of another distortionless waveform, and then the averaged etching speed Eave is integrated to calculated etching depth σ.

Abstract translation: 目的：为了解决这个问题，通过使用频率分析等来检测传统方法的蚀刻深度，通过使用诸如激光束的单色光获得干涉波，在这种干涉波形的情况下， 不能避免在特定相位的循环失真，并且畸变部分的蚀刻速度循环地偏离很大程度，使得不能精确地测量或监测蚀刻深度。 构成：在本发明的检测蚀刻深度的方法中，具有从被蚀刻面E的上表面反射的不同波形的三种干涉光L1，L2，L3在半导体上被蚀刻的面E' 晶片W，然后进行各频率的频率分析，得到各干扰波形的频率ω1（t），ω2（t），ω3。 然后，根据这些频率计算适合于各干扰频率的蚀刻速度，求出计算出的蚀刻速度为E1（t），E2（t），E3。 随后，通过计算出的另一个无失真波形的蚀刻速度对基于任何干涉波形的失真计算出的蚀刻速度的偏差进行平均，然后将平均蚀刻速度Eave积分到计算出的蚀刻深度σ。