公开(公告)号：DE102004026233A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：DE102004026233

申请日：2004-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE10343083A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：DE10343083

申请日：2003-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSMEIER LUDWIG ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  SANDER RAINALD ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: Transistor type semiconductor module (1) comprises semiconductor structure (2) with several, mutually insulated gates (6) coupled to gate energizer. At least one gate is separated from gate energizer and serves as potential measuring line after coupling to potential meter.Preferably gate(s), serving as measuring line, are linked to certain points of module so that potentials at these points can be determined via gates. Typically contact film (3) is deposited on semiconductor structure for contacting source or body regions.

公开(公告)号：DE10246960A1

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：DE10246960

申请日：2002-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06

Abstract: An FE power transistor comprises two semiconductor regions (10,12) with MOS channels, source/drain connections, gate control contacts (10',12') and a control connection (16). An overvoltage protection unit (13) between the second gate and drain connects to the second semiconductor region if a gate/drain threshold voltage is exceeded.

公开(公告)号：DE102018109950B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102018109950

申请日：2018-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL-HEINZ ,  BRANDL PETER ,  HIRLER FRANZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist:ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist;eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist, undeine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist, wobei das Feldelektrodendielektrikum (32) eine Dicke aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und wobei das Driftgebiet (11) in einem Mesagebiet (111) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, wobei das Mesagebiet (111) in einer Richtung quer zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements an das Feldelektrodendielektrikum (22) angrenzt.

公开(公告)号：DE102020121333A1

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE102020121333

申请日：2020-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUTH FELIX ,  DECKERS MARGARETE ,  FEUERBAUM CHRISTIAN ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: Ein Transistorbauelement wird beschrieben. Das Transistorbauelement umfasst: mehrere Gateelektroden (21) und mehrere Feldelektroden (31), wobei jeweils eine der mehreren Gateelektroden (21) und eine der mehreren Feldelektroden (31) in einer vertikalen Richtung übereinander in einem gemeinsamen Graben (10) eines Halbleiterkörpers (100) angeordnet sind; ein Gatepad (51), an das die mehreren Gateelektroden (21) angeschlossen sind; und eine oberhalb des Halbleiterkörpers (100) angeordnete Sourcemetallisierung (41), wobei die mehreren Feldelektroden (31) eine erste Gruppe von Feldelektroden aufweisen, wobei die Feldelektroden der ersten Gruppe wenigstens einen Kontaktabschnitt (34) aufweisen, wobei der wenigstens eine Kontaktabschnitt (34) zwischen zwei Abschnitten (211, 212) einer im selben Graben angeordneten Gateelektrode (21) angeordnet ist und an die Sourcemetallisierung angeschlossen ist, wobei die zwei Abschnitte (211, 212) der Gateelektrode (21) im Bereich des Kontaktabschnitts (34) voneinander getrennt sind, und wobei von den zwei Abschnitten (211, 212) der im selben Graben angeordneten Gateelektrode (21) wenigstens einer über eine Gate-Verbindungselektrode (241, 242; 24) an eine in einem weiteren Graben angeordnete Gateelektrode (21) elektrisch angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102020112193A1

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102020112193

申请日：2020-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MIESLINGER STEFAN ,  OSTERMANN THOMAS ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines Halbleiterbauelements enthält das Halbleiterbauelement: einen ersten aktiven Zellbereich mit einer ersten Vielzahl paralleler Gate-Gräben; einen zweiten aktiven Zellbereich mit einer zweiten Vielzahl paralleler Gate-Gräben; und eine Metallisierungsschicht über dem ersten und dem zweiten aktiven Zellbereich. Die Metallisierungsschicht enthält: einen ersten Teil, der ein Halbleiter-Mesa-Gebiet zwischen der Vielzahl paralleler Gate-Gräben in dem ersten und dem zweiten aktiven Zellbereich kontaktiert, und einen zweiten Teil, der den ersten Teil umgibt. Der zweite Teil der Metallisierungsschicht kontaktiert die erste Vielzahl von Gate-Gräben entlang einer ersten Richtung und die zweite Vielzahl von Gate-Gräben entlang einer von der ersten Richtung verschiedenen zweiten Richtung.

公开(公告)号：DE102014110450B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102014110450

申请日：2014-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierte Schaltung (200) in einem Halbleitersubstrat (100), wobei die integrierte Schaltung (200) aufweist:einen Trench (270) in einer ersten Hauptoberfläche (110) des Halbleitersubstrats (100), wobei der Trench (270) einen sich in einer ersten Richtung erstreckenden ersten Trenchteil (271) und einen sich in der ersten Richtung erstreckenden zweiten Trenchteil (272) aufweist und der erste Trenchteil (271) über einen weiteren Trenchteil, der sich in einem schrägen Winkel in Bezug auf die erste Richtung erstreckt, mit dem zweiten Trenchteil (272) in einer lateralen Richtung verbunden ist,eine Trenchleiterstruktur (215, 220), die ein leitendes Material (250) umfasst, das in dem ersten Trenchteil (271) angeordnet ist, undeine Trenchkondensatorstruktur (210), die ein Kondensatordielektrikum (240) und eine erste Kondensatorelektrode (235), angeordnet in dem zweiten Trenchteil (272), aufweist, wobei die erste Kondensatorelektrode (235) eine eine Seitenwand des zweiten Trenchteiles (272) auskleidende Schicht umfasst.

公开(公告)号：DE102013113540B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102013113540

申请日：2013-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung (1010, 1013), umfassend:eine dicht gepackte Trenchtransistorzellenanordnung mit einer Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109), wobei eine Breite weines Transistormesabereiches von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite weines ersten Trenches (110) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) die folgende Beziehung erfüllen: w

公开(公告)号：DE102017118352A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102017118352

申请日：2017-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BRANDL PETER ,  BACH KARL-HEINZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Die Offenbarung beschreibt ein Halbleiterbauelement, das eine Feldeffekttransistoranordnung in einem Halbleiterkörper aufweist. Die Feldeffekttransistoranordnung weist eine Driftzone und ein Bodygebiet zwischen der Driftzone und einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers auf. Die Feldeffekttransistoranordnung weist ferner eine erste und zweite Grabenstrukturen aufweisende Vielzahl von Grabenstrukturen von einem ersten Typ auf, die sich von einer ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper erstrecken und eine maximale laterale Abmessung an der ersten Oberfläche aufweisen, die kleiner ist als eine Tiefe der ersten und zweiten Grabenstrukturen. Die erste Grabenstruktur und die zweite Grabenstruktur sind direkt benachbart. Eine Netto-Dotierungskonzentration in einer zwischen dem Bodygebiet und einem Boden der ersten Grabenstruktur gelegenen Referenztiefe an einer ersten Stelle in der Driftzone, die einen selben ersten lateralen Abstand zur ersten und zur zweiten Grabenstruktur aufweist, ist wenigstens um 10% größer als an einer zweiten Stelle in der Referenztiefe, die einen selben zweiten lateralen Abstand zur ersten und zur zweiten Grabenstruktur aufweist, wobei der zweite Abstand größer ist als der erste Abstand.

公开(公告)号：DE102014118317B4

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102014118317

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren (300) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Bilden (310) von zumindest einem pn-Übergang innerhalb eines Halbleitersubstrats;Ausführen einer anodischen Oxidation (320) einer Oberflächenregion des Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden, elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb einem Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht, während eine hohe Spannungsdifferenz an dem pn-Übergang aufgrund des anziehenden, elektrischen Feldes auftritt; undImplantieren (330) von Dotierstoffen innerhalb der p-dotierten Region oder der n-dotierten Region des pn-Übergangs, um eine Sperrspannung des pn-Übergangs unter die hohe Spannungsdifferenz zu reduzieren, die an dem pn-Übergang während der anodischen Oxidation auftritt.